|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Tato diplomová práce se zabývá studiem a popisem vybraných vysokofrekvenčních obvodů používaných v přijímací technice. Práce se dále zaměřuje na návrh těchto obvodů a jejich simulaci v programu Ansoft Designer. Důraz při návrhu je kladen víceméně shodný s požadavky na klasickou přijímací techniku, avšak s malými rozdíly. V této práci je poměrně podrobně prezentován popis návrhu vysokofrekvenčního zesilovače a jeho optimalizace z hlediska šumových parametrů. Dále práce obsahuje návrhy kmitočtových násobičů.
Tato zpˇetn´a vazba tvoˇrena dvˇema identick´ymi c´ıvkami
(z d˚uvod˚u dvakr´at vyveden´e elektrody Source). Tyto rozmˇery byly
upraveny pomoc´ı Ansoft Designeru hodnoty vhodn´e vzhledem pouˇz´ıvan´ym frek-
venc´ım tomto projektu. 2. kruˇznice stability pro vstupn´ı
a v´ystupn´ı rovinu. vˇsak ˇcasto nen´ı nutn´e. Simulace byla provedena pro
kmitoˇcty 100 MHz aˇz GHz. moˇzn´e zjistit pr˚ubˇehu parametr˚u, konkr´etnˇe tˇreba
se zamˇeˇrit s11 s22. tomto
pˇr´ıpadˇe bude vyˇsetˇrov´ana stabilita pomoc´ı kˇrivek stability zobrazen´ych Smithovˇe
diagramu. Pro vyˇsetˇren´ı stability je
moˇzn´e pouˇz´ıt Rolletovo krit´erium, jehoˇz hodnota mus´ı b´yt pro absolutnˇe stabiln´ı ze-
silovaˇc vˇetˇs´ı neˇz ˇsirok´em kmitoˇctov´em p´asmu.2. [5]. Oblast impedanc´ı, kter´e zp˚usob´ı nestabiln´ı stav zesilovaˇce moˇzn´e vyˇsetˇrit
pomoc´ı Smithova diagramu, kter´eho zakresl´ı tzv.3, patrn´e, ˇze nestabiln´ı
oblast zesilovaˇce zhruba 380 MHz 430 MHz. Nem´a tedy stejnosmˇern´e pomˇery
ˇz´adn´y vliv.1 mm.
Z d˚uvodu stability byl tedy obvodu elektrody Drain zaˇrazen pod´eln´y rezistor
o velikosti simulaci toto opatˇren´ı vˇsak nebylo dostateˇcn´e. Dalˇs´ı moˇznost´ı
je zaˇrazen´ı mal´e z´aporn´e zpˇetn´e vazby obvody elektrody Source. 2. simulac´ı, jejichˇz v´ysledek uveden obr. To
18
. V´ysledkem simulace jsou parametry t´eto kask´ady. ˇsirok´em rozmez´ı kmitoˇct˚u nemˇeli pˇres´ahnout hod-
notu dB. Tyto kruˇznice urˇcuj´ı rozhran´ı mezi stabiln´ım potenci´alnˇe ne-
stabiln´ım stavem. Tyto c´ıvky budou realizov´any plan´arnˇe. Jejich rozmˇery byly pˇrevzaty
z [5], kde vyuˇzit jin´y tranzistor GaAs, avˇsak princip nezmˇen´ı. V´ysledn´a ˇs´ıˇrka d´elka kaˇzd´e obou c´ıvek 0. 2. Pro tento ´uˇcel nutn´e nejprve zjistit oblast kmitoˇct˚u, kde tranzistor
chov´a nestandardnˇe. Tato moˇznost
byla ovˇeˇrena napˇr.Obr. uveden´em obr´azku uvedena pouze ˇc´ast v´ysledk˚u,
kter´a ale podstatn´a. Stabiln´ı jsou vˇzdy impedance bud’ uvnitˇr nebo vnˇe kruˇznice.5 resp.2: Sch´ema pro vyˇsetˇren´ı stability
Vyˇsetˇren´ı stability zesilovaˇce
Pro vyˇsetˇren´ı stability zesilovaˇce bylo vych´azeno schematu, kter´e zobrazeno na
obr.
3. Zde jsou uvedeny pouze vstupn´ı v´ystupn´ı port, tranzistor simulovan´y
filtr
