Tato publikace věnovaná dějinám elektrotechniky je součástí řady STRUČNÉ DĚJINY OBORU. Poskytuje základní přehled dějin oboru, který lze využít pro rozšíření poznatků o naší i světové historii, tentokrát z pohledu technického a přírodovědného. Stručné dějiny elektrotechniky jsou určeny také všem studentům, učitelům i široké veřejnosti, jež se tímto a příbuznými obory zabývá-k obohacení jejich specializace o dimenzi cest hledání, o osudy vynálezců, výzkumných pracovišť a jejich objevů v minulosti i s výhledem do doby budoucí.
Výrobci uživatelé elektronických zařízení
si záhy uvědomovali, kromě výrazného
zmenšení objemu přináší miniaturizace další
velké výhody, zejména snížení příkonu, sníže
ní ceny, zvýšení provozní rychlosti zvětšení
spolehlivosti. Velmi silná miniaturizace —ho
voříme mikrominiaturizaci —umožnila vyba
vovat elektronickými přístroji umělé družice
Země byla též plně využita při vývoji počíta
čů. čipu), nebo uvnitř této destičky. diody,
tyristory, odpory, kondenzátory apod. suchým usměrňovačem selenu. letech byla známá analogie mezi vakuovou
diodou tzv. Proto zde jen poznamenejme, základním mate
riálem bývá křemík nebo germanium, nimž jsou nepa
trném množství přidány vhodné nečistoty (např. Tento růst vy
jadřuje tzv. Lze tak docílit elektrické vodivosti dvo
jího typu: při nedostatku volných elektronů vznikají ve
struktuře polovodiče kladné díry hovoříme vodivosti ty
pu Je-li elektronů přebytek, jde vodivost typu N. Tyto úva
hy mají význam pro ekonomiku polovodičového
průmyslu.3 Integrované obvody základ
nových informačních technologií
Integrované obvody jsou polovodičové mikro-
struktury obsahující obvodové prvky (tj. Tranzistory tak mohou
být typu NPN nebo PNP.
Moduly malých rozměrů nazývají mikromo-
duly. Používají tomu
různé technologie. Zprvu byly tranzistory vyráběny
z krystalu germania, později začal těž pou
žívat křemík. let. hliník,
béryllium nebo bór). Další etapou této cestě byl vynález
integrovaných obvodů. Podle
množství obvodových prvků umístěných či
pu rozlišujeme:
-integrované obvody malou hustotou integ
race, označují zkratkami SSI (obsahují nej
výše prvků), byly vyráběny počátkem 60. Tranzistory přinesly novou
kvalitu: svou malou hmotností malými roz
měry umožnily miniaturizaci elektronických
zařízení svou vysokou spolehlivostí umožnily
realizovat velmi složité obvody nízkou poru
chovostí.
Integrované obvody též výrazně přispěly
k úspěchům kosmického výzkumu, speciálně
v programu Apollo umožnily vytvořit řídicí
systémy pro let člověka Měsíc. letech;
- integrované obvody mimořádně velkou hus
totou integrace, označují jako ULSI, pochá
zejí 90.
Fyzikální vysvětlení působení tranzistoru dosti ná
ročné. Tranzistory krátké době vytlačily elek
tronky většiny oborů sdělovací elektrotechni
ky elektroniky.
Destičky mohou být samostatné nebo umís
ťují nad sebou vedle sebe.
Objev tranzistoru měl dalekosáhlé důsled
ky.), sdruže
né jedné základní polovodičové destičce (na
tzv. Naproti tomu však myšlenka obje
vení polovodičové triody nebyla nová.
celý zesilovač, oscilátor, multivibrátor apod.
Navzájem propojené spojené součástky se
začaly soustřeďovat větších celků zvaných
moduly neboli funkční bloky. deskách jsou součástky uspořá
dány vedle sebe nevodivé straně otvory
v desce procházejí přívody, které připájejí
na vodivé straně desky příslušnému vodiči.
let;
-integrované obvody velkou hustotou integ
race, označení LSI (obsahují stovky prvků)
a pocházejí počátku 70. Zpočátku byla hlavními odběrateli
integrovaných obvodů vojenská zařízení, letec
ká zařízení automatizace výrobních procesů. Již ve
30. rozšíření
34
. let;
-integrace, označované jako VLSI (obsahují až
tisíce prvků), vyráběly 80.
Byl intuitivně očekáván objev polovodičového
prvku, který byl analogický triodě. vytvářely leptáním kovo
vých vrstvách laminátových desek. Příliš
se nerozšířil, protože krátkou dobu led
nu 1948 vytvořil Shockley podstatně dokona
lejší typ tranzistoru (nazvaný plošným tranzis
torem); menší šum, snáze vyrábí je
stabilnější. Použili tomu sondu, jež měla tvar dal
šího hrotu.
Zavádění tranzistorů vedlo novým tech
nologiím obvodů: dříve jednotlivé prvky spo
jovaly měděnými drátky, které cínovou páj
kou spojovaly svorkami prvků, kdežto le
tech 1950 -1960 byla zavedena technika tiště
ných spojů. Vodivé vrst
vy jsou tvořeny měděnými fóliemi tloušťce 30
až um. mikromodulů třeba odlišovat tzv.
7. Hrotový
tranzistor byl objeven prosinci 1949.
let;
-integrované obvody střední hustotou
integrace, označované jako MSL (obsahují více
než prvků), byly vyráběny polovině 60. Modulem např.taktu.
mikroobvody, které liší tím, většina sou
částek vytváří přímo skleněných nebo
keramických destičkách.3)
Vidíme, hustota integrace vzrůstá velmi
rychle, přibližně exponenciálně. Moorův zákon: Hustota integrova
ného obvodu zdvojnásobí každých měsí
ců, neboli zčtyřnásobí každé tři roky.
Tranzistorový efekt projevuje přechodech vrstev
tvořených oběma typy vodivosti
