Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
Vyskytuje-li však všech vrstvách
stejný druh nosičů, mohou tylo nosiče přenášet elektrický náboj jedné
krajní elektrody druhou součástka stane ěru kolektor itor
vodivou. Protože báze
prochází proud emitoru, báze přehlcena vstřiknutými elektrony
z emitoru, takže všech třech vrstvách vyskytují stejné nosiče, tj. Všimněme však vnějšího obvodu, vy
tvořeného sériovým zapojením obou zdrojů, UKR Ucv. sériově zapojených zdrojů Ucb Ulitt prochází proud /c
přes kolektor, bázi emitor. 73.obr. ranzistor leží uzlu tří proudů podle
Kirchhoffova zákona pro něj platí vztah
+ e
104
. Zapojení tranzistoru
N obvodu
N akonec zapojíme obvod podle obr. 72a zapojen první přechod obvodu zdrojem L'EU
v přímém směru, bude jím proto procházet proud /„. 72c jsou oba zdroje, Uvli UCn>zapojeny série připojeny
mezi itor kolektor. Ani tom případě nebude součástkou procházet
proud, neboť jeden přechodů zapojen zpětném směru. Ráze překryta rekom binačním pásmem. kolektoru do
báze neměl procházet proud.
Zdroj Ucb připojen přechodu zpětném směru.
Na obr. elek
trony, bázi jsou navíc ještě díry. rom toho prochází ještě malý proud B
ze zdroje UUI) přes bázi emitor. 72b mezi kolektor bázi připojen zdroj Uch- Obvodem proud
neprochází, protože přechod zapojen zpětném směru. obvodu itor báze je
zapojen zdroj přímém ěru hlediska přechodu Přechodem J,
prochází tedy přímém směru proud, protože koncentrace elektronů
ve vrstvě větší než koncentrace děr vrstvě dochází vstřiko
vání elektronů oblasti báze. Protože báze velmi úzká, rekom binační
pásm zcela překryje, již při velmi malém proudu
N obr.
N, 2
o -
v -
o o
o
o -
o -
Jl 2
O br. Protože koncen
trace elektronů větší než koncentrace děr P,, budou iloru
vstřikovány elektrony báze. 73
