|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Diplomová práce se zabývá návrhem a realizací obvodu potrebných pro sestavení vysílace DRM pro krátkovlnná radioamatérská pásma. Je popsán standard DRM a je upozorneno narozdíly mezi standardem pro rozhlasové vysílání a radioamatérské použití. Uveden je návrh vstupních audio obvodu, modulátoru, smešovace, místního generátoru, zesilovace a filtru. Použitý SSB modulátor je založen na fázové metode, casto nazývané Tayloeuv modulátor. Tento princip je podrobne rozebrán včetně odvozeného matematického popisu. Vysílač je možné rídit pomocí programu na pocítaci, komunikace probíhá pres sbernici USB. Vytvorení komunikace je v práci také popsáno.
6 je
. Zesilovač napájen 13,9 klidový proud přibližně
750 mA. Tyto dva
konektory mohou být spojeny. Aby měl transformátor svém sekundáru zapojenou definovanou impedanci co
nejméně kapacitním charakterem, jsou elektrodám gate připojeny rezistory hodnotě
100 Druhým účelem připojení rezistorů přivedení stejnosměrného napětí gate
tranzistorů pro vytvoření předpětí. Pokud ale požadujeme výstupu výkon jak udává
dokumentace [53], tedy dBm, při buzení signálem úrovni -13 dBm potřebné zesílení
56 dB.
Obr. Tyto tranzistory (obecně FET) mají relativně vysokou vstupní kapacitu, přibližně
27 [59].6. Impedance transformátoru 200 pak přenos
zesilovače log(200/33) dB. grafu patrné, zesilovač pracuje celém potřebném kmitočtovém pásmu
s velmi malým zvlněním.2 Převzatý návrh výkonového zesilovače
Pro konečné zesílení signálu před přivedením svorky antény použit koncový výkonový
zesilovač. Zesilovač určen pro
krátkovlnné pásmo 1,8 MHz, při buzení signálem úrovni -13 dBm výstupní signál
dosahovat úrovně zesilovač tedy může být přiveden signál přímo bloku
pásmových propustí, kde, jak bylo uvedeno, úroveň signálu asi -15 dBm. 12. Zesílení lze
zjednodušeně určit jako podíl impedance zapojené kolektoru tranzistoru odporů
připojených mezi emitor tranzistoru zem. Lze tedy
očekávat, výstupní výkon nebude tak vysoký, což vhodné, protože výstupní dolní
propusti jsou navrženy výkon W. 12. Kmitočtová charakteristika zesilovače zobrazena na
Obr.80
12.
Z časových důvodů již nebyl tento zesilovač realizován, byla pouze zapůjčena již hotová
konstrukce pro ověření parametrů. 12.
Zapojení zesilovače uvedeno Obr.5: Schéma zapojení převzatého výkonového zesilovače. První
stupeň zapojen jako zesilovač společným emitorem třídě Pomocí odporů emitoru
a impedance zátěže, kterou tvoří transformátor, nastaveno zesílení asi dB. Zisk tohoto stupně uváděn dB. Druhý stupeň tvoří dvojice unipolárních
tranzistorů. vstupu zesilovače zařazen atenuátor, který zlepšuje impedanční
přizpůsobení vstupu zesilovače, jehož impedance mění závislosti kmitočtu. Poslední výkonový
stupeň zapojen podobně jako druhý stupeň poskytuje zisk přibližně dB.5. Zesilovač navržen jako třístupňový,
první stupeň řešen bipolárním tranzistorem, další dva stupně obsahují unipolární
tranzistory. 12. Zesilovač má
konektor pro napájecí napětí konektor pro přivedení předpětí tranzistory. Konstrukce zesilovače byla převzata [53], kde zapojení popsáno uveden
i návrh plošného spoje, který byl rovněž menšími úpravami převzat. Zesilovač zesílení přibližně zesílení odečteného grafu Obr
