Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
Schematická značka,
b) fyzikální struktura bipolárních
tranzistorů NPN
Obr. Branové grafy tranzistoru
odpovídající zapojení se
společnou bází, společným
emitorem, společným
kolektorem
72
. 45.49)
(2.
Součinitele odhadují základě měření šumu diody nízkých
kmitočtech. Obdobně CDQ
představuje kapacitu odpovídající součtu všech tří kapacit modelu obr. 44b tento model doplněn proudovými zdroji modelujícími zdroje
tepelného, výstřelového blikavého šumu, vznikajícího polovodičových diodách.) obr. jsou tři nejčastěji používané branové grafy tranzistoru jako
jednosekčního trojpólu.
Proudový zdroj simuluje tepelný šum odpovídající rezistoru Jeho velikost
je souhlase (2. výstřelového blikavého šumu přechodu PN
polovodičových diod.pracovním bodu daném stejnosměrným napětím teplotou diody. Obvykle charakterizuje vztahem
kde Qje stejnosměrný klidový pracovní proud diody,
q 1,59 '19 náboj elektronu,
/ kmitočet. ve
zvoleném klidovém pracovním bodu. Pro explicitní charakterizaci vzájemných závislostí elek
trických veličin tranzistoru můžeme základě tab.7.
Na obr.28) dána jako
Zdroj respektuje vznik tzv.
2. zvolit vždy dvě branové
veličiny jako nezávisle proměnné dvě jako závisle proměnné. (Ve schematické značce tranzistoru typu PNP šipka orientována
opačně.50)
K
E
□) c)
Obr. 46.
(2. 45.2. Modely bipolárních tranzistorů
Schematická značka fyzikální struktura bipolárního tranzistoru typu NPN je
na obr
