Vstupní část kvadraturního přijímače pro pásmo UHF

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Tato diplomová práce se zabývá studiem a popisem vybraných vysokofrekvenčních obvodů používaných v přijímací technice. Práce se dále zaměřuje na návrh těchto obvodů a jejich simulaci v programu Ansoft Designer. Důraz při návrhu je kladen víceméně shodný s požadavky na klasickou přijímací techniku, avšak s malými rozdíly. V této práci je poměrně podrobně prezentován popis návrhu vysokofrekvenčního zesilovače a jeho optimalizace z hlediska šumových parametrů. Dále práce obsahuje návrhy kmitočtových násobičů.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Jakub Tiller

Strana 28 z 93

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Tyto c´ıvky budou realizov´any plan´arnˇe. 2. To 18 . V´ysledkem simulace jsou parametry t´eto kask´ady. Jejich rozmˇery byly pˇrevzaty z [5], kde vyuˇzit jin´y tranzistor GaAs, avˇsak princip nezmˇen´ı. Simulace byla provedena pro kmitoˇcty 100 MHz aˇz GHz.2: Sch´ema pro vyˇsetˇren´ı stability Vyˇsetˇren´ı stability zesilovaˇce Pro vyˇsetˇren´ı stability zesilovaˇce bylo vych´azeno schematu, kter´e zobrazeno na obr. 2. kruˇznice stability pro vstupn´ı a v´ystupn´ı rovinu. Pro tento ´uˇcel nutn´e nejprve zjistit oblast kmitoˇct˚u, kde tranzistor chov´a nestandardnˇe. tomto pˇr´ıpadˇe bude vyˇsetˇrov´ana stabilita pomoc´ı kˇrivek stability zobrazen´ych Smithovˇe diagramu. Oblast impedanc´ı, kter´e zp˚usob´ı nestabiln´ı stav zesilovaˇce moˇzn´e vyˇsetˇrit pomoc´ı Smithova diagramu, kter´eho zakresl´ı tzv. simulac´ı, jejichˇz v´ysledek uveden obr. Stabiln´ı jsou vˇzdy impedance bud’ uvnitˇr nebo vnˇe kruˇznice. Dalˇs´ı moˇznost´ı je zaˇrazen´ı mal´e z´aporn´e zpˇetn´e vazby obvody elektrody Source.3, patrn´e, ˇze nestabiln´ı oblast zesilovaˇce zhruba 380 MHz 430 MHz. ˇsirok´em rozmez´ı kmitoˇct˚u nemˇeli pˇres´ahnout hod- notu dB.5 resp. moˇzn´e zjistit pr˚ubˇehu parametr˚u, konkr´etnˇe tˇreba se zamˇeˇrit s11 s22. 2. Tyto rozmˇery byly upraveny pomoc´ı Ansoft Designeru hodnoty vhodn´e vzhledem pouˇz´ıvan´ym frek- venc´ım tomto projektu. Tato moˇznost byla ovˇeˇrena napˇr. Pro vyˇsetˇren´ı stability je moˇzn´e pouˇz´ıt Rolletovo krit´erium, jehoˇz hodnota mus´ı b´yt pro absolutnˇe stabiln´ı ze- silovaˇc vˇetˇs´ı neˇz ˇsirok´em kmitoˇctov´em p´asmu.2.1 mm. Tyto kruˇznice urˇcuj´ı rozhran´ı mezi stabiln´ım potenci´alnˇe ne- stabiln´ım stavem. Z d˚uvodu stability byl tedy obvodu elektrody Drain zaˇrazen pod´eln´y rezistor o velikosti simulaci toto opatˇren´ı vˇsak nebylo dostateˇcn´e.Obr. Zde jsou uvedeny pouze vstupn´ı v´ystupn´ı port, tranzistor simulovan´y filtr. V´ysledn´a ˇs´ıˇrka d´elka kaˇzd´e obou c´ıvek 0. uveden´em obr´azku uvedena pouze ˇc´ast v´ysledk˚u, kter´a ale podstatn´a. 3. vˇsak ˇcasto nen´ı nutn´e. Nem´a tedy stejnosmˇern´e pomˇery ˇz´adn´y vliv. Tato zpˇetn´a vazba tvoˇrena dvˇema identick´ymi c´ıvkami (z d˚uvod˚u dvakr´at vyveden´e elektrody Source). [5]