Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Heřman Mann

Strana 70 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
44a linearizovaný model diody pro malé signály odvozený modelu na obr.45). 43c charakterizuje funkci tohoto modelu. Při simulaci teplotní závislosti diod nestačí považovat závislý teplotě 3 pouze činitel daný vztahem (2. Vývojový diagram obr.Napětí ¡7, určíme základě daného podmínky 1 Rs 0D(ť. 39. 43b. Na obr. 39, proti němuž však přednost tom, neobsahuje žádný vnitřní uzel při jeho použití nemůže dojít „přetečení“ počítače ani při vyhodno­ cování voltampérové charakteristiky pro velká napětí. Zjednodušeně můžeme vyjádřit např. vztahem Z hlediska vlivu teploty dynamické vlastnosti diod dominantní teplotní závislost stykového napětí <Pvystupujícího (2. 44. Linearizovaný model pro malé signály, příslušný šumový model 71 . stejnosměrné chování diod dominantní vliv teplotní závislost jejich proudu nasycení.) jako u s0) Odpovídající náhradní obvod obr.48) klidovém kde Is0 Oje hodnota proudu nasycení činitele při teplotě £J0, Eg šířka zakázaného pásma' polovodiče, y teplotní exponent diody.47), kterou zpravidla linearizujeme vztahem kde <P0 stykové napětí při teplotě ,90, q0 teplotní součinitel stykového napětí. Vidíme, téměř ekvivalentní obvodu obr. Parametr gDQ představuje diferenciální vodivost diody (2. <p 0[i 0)] A A O I K a ) K b) Obr