Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
48) klidovém
kde Is0 Oje hodnota proudu nasycení činitele při teplotě £J0,
Eg šířka zakázaného pásma' polovodiče,
y teplotní exponent diody. Linearizovaný model pro malé
signály, příslušný šumový model
71
.
<p 0[i 0)]
A
A
O
I
K
a )
K
b)
Obr. Vývojový diagram obr.)
jako
u s0)
Odpovídající náhradní obvod obr. 44. 39, proti němuž však přednost tom, neobsahuje žádný
vnitřní uzel při jeho použití nemůže dojít „přetečení“ počítače ani při vyhodno
cování voltampérové charakteristiky pro velká napětí.47), kterou zpravidla linearizujeme
vztahem
kde <P0 stykové napětí při teplotě ,90,
q0 teplotní součinitel stykového napětí.Napětí ¡7, určíme základě daného podmínky
1
Rs 0D(ť.
Na obr. 44a linearizovaný model diody pro malé signály odvozený modelu
na obr. 43c
charakterizuje funkci tohoto modelu. 43b.45).
Při simulaci teplotní závislosti diod nestačí považovat závislý teplotě 3
pouze činitel daný vztahem (2. Vidíme, téměř ekvivalentní
obvodu obr. 39. Zjednodušeně můžeme vyjádřit
např. Parametr gDQ představuje diferenciální vodivost diody (2. stejnosměrné chování diod dominantní
vliv teplotní závislost jejich proudu nasycení. vztahem
Z hlediska vlivu teploty dynamické vlastnosti diod dominantní teplotní
závislost stykového napětí <Pvystupujícího (2
