Tato diplomová práce se zabývá studiem a popisem vybraných vysokofrekvenčních obvodů používaných v přijímací technice. Práce se dále zaměřuje na návrh těchto obvodů a jejich simulaci v programu Ansoft Designer. Důraz při návrhu je kladen víceméně shodný s požadavky na klasickou přijímací techniku, avšak s malými rozdíly. V této práci je poměrně podrobně prezentován popis návrhu vysokofrekvenčního zesilovače a jeho optimalizace z hlediska šumových parametrů. Dále práce obsahuje návrhy kmitočtových násobičů.
Strana 40 z 93
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
2.72
NF[dB] 0. Nejlepˇs´ıch v´ysledk˚u bylo dosaˇzeno tvorbou mal´e plan´arn´ı c´ıvky ve
formˇe podkovy, kter´a ˇsumov´e ˇc´ıslo zvedla 0. byl prov´adˇen z´akladˇe nab´ıdky firem Electro-
nics GES.13 (pˇrevzato [12]).12.74 dB
Veˇsker´e parametry v´yˇse popisovan´eho smˇeˇsovaˇce jsou uvedeny pro 400 MHz
a 430 MHz. 2.63
• PSV br´anˇe 3.6) jednou tˇechto kritick´ych
souˇc´astek.4 V´ybˇer re´aln´ych komponent
Prvn´ı stupeˇn kritick´ym m´ıstem pohledu ˇsumov´eho ˇc´ısla cel´eho zesilovaˇce proto
hlavnˇe zde tˇreba v´ybˇer komponent prov´adˇet obezˇretnˇe. D´ale byl upraven model p´asmov´e propusti Helix filtru tak, aby vˇernˇeji
simuloval chov´an´ı re´aln´eho filtru vyr´abˇen´eho firmou Neosid. D´ale byly str´ank´ach firmy
Mini-Circuits z´ısk´any parametry tohoto smˇeˇsovaˇce, kter´e moˇzn´e nal´ezt [13].2. 2. 2. Kondenz´atory byly mo-
delov´any ide´aln´ımi kondenz´atory ztr´atov´ym ˇcinitelem tg(δ) c´ıvky ide´aln´ımi
induktory ztr´atov´ym ˇcinitelem.7: Parametry simulovan´e modely re´aln´ych souˇc´astek
s11[dB] -7. Jeho
pouˇzit´ı v´yrobce ud´av´a p´asmu 200–3000 MHz. Pˇri pokusu vloˇzit zde neide´aln´ı c´ıvku ˇsumov´e ˇc´ıslo velmi zvyˇsovalo,
coˇz neˇz´adouc´ı. Jedn´a obvod dvojitˇe vyv´aˇzen´eho
smˇeˇsovaˇce jeho vnitˇrn´ı zapojen´ı moˇzn´e vidˇet obr.02 dB.7.94 dB
• Vstupn´ı v´ykon br´anˇe pro bod 1dB komprese dBm
• PSV br´anˇe 1.55 dB
• Izolace mezi branami LO–IF 22. Ide´aln´ı c´ıvka zaˇrazen´a na
elektrodu Gate tranzistoru ATF-54143 (sch´ema obr.04
s21[dB] 30. 2.
Tab.5 V´ybˇer simulace smˇeˇsovaˇce
Z velk´eho spektra vyr´abˇen´ych smˇeˇsovaˇc˚u, byl vedouc´ım pr´ace doporuˇcen smˇeˇsovaˇc
RMS-30, kter´y vyr´abˇen firmou Mini-Circuits.
Na kmitoˇctu bylo zaveden´ım souˇc´astek z´akladn´ımi parazitn´ımi veliˇcinami
dosaˇzeno v´ysledk˚u, kter´e jsou uvedeny tab.
30
. V´ybˇer dalˇs´ıch komponent jako
jsou vazebn´ı kondenz´atory atd. Injekce br´anˇe dBm. Vlastnosti obvodu podle oˇcek´av´an´ı zhorˇsily. Jeho z´akladn´ı parametry jsou:
• Konverzn´ı ztr´aty 4.34
• Izolace mezi branami LO–RF 45.30
2.
V´ysledn´e s-parametry zesilovaˇce modely re´aln´ych souˇc´astek uveden obr
