Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
Na obr. 46. 45. (Ve schematické značce tranzistoru typu PNP šipka orientována
opačně. Branové grafy tranzistoru
odpovídající zapojení se
společnou bází, společným
emitorem, společným
kolektorem
72
. Pro explicitní charakterizaci vzájemných závislostí elek
trických veličin tranzistoru můžeme základě tab.2. zvolit vždy dvě branové
veličiny jako nezávisle proměnné dvě jako závisle proměnné. ve
zvoleném klidovém pracovním bodu. jsou tři nejčastěji používané branové grafy tranzistoru jako
jednosekčního trojpólu.50)
K
E
□) c)
Obr.28) dána jako
Zdroj respektuje vznik tzv. 45.) obr. výstřelového blikavého šumu přechodu PN
polovodičových diod.
(2.
Proudový zdroj simuluje tepelný šum odpovídající rezistoru Jeho velikost
je souhlase (2. Obdobně CDQ
představuje kapacitu odpovídající součtu všech tří kapacit modelu obr.pracovním bodu daném stejnosměrným napětím teplotou diody. Modely bipolárních tranzistorů
Schematická značka fyzikální struktura bipolárního tranzistoru typu NPN je
na obr.
2.49)
(2.7. 44b tento model doplněn proudovými zdroji modelujícími zdroje
tepelného, výstřelového blikavého šumu, vznikajícího polovodičových diodách. Schematická značka,
b) fyzikální struktura bipolárních
tranzistorů NPN
Obr.
Součinitele odhadují základě měření šumu diody nízkých
kmitočtech. Obvykle charakterizuje vztahem
kde Qje stejnosměrný klidový pracovní proud diody,
q 1,59 '19 náboj elektronu,
/ kmitočet
