|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Cílem této diplomové práce je zkonstruovat funkční vzorek vysokofrekvenčního zesilovače výkonu pro krátkovlnná radioamatérská pásma a změřit jeho základní parametry jako potřebný budící výkon, výstupní výkon, čistotu výstupního spektra a účinnost. Konstrukce je založena na výsledcích simulace chování modelu zesilovače získaných obvodovým simulátorem cadence™ OrCAD 16. Zesilovač by měl být později použit jako koncový stupeň pro malý radioamatérský transceiver.
úzkém pásmu kmitočtů.4 Vhodnost použití pracovních tříd zesilovačů
Kvůli relativně nízké účinnosti zesilovače třídě používají pro nízkovýko-
nové zesilovací stupně pro zpracování signálu např. dnešní době ale existují aplikace, kterých jsou elektronky
nenahraditelné.Požadavky výstupní filtr jsou základním důvodem, proč všechny zesilovače
nedělají těchto pracovních třídách. Kombinuje relativně vysokou
účinnost třídy nízkým zkreslením přenášeného signálu třídy Prakticky jde
potom zesilovač nejčastěji kvazi-komplementární dvojicí aktivních prvků, které
mají svůj klidový pracovní bod nastaven počátku lineární části svojí převodní
charakteristiky.
2.3 Smíšené pracovní třídy
U reálných konstrukcí zesilovačů většinou využívá smíšených pracovních tříd
kombinujících výhody pracovních tříd dílčích.
Ostatní třídy uplatňují díky své vyšší účinnosti jako zesilovače výkonu.5 Aktivní prvky zesilovačů
Aktivními prvky zesilovačů výkonu myslí prvky, které jsou schopny zesilovat
napětí proud.
2. Jde podle [1] zejména rozhlasové televizní vysílače velkého vý-
konu. vstupních obvodech přijímače. Nejlepším snad nejpoužívaněj-
ším příkladem smíšené pracovní třídy třída AB. Realizace filtru dobrým potlačením nechtě-
ných harmonických složek výstupního signálu zároveň velká šířka pásma takového
filtru např. Ně-
kdy používá technika přepínání filtrů pro jednotlivá pod-pásma, nicméně složitostí
a náročností takové banky filtrů prvotní nadšení vysoké účinnosti velice rychle
ztrácí.
2. dřívější době byly zejména elektronky, dnes stále více uplat-
ňují tranzistory. Kvůli jejich vysoké
účinnosti montují mobilních zařízení, která jsou často napájena baterií.
17
. pro pokrytí celého pásma kmitočtů jsou protichůdnými parametry. Tato práce zaměřuje použití polem řízených tranzistorů MOSFET (Me-
tal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor). Použití takových zesilovačů pak výhodou uplatňuje zesilovačů pra-
cujících jednom kmitočtu, popř
