Tato publikace věnovaná dějinám elektrotechniky je součástí řady STRUČNÉ DĚJINY OBORU. Poskytuje základní přehled dějin oboru, který lze využít pro rozšíření poznatků o naší i světové historii, tentokrát z pohledu technického a přírodovědného. Stručné dějiny elektrotechniky jsou určeny také všem studentům, učitelům i široké veřejnosti, jež se tímto a příbuznými obory zabývá-k obohacení jejich specializace o dimenzi cest hledání, o osudy vynálezců, výzkumných pracovišť a jejich objevů v minulosti i s výhledem do doby budoucí.
Zavádění tranzistorů vedlo novým tech
nologiím obvodů: dříve jednotlivé prvky spo
jovaly měděnými drátky, které cínovou páj
kou spojovaly svorkami prvků, kdežto le
tech 1950 -1960 byla zavedena technika tiště
ných spojů.
Navzájem propojené spojené součástky se
začaly soustřeďovat větších celků zvaných
moduly neboli funkční bloky. čipu), nebo uvnitř této destičky. letech;
- integrované obvody mimořádně velkou hus
totou integrace, označují jako ULSI, pochá
zejí 90. Tranzistory přinesly novou
kvalitu: svou malou hmotností malými roz
měry umožnily miniaturizaci elektronických
zařízení svou vysokou spolehlivostí umožnily
realizovat velmi složité obvody nízkou poru
chovostí.
mikroobvody, které liší tím, většina sou
částek vytváří přímo skleněných nebo
keramických destičkách.
let;
-integrované obvody střední hustotou
integrace, označované jako MSL (obsahují více
než prvků), byly vyráběny polovině 60.taktu. deskách jsou součástky uspořá
dány vedle sebe nevodivé straně otvory
v desce procházejí přívody, které připájejí
na vodivé straně desky příslušnému vodiči. Lze tak docílit elektrické vodivosti dvo
jího typu: při nedostatku volných elektronů vznikají ve
struktuře polovodiče kladné díry hovoříme vodivosti ty
pu Je-li elektronů přebytek, jde vodivost typu N. let.
7. Naproti tomu však myšlenka obje
vení polovodičové triody nebyla nová. Použili tomu sondu, jež měla tvar dal
šího hrotu. let;
-integrace, označované jako VLSI (obsahují až
tisíce prvků), vyráběly 80. Zpočátku byla hlavními odběrateli
integrovaných obvodů vojenská zařízení, letec
ká zařízení automatizace výrobních procesů.
Moduly malých rozměrů nazývají mikromo-
duly. rozšíření
34
.3 Integrované obvody základ
nových informačních technologií
Integrované obvody jsou polovodičové mikro-
struktury obsahující obvodové prvky (tj. Další etapou této cestě byl vynález
integrovaných obvodů.
let;
-integrované obvody velkou hustotou integ
race, označení LSI (obsahují stovky prvků)
a pocházejí počátku 70. mikromodulů třeba odlišovat tzv. Proto zde jen poznamenejme, základním mate
riálem bývá křemík nebo germanium, nimž jsou nepa
trném množství přidány vhodné nečistoty (např.), sdruže
né jedné základní polovodičové destičce (na
tzv. Modulem např. diody,
tyristory, odpory, kondenzátory apod.
Objev tranzistoru měl dalekosáhlé důsled
ky. Používají tomu
různé technologie.
Výrobci uživatelé elektronických zařízení
si záhy uvědomovali, kromě výrazného
zmenšení objemu přináší miniaturizace další
velké výhody, zejména snížení příkonu, sníže
ní ceny, zvýšení provozní rychlosti zvětšení
spolehlivosti. suchým usměrňovačem selenu. Příliš
se nerozšířil, protože krátkou dobu led
nu 1948 vytvořil Shockley podstatně dokona
lejší typ tranzistoru (nazvaný plošným tranzis
torem); menší šum, snáze vyrábí je
stabilnější. Již ve
30. Hrotový
tranzistor byl objeven prosinci 1949.3)
Vidíme, hustota integrace vzrůstá velmi
rychle, přibližně exponenciálně. vytvářely leptáním kovo
vých vrstvách laminátových desek.
Destičky mohou být samostatné nebo umís
ťují nad sebou vedle sebe. Tranzistory krátké době vytlačily elek
tronky většiny oborů sdělovací elektrotechni
ky elektroniky. Tyto úva
hy mají význam pro ekonomiku polovodičového
průmyslu. Velmi silná miniaturizace —ho
voříme mikrominiaturizaci —umožnila vyba
vovat elektronickými přístroji umělé družice
Země byla též plně využita při vývoji počíta
čů.
Fyzikální vysvětlení působení tranzistoru dosti ná
ročné. letech byla známá analogie mezi vakuovou
diodou tzv. Tento růst vy
jadřuje tzv.
Integrované obvody též výrazně přispěly
k úspěchům kosmického výzkumu, speciálně
v programu Apollo umožnily vytvořit řídicí
systémy pro let člověka Měsíc. Podle
množství obvodových prvků umístěných či
pu rozlišujeme:
-integrované obvody malou hustotou integ
race, označují zkratkami SSI (obsahují nej
výše prvků), byly vyráběny počátkem 60. Tranzistory tak mohou
být typu NPN nebo PNP. hliník,
béryllium nebo bór).
Tranzistorový efekt projevuje přechodech vrstev
tvořených oběma typy vodivosti. Zprvu byly tranzistory vyráběny
z krystalu germania, později začal těž pou
žívat křemík. Moorův zákon: Hustota integrova
ného obvodu zdvojnásobí každých měsí
ců, neboli zčtyřnásobí každé tři roky. Vodivé vrst
vy jsou tvořeny měděnými fóliemi tloušťce 30
až um.
Byl intuitivně očekáván objev polovodičového
prvku, který byl analogický triodě.
celý zesilovač, oscilátor, multivibrátor apod
