Výkonový zesilovač pro krátkovlnné pásmo s inteligentním snímáním výkonu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této diplomové práce je zkonstruovat funkční vzorek vysokofrekvenčního zesilovače výkonu pro krátkovlnná radioamatérská pásma a změřit jeho základní parametry jako potřebný budící výkon, výstupní výkon, čistotu výstupního spektra a účinnost. Konstrukce je založena na výsledcích simulace chování modelu zesilovače získaných obvodovým simulátorem cadence™ OrCAD 16. Zesilovač by měl být později použit jako koncový stupeň pro malý radioamatérský transceiver.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Petr Zatloukal

Strana 33 z 75

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Výše vypočítaný výkon tedy zmí- něným chladičem možné odvést jednoho tranzistoru.1) kde odpor chladiče. V důsledku toho tak velký ztrátový výkon vedl reálném případě přehřátí a destrukci polovodičového přechodu tranzistoru. Rozměry jsou 120 x 275 tepelný odpor 0,7 °C/W. Provedení zhruba vidět sekci příloh na obrázku F. 6.ROZBOR VÝSLEDKŮ SIMULACE Tato kapitola zabývá ztotožněním výsledků simulace reality.1. V reálném případě lze tedy nechat tranzistor odvést menší ztrátový výkon. Chladič byl použit CHL37E firmy EZK. Při použití slídové izo- lační podložky tepelným odporem 𝜃SP ∘ C/W tepelný odpor 𝜃CS zhorší. ře- tězce vstupuje nenulový tepelný odpor přechod-pouzdro (měděná část pouzdra tran- zistoru), podle [13] Junction Case, 𝜃JC ∘ C/W nenulový tepelný odpor pouzdro-chladič, podle [13] Case Sink, 𝜃CS ∘ C/W. Maximální ztrátový výkon způsobující ohřátí přechodu tranzistoru na maximální dovolenou pracovní teplotu podle [13] 175 ∘ C rezervou bude uva- žováno pouze 150 °C) při uvažované teplotě okolí ∘ C potom P = 𝜃J 𝜃0 R 𝜃JC R′ 𝜃CS 𝜃S = 150 25 1 7 = 125 2, 5 = (6. Výpočet dokresluje schéma odvodu tepla tranzistoru na obrázku 6.2. Pozornost bude věnována zejména reálně odveditelnému ztrátovému výkonu tranzistorů doda- tečným montážním kapacitám. Výsledný odpor 𝜃CS může být nakonec odhadem asi 0,8 ∘ C/W. druhé verze zesilovače spojení pouzder tranzistorů chladičů 33 . Pomůže použití teplovodivé pasty nanesené mezi pouzdro slídovou podložku slí- dovou podložku chladič. Nebyly uvažovány tepelné od- pory cestě mezi polovodičovým přechodem přístrojovým chladičem tranzistoru. Tento ztrátový výkon pouzdra TO-220 podařilo první verze zesilovač od- vést při precizním kontaktu pouzdra chladiče, kterého bylo docíleno přítlačným mechanismem přes celé pouzdro tranzistoru.1 Ztrátový výkon tranzistorů Simulace první verze zesilovače byla postavena katalogovém údaji maximál- ního dovoleného ztrátového výkonu tranzistoru IRF640 150 který podle [13] teoreticky odveditelný při teplotě pouzdra ∘ C. Chladiče budou použity dva, pro každý tranzistor jeden