Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
stejnosměrné chování diod dominantní
vliv teplotní závislost jejich proudu nasycení. Vývojový diagram obr.
<p 0[i 0)]
A
A
O
I
K
a )
K
b)
Obr.
Na obr.48) klidovém
kde Is0 Oje hodnota proudu nasycení činitele při teplotě £J0,
Eg šířka zakázaného pásma' polovodiče,
y teplotní exponent diody.)
jako
u s0)
Odpovídající náhradní obvod obr. 43c
charakterizuje funkci tohoto modelu.47), kterou zpravidla linearizujeme
vztahem
kde <P0 stykové napětí při teplotě ,90,
q0 teplotní součinitel stykového napětí.45).
Při simulaci teplotní závislosti diod nestačí považovat závislý teplotě 3
pouze činitel daný vztahem (2. 44. 39. Vidíme, téměř ekvivalentní
obvodu obr. Parametr gDQ představuje diferenciální vodivost diody (2. Zjednodušeně můžeme vyjádřit
např. vztahem
Z hlediska vlivu teploty dynamické vlastnosti diod dominantní teplotní
závislost stykového napětí <Pvystupujícího (2. Linearizovaný model pro malé
signály, příslušný šumový model
71
. 39, proti němuž však přednost tom, neobsahuje žádný
vnitřní uzel při jeho použití nemůže dojít „přetečení“ počítače ani při vyhodno
cování voltampérové charakteristiky pro velká napětí.Napětí ¡7, určíme základě daného podmínky
1
Rs 0D(ť. 44a linearizovaný model diody pro malé signály odvozený modelu
na obr. 43b
