Základy elektrotechniky II.

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Ladislav Voženílek, František Lstibůrek

Strana 108 z 456

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Přechody jsou provedeny takto: J závěrný přechod, J blokovací přechod, J vstřikovací přechod. V destičce jsou čtyři vodivostní vrstvy uspořádání Technologicky jsou vrstvy provedeny tak, že 1. 79). vrstvy jsou užší než vrstvy .yrislor používá usm ěrnění střídavého proudu. 80b anoda vzhledem katodě kladná, otevře proudovým pulsem převedeným řídicí elektrodu (tj. Jeho funkci obvo­ du lze přirovnat tyratronu nebo rtuťovému usm ěrňovači. 80a) a zapojených podle obr. E lektroda připojená vrstvě anoda, elektroda vrstvě je k atoda elektroda vyvedená vrstvy funkci řídicí elektrody. vlastně bázi tranzistoru VT2) tranzistor VT2 proud může ­ cházet anody katodě obvodem tvořeným itorem bází tranzisto­ ru VT1 otevřeným tranzistorem VT2 (proud B2). 79. Průchodem proudu B2 přes přechod otevírá druhý tranzistor, VT1, neboť itoru Pj jsou vstřikovány díry báze Tím otevře paralelní cesta pro průchod proudu anody katodě, přes tranzistor VT1 báze tranzistoru 110 . lad stru ra ty ristoru schem atická značka Podstata činnosti tyristoru N destičce krystalu křem íku jsou tři přechody (podle obr. Je-li obr. —P odstatu činnosti tyristoru lze nejlépe vysvětlit dvou tranzistorech (P vzniklých rozložením tyristoru dvou částí (obr. 80b. koncentrace ajoritních nosičů krajních vrstvách (P, je m nohem větší než vnitřních vrstvách (P2 ,), 2. oA O br