Systém přizpůsobení zátěže převodníku energie

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Tato diplomová práce se zabývá získáváním elektrické energie z energie mechanické. Mechanickou energie může být přeměněna na elektrickou pomocí vibračního mikrogenerátoru. Je zde také pojednáno o získávání energie z různých obnovitelných zdrojů. Byly určeny podmínky pro účinné získávání zbytkové energie. Pro splnění podmínek je nutno použít obvod pro přizpůsobení zátěže k převodníku energie. Byly navrženy 4 varianty obvodu, které byly simuloványv programech PSpice nebo LTspice. Navržen byl systém korekce účiníku řízeného obvodem z diskrétních součástek a řízené mikrokotrolérem. Pro jednu z variant byl použit i specializovaný obvod. Navržené obvody byly realizovány a měřením byly ověřeny jejich vlastnosti.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Petr Halama

Strana 43 z 68

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
.33 5 PRAKTICKÁ REALIZACE OBVODŮ 5. Dále zde budeme potřebovat rychlé Schotkyho diody, integrované obvody nejmenším proudovým odběrem také feritové cívky. ns [24] Maximální závěrné napětí V Napětí prop. Součástky byly vybrány ohledem jejich parametry, které měly vést nízkým ztrátovým výkonům tím vyšší celkové účinnosti obvodu.Hlavním důvodem ale fakt, při vyšších kmitočtech vycházejí menší potřebné hodnoty indukčnosti použitých cívek.1 Výběr vhodných součástek V těchto obvodech používají řídící spínací výkonové prvky (tranzistory MOS). Seznam použitelných součástek pro tyto obvody uveden následující Tabulka 6. odběr 0,2mA 1MHz, 1,8V [20] Proudový odběr 12uA bez zátěže Napájecí napětí 2,7 VTS861AILT Napěťový komparátor Rozsah vstupního napětí -0,3 12,3 V [21] Resistorem nastavitelné zesílení Šířka pásma 400 kHzINA170EA Proudový snímač Obousměrné snímání proudů [22] Statický odpor při sepnutí 0,5 ohmů Vstupní kapacita pFBSH103 Tranzistor MOSFET Náběžná sestupná hrana max. 3,5 ns [23] Statický odpor při sepnutí 0,2 ohmů Vstupní kapacita 145 pFNDS351AN Tranzistor MOSFET Náběžná sestupná hrana max. Zvolíme-li výchozí hodnoty jako vstupní napětí amplitudou Uvst= V, požadované stejnosměrné výstupní napětí Uvýst pracovní kmitočet fc= 100 kHz a zvlnění proudu simulace mA. směru 210 mV, 100 280 mVPMEG2005 Schotkyho dioda Maximální propustný proud 500 mA [25] Maximální závěrné napětí V Napětí prop. odběr 0,4mA 1MHz, 1,8V [19] ATTINY20 mikrokontrolér Proud. Obvyklý provozní kmitočet 100 200 kHz. Je to proto, aby nebylo slyšet pískání. směru 300 mV, 100 420 mV BAT721 / 1PS76SB21 Schotkyho dioda Maximální propustný proud 200 mA [26] Šířka pásma 150 kHz Proudový odběr 1,2uAMAX417 Operační zesilovač Napájecí napětí 2,5 V [27] Důležitou součástkou cívka její indukčnost Pro její výpočet musíme znát střídu spínání pracovní frekvenci fc, zvlnění vstupního proudu velikost vstupního napětí Uvst. Činnost těchto součástek odehrává kmitočtech vyšších než kHz. Tabulka Seznam použitelných součástek Součástka Popis Vlastnosti Literatura ATmega1284P mikrokontrolér Proud