Stručné dějiny oboru elektrotechika

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Tato publikace věnovaná dějinám elektrotechniky je součástí řady STRUČNÉ DĚJINY OBORU. Poskytuje základní přehled dějin oboru, který lze využít pro rozšíření poznatků o naší i světové historii, tentokrát z pohledu technického a přírodovědného. Stručné dějiny elektrotechniky jsou určeny také všem studentům, učitelům i široké veřejnosti, jež se tímto a příbuznými obory zabývá-k obohacení jejich specializace o dimenzi cest hledání, o osudy vynálezců, výzkumných pracovišť a jejich objevů v minulosti i s výhledem do doby budoucí.

Vydal: Scientia, spol. s r. o., pedagogické nakladatelství, Praha Autor: Daniel Mayer

Strana 34 z 40

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Integrované obvody též výrazně přispěly k úspěchům kosmického výzkumu, speciálně v programu Apollo umožnily vytvořit řídicí systémy pro let člověka Měsíc. letech; - integrované obvody mimořádně velkou hus­ totou integrace, označují jako ULSI, pochá­ zejí 90. letech byla známá analogie mezi vakuovou diodou tzv. Moorův zákon: Hustota integrova­ ného obvodu zdvojnásobí každých měsí­ ců, neboli zčtyřnásobí každé tři roky. čipu), nebo uvnitř této destičky.3 Integrované obvody základ nových informačních technologií Integrované obvody jsou polovodičové mikro- struktury obsahující obvodové prvky (tj. Tyto úva­ hy mají význam pro ekonomiku polovodičového průmyslu. Výrobci uživatelé elektronických zařízení si záhy uvědomovali, kromě výrazného zmenšení objemu přináší miniaturizace další velké výhody, zejména snížení příkonu, sníže­ ní ceny, zvýšení provozní rychlosti zvětšení spolehlivosti. Tranzistorový efekt projevuje přechodech vrstev tvořených oběma typy vodivosti. Vodivé vrst­ vy jsou tvořeny měděnými fóliemi tloušťce 30 až um. hliník, béryllium nebo bór). vytvářely leptáním kovo­ vých vrstvách laminátových desek. Hrotový tranzistor byl objeven prosinci 1949. mikromodulů třeba odlišovat tzv. let. Podle množství obvodových prvků umístěných či­ pu rozlišujeme: -integrované obvody malou hustotou integ­ race, označují zkratkami SSI (obsahují nej­ výše prvků), byly vyráběny počátkem 60. Destičky mohou být samostatné nebo umís­ ťují nad sebou vedle sebe. let; -integrace, označované jako VLSI (obsahují až tisíce prvků), vyráběly 80. let; -integrované obvody velkou hustotou integ­ race, označení LSI (obsahují stovky prvků) a pocházejí počátku 70. Již ve 30. Objev tranzistoru měl dalekosáhlé důsled­ ky. Použili tomu sondu, jež měla tvar dal­ šího hrotu. Velmi silná miniaturizace —ho­ voříme mikrominiaturizaci —umožnila vyba­ vovat elektronickými přístroji umělé družice Země byla též plně využita při vývoji počíta­ čů. Moduly malých rozměrů nazývají mikromo- duly. Tranzistory tak mohou být typu NPN nebo PNP. Zprvu byly tranzistory vyráběny z krystalu germania, později začal těž pou­ žívat křemík. Tranzistory krátké době vytlačily elek­ tronky většiny oborů sdělovací elektrotechni­ ky elektroniky. Tento růst vy­ jadřuje tzv. diody, tyristory, odpory, kondenzátory apod. Modulem např. Příliš se nerozšířil, protože krátkou dobu led­ nu 1948 vytvořil Shockley podstatně dokona­ lejší typ tranzistoru (nazvaný plošným tranzis­ torem); menší šum, snáze vyrábí je stabilnější.3) Vidíme, hustota integrace vzrůstá velmi rychle, přibližně exponenciálně. Zavádění tranzistorů vedlo novým tech­ nologiím obvodů: dříve jednotlivé prvky spo­ jovaly měděnými drátky, které cínovou páj­ kou spojovaly svorkami prvků, kdežto le­ tech 1950 -1960 byla zavedena technika tiště­ ných spojů.taktu.), sdruže­ né jedné základní polovodičové destičce (na tzv. rozšíření 34 . Další etapou této cestě byl vynález integrovaných obvodů. suchým usměrňovačem selenu. Navzájem propojené spojené součástky se začaly soustřeďovat větších celků zvaných moduly neboli funkční bloky. Naproti tomu však myšlenka obje­ vení polovodičové triody nebyla nová. deskách jsou součástky uspořá­ dány vedle sebe nevodivé straně otvory v desce procházejí přívody, které připájejí na vodivé straně desky příslušnému vodiči. celý zesilovač, oscilátor, multivibrátor apod. let; -integrované obvody střední hustotou integrace, označované jako MSL (obsahují více než prvků), byly vyráběny polovině 60. Proto zde jen poznamenejme, základním mate­ riálem bývá křemík nebo germanium, nimž jsou nepa­ trném množství přidány vhodné nečistoty (např. Fyzikální vysvětlení působení tranzistoru dosti ná­ ročné. Byl intuitivně očekáván objev polovodičového prvku, který byl analogický triodě. mikroobvody, které liší tím, většina sou­ částek vytváří přímo skleněných nebo keramických destičkách. 7. Používají tomu různé technologie. Tranzistory přinesly novou kvalitu: svou malou hmotností malými roz­ měry umožnily miniaturizaci elektronických zařízení svou vysokou spolehlivostí umožnily realizovat velmi složité obvody nízkou poru­ chovostí. Zpočátku byla hlavními odběrateli integrovaných obvodů vojenská zařízení, letec­ ká zařízení automatizace výrobních procesů. Lze tak docílit elektrické vodivosti dvo­ jího typu: při nedostatku volných elektronů vznikají ve struktuře polovodiče kladné díry hovoříme vodivosti ty­ pu Je-li elektronů přebytek, jde vodivost typu N