Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Heřman Mann

Strana 70 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
44a linearizovaný model diody pro malé signály odvozený modelu na obr. 39. Při simulaci teplotní závislosti diod nestačí považovat závislý teplotě 3 pouze činitel daný vztahem (2. 43c charakterizuje funkci tohoto modelu. 43b. 39, proti němuž však přednost tom, neobsahuje žádný vnitřní uzel při jeho použití nemůže dojít „přetečení“ počítače ani při vyhodno­ cování voltampérové charakteristiky pro velká napětí. vztahem Z hlediska vlivu teploty dynamické vlastnosti diod dominantní teplotní závislost stykového napětí <Pvystupujícího (2.48) klidovém kde Is0 Oje hodnota proudu nasycení činitele při teplotě £J0, Eg šířka zakázaného pásma' polovodiče, y teplotní exponent diody. Parametr gDQ představuje diferenciální vodivost diody (2.45). stejnosměrné chování diod dominantní vliv teplotní závislost jejich proudu nasycení. Linearizovaný model pro malé signály, příslušný šumový model 71 . Na obr.47), kterou zpravidla linearizujeme vztahem kde <P0 stykové napětí při teplotě ,90, q0 teplotní součinitel stykového napětí. <p 0[i 0)] A A O I K a ) K b) Obr.Napětí ¡7, určíme základě daného podmínky 1 Rs 0D(ť. Vidíme, téměř ekvivalentní obvodu obr. Vývojový diagram obr.) jako u s0) Odpovídající náhradní obvod obr. Zjednodušeně můžeme vyjádřit např. 44