Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Heřman Mann

Strana 70 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
stejnosměrné chování diod dominantní vliv teplotní závislost jejich proudu nasycení. Na obr. Parametr gDQ představuje diferenciální vodivost diody (2. 44. 43b. Při simulaci teplotní závislosti diod nestačí považovat závislý teplotě 3 pouze činitel daný vztahem (2. 39, proti němuž však přednost tom, neobsahuje žádný vnitřní uzel při jeho použití nemůže dojít „přetečení“ počítače ani při vyhodno­ cování voltampérové charakteristiky pro velká napětí.45).) jako u s0) Odpovídající náhradní obvod obr.Napětí ¡7, určíme základě daného podmínky 1 Rs 0D(ť. <p 0[i 0)] A A O I K a ) K b) Obr.48) klidovém kde Is0 Oje hodnota proudu nasycení činitele při teplotě £J0, Eg šířka zakázaného pásma' polovodiče, y teplotní exponent diody. 43c charakterizuje funkci tohoto modelu. Zjednodušeně můžeme vyjádřit např. 44a linearizovaný model diody pro malé signály odvozený modelu na obr. vztahem Z hlediska vlivu teploty dynamické vlastnosti diod dominantní teplotní závislost stykového napětí <Pvystupujícího (2. Linearizovaný model pro malé signály, příslušný šumový model 71 .47), kterou zpravidla linearizujeme vztahem kde <P0 stykové napětí při teplotě ,90, q0 teplotní součinitel stykového napětí. 39. Vývojový diagram obr. Vidíme, téměř ekvivalentní obvodu obr