|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Cílem této diplomové práce je zkonstruovat funkční vzorek vysokofrekvenčního zesilovače výkonu pro krátkovlnná radioamatérská pásma a změřit jeho základní parametry jako potřebný budící výkon, výstupní výkon, čistotu výstupního spektra a účinnost. Konstrukce je založena na výsledcích simulace chování modelu zesilovače získaných obvodovým simulátorem cadence™ OrCAD 16. Zesilovač by měl být později použit jako koncový stupeň pro malý radioamatérský transceiver.
Ztrátový výkon rezistoru byl vypočítán obvodovým
simulátorem balíku cadence™
OrCAD 16. Pro tuto
konstrukci byl zvolen mnohem jednodušší způsob stabilizace rezistorem umístěným
v sérii elektrodou source proti zemi. Stabilizace funguje prostě. menší než W.OPTIMALIZACE NÁVRHU REALIZACE
ZESILOVAČE
7. 7.1: Typická převodní charakteristika IRF640, převzato [13]
Většinou tento problém řeší třeba speciálním integrovaným obvodem snímají-
cím teplotu tranzistoru nastavujícím podle velikost napětí gate-source.
Jednoduchý princip funkce sebou nese složitý návrh velikosti rezistoru source-
zem. Pokud narůstá tep-
lota přechodu, zvyšuje tím proud drain-source, který ale zároveň zvyšuje úbytek
napětí rezistoru obvodu source-zem tím klesá napětí gate-source, tranzistor
se přivírá hodnota proudu drain-source klesá.
36
. Pro tento případ byla hodnota rezistoru nalezena empiricky rezervou 0,47 Ω.1 převzaté [13].
Rezistor pro budící vysokofrekvenční signál blokovaný empiricky nalezenou ka-
pacitou kondenzátoru nF. Nárůst teploty přechodu při odvodu ztrátového výkonu závisí výsledném
tepelném odporu chladícího systému přechodu převodní charakteristice tranzis-
toru.1 Lokální driftová záporná zpětná vazba
Lokální driftová záporná zpětná vazba slouží udržení tranzistoru nastaveném
klidovém pracovním bodu, který tendenci měnit kvůli narůstání proudu drain-
source při zvyšování teploty přechodu při konstantním napětí gate-source. Tento jev
je markantní pro spodní hodnoty napětí definujícího klidový pracovní bod patrný
z typické přenosové charakteristiky tranzistoru obrázku 7.
Obr
