Tato publikace věnovaná dějinám elektrotechniky je součástí řady STRUČNÉ DĚJINY OBORU. Poskytuje základní přehled dějin oboru, který lze využít pro rozšíření poznatků o naší i světové historii, tentokrát z pohledu technického a přírodovědného. Stručné dějiny elektrotechniky jsou určeny také všem studentům, učitelům i široké veřejnosti, jež se tímto a příbuznými obory zabývá-k obohacení jejich specializace o dimenzi cest hledání, o osudy vynálezců, výzkumných pracovišť a jejich objevů v minulosti i s výhledem do doby budoucí.
Příliš
se nerozšířil, protože krátkou dobu led
nu 1948 vytvořil Shockley podstatně dokona
lejší typ tranzistoru (nazvaný plošným tranzis
torem); menší šum, snáze vyrábí je
stabilnější.
Objev tranzistoru měl dalekosáhlé důsled
ky.
Navzájem propojené spojené součástky se
začaly soustřeďovat větších celků zvaných
moduly neboli funkční bloky.
Byl intuitivně očekáván objev polovodičového
prvku, který byl analogický triodě. letech byla známá analogie mezi vakuovou
diodou tzv.taktu. letech;
- integrované obvody mimořádně velkou hus
totou integrace, označují jako ULSI, pochá
zejí 90. deskách jsou součástky uspořá
dány vedle sebe nevodivé straně otvory
v desce procházejí přívody, které připájejí
na vodivé straně desky příslušnému vodiči. let;
-integrace, označované jako VLSI (obsahují až
tisíce prvků), vyráběly 80. Tranzistory krátké době vytlačily elek
tronky většiny oborů sdělovací elektrotechni
ky elektroniky. Moorův zákon: Hustota integrova
ného obvodu zdvojnásobí každých měsí
ců, neboli zčtyřnásobí každé tři roky. Používají tomu
různé technologie.
mikroobvody, které liší tím, většina sou
částek vytváří přímo skleněných nebo
keramických destičkách.3)
Vidíme, hustota integrace vzrůstá velmi
rychle, přibližně exponenciálně. Použili tomu sondu, jež měla tvar dal
šího hrotu. Již ve
30.
7. Zpočátku byla hlavními odběrateli
integrovaných obvodů vojenská zařízení, letec
ká zařízení automatizace výrobních procesů. rozšíření
34
. Lze tak docílit elektrické vodivosti dvo
jího typu: při nedostatku volných elektronů vznikají ve
struktuře polovodiče kladné díry hovoříme vodivosti ty
pu Je-li elektronů přebytek, jde vodivost typu N.
Integrované obvody též výrazně přispěly
k úspěchům kosmického výzkumu, speciálně
v programu Apollo umožnily vytvořit řídicí
systémy pro let člověka Měsíc.
Zavádění tranzistorů vedlo novým tech
nologiím obvodů: dříve jednotlivé prvky spo
jovaly měděnými drátky, které cínovou páj
kou spojovaly svorkami prvků, kdežto le
tech 1950 -1960 byla zavedena technika tiště
ných spojů. hliník,
béryllium nebo bór). Tento růst vy
jadřuje tzv. Hrotový
tranzistor byl objeven prosinci 1949. suchým usměrňovačem selenu. Další etapou této cestě byl vynález
integrovaných obvodů. Proto zde jen poznamenejme, základním mate
riálem bývá křemík nebo germanium, nimž jsou nepa
trném množství přidány vhodné nečistoty (např.
let;
-integrované obvody střední hustotou
integrace, označované jako MSL (obsahují více
než prvků), byly vyráběny polovině 60.
Tranzistorový efekt projevuje přechodech vrstev
tvořených oběma typy vodivosti. Zprvu byly tranzistory vyráběny
z krystalu germania, později začal těž pou
žívat křemík. let. Velmi silná miniaturizace —ho
voříme mikrominiaturizaci —umožnila vyba
vovat elektronickými přístroji umělé družice
Země byla též plně využita při vývoji počíta
čů.
Destičky mohou být samostatné nebo umís
ťují nad sebou vedle sebe. Tranzistory přinesly novou
kvalitu: svou malou hmotností malými roz
měry umožnily miniaturizaci elektronických
zařízení svou vysokou spolehlivostí umožnily
realizovat velmi složité obvody nízkou poru
chovostí.
Výrobci uživatelé elektronických zařízení
si záhy uvědomovali, kromě výrazného
zmenšení objemu přináší miniaturizace další
velké výhody, zejména snížení příkonu, sníže
ní ceny, zvýšení provozní rychlosti zvětšení
spolehlivosti.
Moduly malých rozměrů nazývají mikromo-
duly.3 Integrované obvody základ
nových informačních technologií
Integrované obvody jsou polovodičové mikro-
struktury obsahující obvodové prvky (tj. diody,
tyristory, odpory, kondenzátory apod. Vodivé vrst
vy jsou tvořeny měděnými fóliemi tloušťce 30
až um.
Fyzikální vysvětlení působení tranzistoru dosti ná
ročné.
let;
-integrované obvody velkou hustotou integ
race, označení LSI (obsahují stovky prvků)
a pocházejí počátku 70. Modulem např. Podle
množství obvodových prvků umístěných či
pu rozlišujeme:
-integrované obvody malou hustotou integ
race, označují zkratkami SSI (obsahují nej
výše prvků), byly vyráběny počátkem 60. mikromodulů třeba odlišovat tzv. čipu), nebo uvnitř této destičky.
celý zesilovač, oscilátor, multivibrátor apod. vytvářely leptáním kovo
vých vrstvách laminátových desek. Tyto úva
hy mají význam pro ekonomiku polovodičového
průmyslu.), sdruže
né jedné základní polovodičové destičce (na
tzv. Tranzistory tak mohou
být typu NPN nebo PNP. Naproti tomu však myšlenka obje
vení polovodičové triody nebyla nová
