|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Cílem této diplomové práce je zkonstruovat funkční vzorek vysokofrekvenčního zesilovače výkonu pro krátkovlnná radioamatérská pásma a změřit jeho základní parametry jako potřebný budící výkon, výstupní výkon, čistotu výstupního spektra a účinnost. Konstrukce je založena na výsledcích simulace chování modelu zesilovače získaných obvodovým simulátorem cadence™ OrCAD 16. Zesilovač by měl být později použit jako koncový stupeň pro malý radioamatérský transceiver.
4 Budící výkon výkonový zisk
50 MHz verze potřebuje budící výkon verze G3YXM pro pásmo
40 pásmech 160 plného vybuzení dosaženo Tento velký nepo-
měr výkonovém zisku obou konstrukcí zapříčiněn největší pravděpodobností
tím, G3YXM hned vstupu zesilovače transformátor převodním poměrem
9:1 kvůli asi krát vyšší vstupní kapacitě než konstrukce OZ1PIF.
3.ROZBOR SOUČASNÝCH KONSTRUKCÍ
Návrh zesilovače prezentovaný této práci vychází konstrukcí dvou zesilovačů.3 Napájecí zdroj
Obě konstrukce jsou napájené lineárním zdrojem jmenovitým napětím okolo
40 G3YXM svých stránkách zesilovači totiž uvádí „zlaté pravidlo,“ mít
poměr maximálního dovoleného napětí drain-source použitého tranzistoru napětí
napájecího zdroje alespoň Jím použité tranzistory mají maximální povolené pra-
covní napětí 200 proto rezervou napájí svůj zesilovač zdrojem jmenovitým
napětím Výkon obou zdrojů mohl být něco kolem kW, při realistickém
odhadu účinnosti zesilovače %.
3. Oba pracují kvůli dobré
linearitě třídě AB.
19
.
3.2 Aktivní prvky
Oba radioamatéři používají svých zesilovačích tranzistory MOSFET.1 Typ zesilovačů
Obě konstrukce zesilovačů pracují zapojení společným source, využívají kvazi-
komplementární dvojici tranzistorů zapojení push-pull.
3. Rozdíl
je tom, MHz verze několik paralelně spojených tranzistorů IRF510
(dva bloky osmi tranzistorech) International Rectifier, kdežto konstrukce
G3YXM využívá jeden pár tranzistorů IXFH58N20 Ixys Semiconductor.
První, The 500 PA, Angličana G3YXM [11] druhá, MHz 500 IRF510
based Amplifier, Dána OZ1PIF [12]. to
proto, maximální teoretický ztrátový výkon tranzistoru IRF510 zatím
co IXFH58N20 zvládne teoreticky 300 W
