Stručné dějiny oboru elektrotechika

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Tato publikace věnovaná dějinám elektrotechniky je součástí řady STRUČNÉ DĚJINY OBORU. Poskytuje základní přehled dějin oboru, který lze využít pro rozšíření poznatků o naší i světové historii, tentokrát z pohledu technického a přírodovědného. Stručné dějiny elektrotechniky jsou určeny také všem studentům, učitelům i široké veřejnosti, jež se tímto a příbuznými obory zabývá-k obohacení jejich specializace o dimenzi cest hledání, o osudy vynálezců, výzkumných pracovišť a jejich objevů v minulosti i s výhledem do doby budoucí.

Vydal: Scientia, spol. s r. o., pedagogické nakladatelství, Praha Autor: Daniel Mayer

Strana 34 z 40

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Moduly malých rozměrů nazývají mikromo- duly. let; -integrované obvody velkou hustotou integ­ race, označení LSI (obsahují stovky prvků) a pocházejí počátku 70. Výrobci uživatelé elektronických zařízení si záhy uvědomovali, kromě výrazného zmenšení objemu přináší miniaturizace další velké výhody, zejména snížení příkonu, sníže­ ní ceny, zvýšení provozní rychlosti zvětšení spolehlivosti. Navzájem propojené spojené součástky se začaly soustřeďovat větších celků zvaných moduly neboli funkční bloky. Objev tranzistoru měl dalekosáhlé důsled­ ky. Zprvu byly tranzistory vyráběny z krystalu germania, později začal těž pou­ žívat křemík.3 Integrované obvody základ nových informačních technologií Integrované obvody jsou polovodičové mikro- struktury obsahující obvodové prvky (tj. Integrované obvody též výrazně přispěly k úspěchům kosmického výzkumu, speciálně v programu Apollo umožnily vytvořit řídicí systémy pro let člověka Měsíc. Velmi silná miniaturizace —ho­ voříme mikrominiaturizaci —umožnila vyba­ vovat elektronickými přístroji umělé družice Země byla též plně využita při vývoji počíta­ čů. let. čipu), nebo uvnitř této destičky. Zpočátku byla hlavními odběrateli integrovaných obvodů vojenská zařízení, letec­ ká zařízení automatizace výrobních procesů. Tyto úva­ hy mají význam pro ekonomiku polovodičového průmyslu. deskách jsou součástky uspořá­ dány vedle sebe nevodivé straně otvory v desce procházejí přívody, které připájejí na vodivé straně desky příslušnému vodiči.taktu. letech byla známá analogie mezi vakuovou diodou tzv. Tento růst vy­ jadřuje tzv. 7. mikroobvody, které liší tím, většina sou­ částek vytváří přímo skleněných nebo keramických destičkách. Použili tomu sondu, jež měla tvar dal­ šího hrotu. Vodivé vrst­ vy jsou tvořeny měděnými fóliemi tloušťce 30 až um. Fyzikální vysvětlení působení tranzistoru dosti ná­ ročné. Modulem např. let; -integrace, označované jako VLSI (obsahují až tisíce prvků), vyráběly 80. rozšíření 34 . Moorův zákon: Hustota integrova­ ného obvodu zdvojnásobí každých měsí­ ců, neboli zčtyřnásobí každé tři roky. Další etapou této cestě byl vynález integrovaných obvodů.), sdruže­ né jedné základní polovodičové destičce (na tzv. Tranzistorový efekt projevuje přechodech vrstev tvořených oběma typy vodivosti. suchým usměrňovačem selenu.3) Vidíme, hustota integrace vzrůstá velmi rychle, přibližně exponenciálně. Zavádění tranzistorů vedlo novým tech­ nologiím obvodů: dříve jednotlivé prvky spo­ jovaly měděnými drátky, které cínovou páj­ kou spojovaly svorkami prvků, kdežto le­ tech 1950 -1960 byla zavedena technika tiště­ ných spojů. Tranzistory přinesly novou kvalitu: svou malou hmotností malými roz­ měry umožnily miniaturizaci elektronických zařízení svou vysokou spolehlivostí umožnily realizovat velmi složité obvody nízkou poru­ chovostí. Destičky mohou být samostatné nebo umís­ ťují nad sebou vedle sebe. Používají tomu různé technologie. hliník, béryllium nebo bór). Příliš se nerozšířil, protože krátkou dobu led­ nu 1948 vytvořil Shockley podstatně dokona­ lejší typ tranzistoru (nazvaný plošným tranzis­ torem); menší šum, snáze vyrábí je stabilnější. Lze tak docílit elektrické vodivosti dvo­ jího typu: při nedostatku volných elektronů vznikají ve struktuře polovodiče kladné díry hovoříme vodivosti ty­ pu Je-li elektronů přebytek, jde vodivost typu N. mikromodulů třeba odlišovat tzv. letech; - integrované obvody mimořádně velkou hus­ totou integrace, označují jako ULSI, pochá­ zejí 90. Tranzistory krátké době vytlačily elek­ tronky většiny oborů sdělovací elektrotechni­ ky elektroniky. Proto zde jen poznamenejme, základním mate­ riálem bývá křemík nebo germanium, nimž jsou nepa­ trném množství přidány vhodné nečistoty (např. celý zesilovač, oscilátor, multivibrátor apod. Podle množství obvodových prvků umístěných či­ pu rozlišujeme: -integrované obvody malou hustotou integ­ race, označují zkratkami SSI (obsahují nej­ výše prvků), byly vyráběny počátkem 60. Hrotový tranzistor byl objeven prosinci 1949. let; -integrované obvody střední hustotou integrace, označované jako MSL (obsahují více než prvků), byly vyráběny polovině 60. vytvářely leptáním kovo­ vých vrstvách laminátových desek. Byl intuitivně očekáván objev polovodičového prvku, který byl analogický triodě. Již ve 30. Tranzistory tak mohou být typu NPN nebo PNP. diody, tyristory, odpory, kondenzátory apod. Naproti tomu však myšlenka obje­ vení polovodičové triody nebyla nová