Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
Protože koncen
trace elektronů větší než koncentrace děr P,, budou iloru
vstřikovány elektrony báze. 73. Protože báze velmi úzká, rekom binační
pásm zcela překryje, již při velmi malém proudu
N obr. rom toho prochází ještě malý proud B
ze zdroje UUI) přes bázi emitor. kolektoru do
báze neměl procházet proud. sériově zapojených zdrojů Ucb Ulitt prochází proud /c
přes kolektor, bázi emitor.
Na obr. Zapojení tranzistoru
N obvodu
N akonec zapojíme obvod podle obr. Protože báze
prochází proud emitoru, báze přehlcena vstřiknutými elektrony
z emitoru, takže všech třech vrstvách vyskytují stejné nosiče, tj. Všimněme však vnějšího obvodu, vy
tvořeného sériovým zapojením obou zdrojů, UKR Ucv.
N, 2
o -
v -
o o
o
o -
o -
Jl 2
O br. Vyskytuje-li však všech vrstvách
stejný druh nosičů, mohou tylo nosiče přenášet elektrický náboj jedné
krajní elektrody druhou součástka stane ěru kolektor itor
vodivou.
Zdroj Ucb připojen přechodu zpětném směru. Ráze překryta rekom binačním pásmem.obr. 72c jsou oba zdroje, Uvli UCn>zapojeny série připojeny
mezi itor kolektor. Ani tom případě nebude součástkou procházet
proud, neboť jeden přechodů zapojen zpětném směru. 73. 72b mezi kolektor bázi připojen zdroj Uch- Obvodem proud
neprochází, protože přechod zapojen zpětném směru. elek
trony, bázi jsou navíc ještě díry. 72a zapojen první přechod obvodu zdrojem L'EU
v přímém směru, bude jím proto procházet proud /„. ranzistor leží uzlu tří proudů podle
Kirchhoffova zákona pro něj platí vztah
+ e
104
. obvodu itor báze je
zapojen zdroj přímém ěru hlediska přechodu Přechodem J,
prochází tedy přímém směru proud, protože koncentrace elektronů
ve vrstvě větší než koncentrace děr vrstvě dochází vstřiko
vání elektronů oblasti báze
