Stručné dějiny oboru elektrotechika

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Tato publikace věnovaná dějinám elektrotechniky je součástí řady STRUČNÉ DĚJINY OBORU. Poskytuje základní přehled dějin oboru, který lze využít pro rozšíření poznatků o naší i světové historii, tentokrát z pohledu technického a přírodovědného. Stručné dějiny elektrotechniky jsou určeny také všem studentům, učitelům i široké veřejnosti, jež se tímto a příbuznými obory zabývá-k obohacení jejich specializace o dimenzi cest hledání, o osudy vynálezců, výzkumných pracovišť a jejich objevů v minulosti i s výhledem do doby budoucí.

Vydal: Scientia, spol. s r. o., pedagogické nakladatelství, Praha Autor: Daniel Mayer

Strana 34 z 40

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Vodivé vrst­ vy jsou tvořeny měděnými fóliemi tloušťce 30 až um. let; -integrované obvody střední hustotou integrace, označované jako MSL (obsahují více než prvků), byly vyráběny polovině 60.3) Vidíme, hustota integrace vzrůstá velmi rychle, přibližně exponenciálně. čipu), nebo uvnitř této destičky. Lze tak docílit elektrické vodivosti dvo­ jího typu: při nedostatku volných elektronů vznikají ve struktuře polovodiče kladné díry hovoříme vodivosti ty­ pu Je-li elektronů přebytek, jde vodivost typu N. Velmi silná miniaturizace —ho­ voříme mikrominiaturizaci —umožnila vyba­ vovat elektronickými přístroji umělé družice Země byla též plně využita při vývoji počíta­ čů. letech byla známá analogie mezi vakuovou diodou tzv. Byl intuitivně očekáván objev polovodičového prvku, který byl analogický triodě. Použili tomu sondu, jež měla tvar dal­ šího hrotu. celý zesilovač, oscilátor, multivibrátor apod. Tranzistory přinesly novou kvalitu: svou malou hmotností malými roz­ měry umožnily miniaturizaci elektronických zařízení svou vysokou spolehlivostí umožnily realizovat velmi složité obvody nízkou poru­ chovostí. Zpočátku byla hlavními odběrateli integrovaných obvodů vojenská zařízení, letec­ ká zařízení automatizace výrobních procesů. Další etapou této cestě byl vynález integrovaných obvodů. vytvářely leptáním kovo­ vých vrstvách laminátových desek. let; -integrace, označované jako VLSI (obsahují až tisíce prvků), vyráběly 80. Příliš se nerozšířil, protože krátkou dobu led­ nu 1948 vytvořil Shockley podstatně dokona­ lejší typ tranzistoru (nazvaný plošným tranzis­ torem); menší šum, snáze vyrábí je stabilnější. Integrované obvody též výrazně přispěly k úspěchům kosmického výzkumu, speciálně v programu Apollo umožnily vytvořit řídicí systémy pro let člověka Měsíc. Tento růst vy­ jadřuje tzv. Již ve 30. Zavádění tranzistorů vedlo novým tech­ nologiím obvodů: dříve jednotlivé prvky spo­ jovaly měděnými drátky, které cínovou páj­ kou spojovaly svorkami prvků, kdežto le­ tech 1950 -1960 byla zavedena technika tiště­ ných spojů.3 Integrované obvody základ nových informačních technologií Integrované obvody jsou polovodičové mikro- struktury obsahující obvodové prvky (tj. Moduly malých rozměrů nazývají mikromo- duly. Výrobci uživatelé elektronických zařízení si záhy uvědomovali, kromě výrazného zmenšení objemu přináší miniaturizace další velké výhody, zejména snížení příkonu, sníže­ ní ceny, zvýšení provozní rychlosti zvětšení spolehlivosti. Modulem např. hliník, béryllium nebo bór). Naproti tomu však myšlenka obje­ vení polovodičové triody nebyla nová.), sdruže­ né jedné základní polovodičové destičce (na tzv. Používají tomu různé technologie. Moorův zákon: Hustota integrova­ ného obvodu zdvojnásobí každých měsí­ ců, neboli zčtyřnásobí každé tři roky. Tranzistory krátké době vytlačily elek­ tronky většiny oborů sdělovací elektrotechni­ ky elektroniky. rozšíření 34 . diody, tyristory, odpory, kondenzátory apod. Navzájem propojené spojené součástky se začaly soustřeďovat větších celků zvaných moduly neboli funkční bloky. Proto zde jen poznamenejme, základním mate­ riálem bývá křemík nebo germanium, nimž jsou nepa­ trném množství přidány vhodné nečistoty (např. let; -integrované obvody velkou hustotou integ­ race, označení LSI (obsahují stovky prvků) a pocházejí počátku 70. Zprvu byly tranzistory vyráběny z krystalu germania, později začal těž pou­ žívat křemík. Tranzistorový efekt projevuje přechodech vrstev tvořených oběma typy vodivosti. Destičky mohou být samostatné nebo umís­ ťují nad sebou vedle sebe. Tranzistory tak mohou být typu NPN nebo PNP. mikroobvody, které liší tím, většina sou­ částek vytváří přímo skleněných nebo keramických destičkách. Objev tranzistoru měl dalekosáhlé důsled­ ky. Podle množství obvodových prvků umístěných či­ pu rozlišujeme: -integrované obvody malou hustotou integ­ race, označují zkratkami SSI (obsahují nej­ výše prvků), byly vyráběny počátkem 60. 7.taktu. Fyzikální vysvětlení působení tranzistoru dosti ná­ ročné. letech; - integrované obvody mimořádně velkou hus­ totou integrace, označují jako ULSI, pochá­ zejí 90. let. suchým usměrňovačem selenu. deskách jsou součástky uspořá­ dány vedle sebe nevodivé straně otvory v desce procházejí přívody, které připájejí na vodivé straně desky příslušnému vodiči. mikromodulů třeba odlišovat tzv. Hrotový tranzistor byl objeven prosinci 1949. Tyto úva­ hy mají význam pro ekonomiku polovodičového průmyslu