|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Tato diplomová práce se zabývá studiem a popisem vybraných vysokofrekvenčních obvodů používaných v přijímací technice. Práce se dále zaměřuje na návrh těchto obvodů a jejich simulaci v programu Ansoft Designer. Důraz při návrhu je kladen víceméně shodný s požadavky na klasickou přijímací techniku, avšak s malými rozdíly. V této práci je poměrně podrobně prezentován popis návrhu vysokofrekvenčního zesilovače a jeho optimalizace z hlediska šumových parametrů. Dále práce obsahuje návrhy kmitočtových násobičů.
N´aslednˇe tomto n´avrhu nutn´e stejnosmˇernˇe oddˇelit vstup v´ystup zesi-
lovaˇce, aby stejnosmˇern´y sign´al nebyl jin´ymi obvody zkratov´an nebo aby jin´e obvody
nepoˇskodil.4)
22
.kter´a bude m´ıt pracovn´ım kmitoˇctu vysokou impedanci. Velikost odporu byla zvolena aby byly dodrˇzeny impe-
danˇcn´ı pomˇery. Zaˇrazen´ı tohoto odporu souladu katalogov´ym listem[4], kde je
v´yrobci pro aplikace doporuˇcov´an. Tento obvod byl pˇripojen elektrodˇe Gate
a konkr´etnˇe bodu nejniˇzˇs´ı impedance.2)
Tento obvod zajist´ı potlaˇcen´ı sign´alu pracovn´ı frekvenci.1)
Velikost c´ıvky byla zvolena z´akladˇe [6], kde uveden n´avrh podobn´eho zesi-
lovaˇce.6746 (2. Velikost kondenz´atoru byla zvolena nˇeco vyˇsˇs´ı, neˇz kondenz´ator
uveden´y v´yˇse. tomto pˇr´ıpadˇe nF. Cel´y ze-
silovaˇc bude nap´ajen stabilizovan´ym napˇet´ım Velikost rezistoru pˇripojen´eho
k elektrodˇe Drain tedy
Rc =
UCC UDS
Id
=
5 3
0.0167 (2. Aby byly potlaˇceny vy-
sokofrekvenˇcn´ı sign´aly jin´ych kmitoˇct˚u, zde kask´adˇe zapojena jeˇstˇe doln´ı propust
tvoˇren´a ˇcl´ankem.06
= 33.3 (2.
D´ale bylo pˇristoupeno n´avrhu obvod˚u pro elektrodu Drain. Tento proud jinak mohl dan´y tranzis-
tor poˇskodit. t´eto elektrodˇe je
prakticky shodn´y sign´al, jako elektrodˇe Gate, jen zes´ılen. tomuto ´uˇcelu byly cesty sign´alu vstupu zesilovaˇce v´ystupu
zaˇrazeny kondenz´atory kapacitˇe 220 pF, kter´e maj´ı pracovn´ım kmitoˇctu reak-
tanci
XC =
1
2πf C
=
1
2π 432 106 220 10−12
= 1. Zvolena byla c´ıvka in-
dukˇcnosti 220 nH, kter´y m´a kmitoˇctu 432 MHz reaktanci
XL 2πf 432 106
· 220 10−
9 597 (2. Aby bylo potlaˇcen´ı pracovn´ı frekvence dostateˇcnˇe ´uˇcinn´e, byla c´ıvka vy-
sokofrekvenˇcnˇe zkratov´ana kondenz´atorem kapacitˇe nF, kter´a m´a stejn´em
kmitoˇctu reaktanci
XC =
1
2πf C
=
1
2π 432 106 10−9
= 0. D´ale byl jeˇstˇe tohoto obvodu zapojen
rezistor hodnotˇe kΩ, kter´y m´a ´ukol omezit proud tekouc´ı elektrody Gate
v pˇr´ıpadˇe vysok´eho vybuzen´ı tranzistoru. tedy moˇzn´e pouˇz´ıt
velmi podobn´y obvod zde.3)
S vyuˇzit´ım jiˇz zapojen´eho rezistoru tˇreba rezistor jen 6.3 Tato hodnota
vˇsak bude n´asleduj´ıc´ı ˇc´asti definov´ana pˇresnˇeji. d˚uvodu, aby nejm´enˇe ovlivˇnoval
sign´al pracovn´ı frekvenci, protoˇze tento obvod m´a pomˇernˇe velkou impedanci
ve srovn´an´ı Odsimulov´an´ım obvodu bylo ovˇeˇreno, ˇze pracovn´ıch frek-
venc´ıch pˇridan´y obvod nem´a t´emˇeˇr vliv. Protoˇze byl zvolen pracovn´ı bod tranzistoru UDS V
a mA, tˇreba vyˇradit rezistor zbyl´y rezistor pˇrepoˇc´ıtat
