|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Diplomová práce se zabývá návrhem a realizací obvodu potrebných pro sestavení vysílace DRM pro krátkovlnná radioamatérská pásma. Je popsán standard DRM a je upozorneno narozdíly mezi standardem pro rozhlasové vysílání a radioamatérské použití. Uveden je návrh vstupních audio obvodu, modulátoru, smešovace, místního generátoru, zesilovace a filtru. Použitý SSB modulátor je založen na fázové metode, casto nazývané Tayloeuv modulátor. Tento princip je podrobne rozebrán včetně odvozeného matematického popisu. Vysílač je možné rídit pomocí programu na pocítaci, komunikace probíhá pres sbernici USB. Vytvorení komunikace je v práci také popsáno.
Lze tedy
očekávat, výstupní výkon nebude tak vysoký, což vhodné, protože výstupní dolní
propusti jsou navrženy výkon W. Zesilovač zesílení přibližně zesílení odečteného grafu Obr. 12. 12. Zesilovač určen pro
krátkovlnné pásmo 1,8 MHz, při buzení signálem úrovni -13 dBm výstupní signál
dosahovat úrovně zesilovač tedy může být přiveden signál přímo bloku
pásmových propustí, kde, jak bylo uvedeno, úroveň signálu asi -15 dBm. 12. Zesilovač má
konektor pro napájecí napětí konektor pro přivedení předpětí tranzistory.2 Převzatý návrh výkonového zesilovače
Pro konečné zesílení signálu před přivedením svorky antény použit koncový výkonový
zesilovač. Zesilovač napájen 13,9 klidový proud přibližně
750 mA. První
stupeň zapojen jako zesilovač společným emitorem třídě Pomocí odporů emitoru
a impedance zátěže, kterou tvoří transformátor, nastaveno zesílení asi dB.
Obr. Impedance transformátoru 200 pak přenos
zesilovače log(200/33) dB. Tyto dva
konektory mohou být spojeny. Druhý stupeň tvoří dvojice unipolárních
tranzistorů. Pokud ale požadujeme výstupu výkon jak udává
dokumentace [53], tedy dBm, při buzení signálem úrovni -13 dBm potřebné zesílení
56 dB. Konstrukce zesilovače byla převzata [53], kde zapojení popsáno uveden
i návrh plošného spoje, který byl rovněž menšími úpravami převzat. vstupu zesilovače zařazen atenuátor, který zlepšuje impedanční
přizpůsobení vstupu zesilovače, jehož impedance mění závislosti kmitočtu.80
12. Zesilovač navržen jako třístupňový,
první stupeň řešen bipolárním tranzistorem, další dva stupně obsahují unipolární
tranzistory.5: Schéma zapojení převzatého výkonového zesilovače. Zisk tohoto stupně uváděn dB. Aby měl transformátor svém sekundáru zapojenou definovanou impedanci co
nejméně kapacitním charakterem, jsou elektrodám gate připojeny rezistory hodnotě
100 Druhým účelem připojení rezistorů přivedení stejnosměrného napětí gate
tranzistorů pro vytvoření předpětí. Tyto tranzistory (obecně FET) mají relativně vysokou vstupní kapacitu, přibližně
27 [59].5. Zesílení lze
zjednodušeně určit jako podíl impedance zapojené kolektoru tranzistoru odporů
připojených mezi emitor tranzistoru zem.
Z časových důvodů již nebyl tento zesilovač realizován, byla pouze zapůjčena již hotová
konstrukce pro ověření parametrů. Poslední výkonový
stupeň zapojen podobně jako druhý stupeň poskytuje zisk přibližně dB.
Zapojení zesilovače uvedeno Obr. 12.6.6 je
. grafu patrné, zesilovač pracuje celém potřebném kmitočtovém pásmu
s velmi malým zvlněním. Kmitočtová charakteristika zesilovače zobrazena na
Obr
