V knize A. Beiser „Perspectives of Modem Physics“, jejíž překlad pod názvem „Úvod do moderní fyziky“ je předkládán českému čtenáři, je uplatněno spíše druhé hledisko (i když výklad začíná speciální teorií relativity). Zde by bylo možno se podivit disonanci, že anglické slovo „perspectives“ je přeloženo jako „úvod“. Slovo perspektiva, alespoň v češtině, nezdá se plně vystihovat skutečný obsah díla a zatímco v angličtině knih podobného obsahu jako kniha Beiserova vyšla celá řada a názvy mnohých z nich začínají slovem „Introduction“, tj. „Úvod“, v češtině takových knih máme poskrovnu, jsou-li vůbec k dispozici. Ve prospěch tohoto volnějšího překladu (jednoho slova) svědčí nakonec i autorova předmluva, v níž jsou jasně vyloženy jak jeho přístup k celé látce a jejímu výběru, tak i pojetí výkladu po stránce metodické. Z těchto Beiserových řádků je zřejmé, že jde o úvodní učebnici, nechceme-li se dovolávat přímo vlastního obsahu knihy.
20. obr. Druhá část obrázku ukazuje,
jak potenciální energie díry mění krystalu. této situaci, která nazývá
zapojení závěrném směru, rozdíl potenciální energie napříč přechodu pro díru
větší než případě a), což brání průchodu rekombinačního proudu ir, aniž to
ovlivnilo znatelně ig. obrázku působí podél krystalu
napětí, koncem krystalu záporným kladným.8c
je zapojení propustném směru, kde konec krystalu kladný záporný. 20.
_ elektrony díry
rekombinujf přechodu
vznik
nových děr
1 o—
~ *
■ ®
o o
O— o
Z 5.8a. Vlastnosti proudu elektronů odpovídají přesně vlastnostem proudu
děr, znaménko, takže při zapojení závěrném směru prochází několik málo
elektronů oblasti oblasti kdežto při zapojení propustném směru může
vysoká hustota elektronů překonat potenciálovou přehradu doplňovat děrový
proud opačném směru, což vede velkému výslednému elektrickému proudu.8 Princip činnosti polovodičového usměrňovače.
483
.
Přechod p-n tak působí jako usměrňovač.< O
U LU
o Z
Q_ LU
+-
další nové
elektrony
V T
(c) zapojeni propustném ru
Obr. Hranice obráceného děrového proudu tedy iu.
_i
. Nyní
je difúze děr přechodem oblasti krystalu zvýšena roste exponenciálně pů
sobícím napětím.2
mají energii dostateqiou difúzi oblasti oblasti kde rekombinují vodi-
vostními elektrony, kdežto tepelné fluktuace vedou současně samovolnému vzniku
děr oblasti které procházejí difúzí přes přechod oblasti rovnováze jsou
si oba tyto proudy rovny, jak ukazuje obr.20. 20. moderních elektronických obvodech
se široce používají též složitější polovodičové prvky, zejména tranzistory
