Stručné dějiny oboru elektrotechika

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Tato publikace věnovaná dějinám elektrotechniky je součástí řady STRUČNÉ DĚJINY OBORU. Poskytuje základní přehled dějin oboru, který lze využít pro rozšíření poznatků o naší i světové historii, tentokrát z pohledu technického a přírodovědného. Stručné dějiny elektrotechniky jsou určeny také všem studentům, učitelům i široké veřejnosti, jež se tímto a příbuznými obory zabývá-k obohacení jejich specializace o dimenzi cest hledání, o osudy vynálezců, výzkumných pracovišť a jejich objevů v minulosti i s výhledem do doby budoucí.

Vydal: Scientia, spol. s r. o., pedagogické nakladatelství, Praha Autor: Daniel Mayer

Strana 34 z 40

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
mikroobvody, které liší tím, většina sou­ částek vytváří přímo skleněných nebo keramických destičkách. Lze tak docílit elektrické vodivosti dvo­ jího typu: při nedostatku volných elektronů vznikají ve struktuře polovodiče kladné díry hovoříme vodivosti ty­ pu Je-li elektronů přebytek, jde vodivost typu N. Naproti tomu však myšlenka obje­ vení polovodičové triody nebyla nová. Destičky mohou být samostatné nebo umís­ ťují nad sebou vedle sebe. Modulem např. deskách jsou součástky uspořá­ dány vedle sebe nevodivé straně otvory v desce procházejí přívody, které připájejí na vodivé straně desky příslušnému vodiči. suchým usměrňovačem selenu. rozšíření 34 . Velmi silná miniaturizace —ho­ voříme mikrominiaturizaci —umožnila vyba­ vovat elektronickými přístroji umělé družice Země byla též plně využita při vývoji počíta­ čů.taktu. Proto zde jen poznamenejme, základním mate­ riálem bývá křemík nebo germanium, nimž jsou nepa­ trném množství přidány vhodné nečistoty (např. Tranzistorový efekt projevuje přechodech vrstev tvořených oběma typy vodivosti. let; -integrace, označované jako VLSI (obsahují až tisíce prvků), vyráběly 80. Objev tranzistoru měl dalekosáhlé důsled­ ky. Použili tomu sondu, jež měla tvar dal­ šího hrotu.3) Vidíme, hustota integrace vzrůstá velmi rychle, přibližně exponenciálně. Tranzistory krátké době vytlačily elek­ tronky většiny oborů sdělovací elektrotechni­ ky elektroniky. hliník, béryllium nebo bór). let; -integrované obvody střední hustotou integrace, označované jako MSL (obsahují více než prvků), byly vyráběny polovině 60. Integrované obvody též výrazně přispěly k úspěchům kosmického výzkumu, speciálně v programu Apollo umožnily vytvořit řídicí systémy pro let člověka Měsíc. Byl intuitivně očekáván objev polovodičového prvku, který byl analogický triodě. letech; - integrované obvody mimořádně velkou hus­ totou integrace, označují jako ULSI, pochá­ zejí 90. Příliš se nerozšířil, protože krátkou dobu led­ nu 1948 vytvořil Shockley podstatně dokona­ lejší typ tranzistoru (nazvaný plošným tranzis­ torem); menší šum, snáze vyrábí je stabilnější. Tranzistory tak mohou být typu NPN nebo PNP.3 Integrované obvody základ nových informačních technologií Integrované obvody jsou polovodičové mikro- struktury obsahující obvodové prvky (tj.), sdruže­ né jedné základní polovodičové destičce (na tzv. Výrobci uživatelé elektronických zařízení si záhy uvědomovali, kromě výrazného zmenšení objemu přináší miniaturizace další velké výhody, zejména snížení příkonu, sníže­ ní ceny, zvýšení provozní rychlosti zvětšení spolehlivosti. Moduly malých rozměrů nazývají mikromo- duly. let; -integrované obvody velkou hustotou integ­ race, označení LSI (obsahují stovky prvků) a pocházejí počátku 70. letech byla známá analogie mezi vakuovou diodou tzv. Fyzikální vysvětlení působení tranzistoru dosti ná­ ročné. diody, tyristory, odpory, kondenzátory apod. čipu), nebo uvnitř této destičky. Vodivé vrst­ vy jsou tvořeny měděnými fóliemi tloušťce 30 až um. Moorův zákon: Hustota integrova­ ného obvodu zdvojnásobí každých měsí­ ců, neboli zčtyřnásobí každé tři roky. Již ve 30. 7. Podle množství obvodových prvků umístěných či­ pu rozlišujeme: -integrované obvody malou hustotou integ­ race, označují zkratkami SSI (obsahují nej­ výše prvků), byly vyráběny počátkem 60. let. mikromodulů třeba odlišovat tzv. Další etapou této cestě byl vynález integrovaných obvodů. Navzájem propojené spojené součástky se začaly soustřeďovat větších celků zvaných moduly neboli funkční bloky. Hrotový tranzistor byl objeven prosinci 1949. Zavádění tranzistorů vedlo novým tech­ nologiím obvodů: dříve jednotlivé prvky spo­ jovaly měděnými drátky, které cínovou páj­ kou spojovaly svorkami prvků, kdežto le­ tech 1950 -1960 byla zavedena technika tiště­ ných spojů. Tyto úva­ hy mají význam pro ekonomiku polovodičového průmyslu. Používají tomu různé technologie. Zprvu byly tranzistory vyráběny z krystalu germania, později začal těž pou­ žívat křemík. Tento růst vy­ jadřuje tzv. Zpočátku byla hlavními odběrateli integrovaných obvodů vojenská zařízení, letec­ ká zařízení automatizace výrobních procesů. celý zesilovač, oscilátor, multivibrátor apod. vytvářely leptáním kovo­ vých vrstvách laminátových desek. Tranzistory přinesly novou kvalitu: svou malou hmotností malými roz­ měry umožnily miniaturizaci elektronických zařízení svou vysokou spolehlivostí umožnily realizovat velmi složité obvody nízkou poru­ chovostí