Štěrbinová anténní řada na bázi vlnovodu integrovaného do substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Diplomová práce se zabývá návrhem štěrbinové anténní řady na bázi vlnovodu integrovaného do substrátu (SIW). V práci jsou rozebrány různé způsoby napájení antény a samotný postup návrhu antény. Anténní řada byla navrhnuta v simulačním programu Ansoft HFSS pro Wi-Fi pásmo 5 GHz. Optimalizovanými parametry antény jsou impedanční šířka pásma (minimalizace hodnoty činitele odrazu na vstupu antény v celém pracovním pásmu) a zisk (maximální hodnota). Výsledkem práce jsou 3 prototypy anténních řad na bázi vlnovodu integrovaného do substrátu, anténní řada 2x1, 2x2 a anténní řada 2x2 doplněná o ochranný box pro venkovní použití. Práce obsahuje srovnání simulovaných a měřených parametrů realizovaných antén.

Strana 27 z 102

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

Zvolení vhodné šířky napájecího mikropásku velké míry ovlivňuje impedanční přizpůsobení antény k napájecímu obvodu. a) konfigurace přechodu mikropásek SIW příčný pohled delší stranu přechodu SIW c) vlnovodný model vrchní pohled přechod model přechodu Obr. Napájení pomocí mikropáskového vedení skládá kovové rovinné desky jednoho více ní rovnoběžných mikropáskových vodičů. Přechod mikropáskového vedení strukturu SIW [12] SIW lze teoreticky nahradit dielektrickým vlnovodem. Šířka dielektrického vlnovodu rovna aRWG (vztah 1. Vzhledem jeho velmi jednoduché struktuře má přechod relativně nízké ztráty [11]. Jde levnou jednoduše integrovatelnou variantu, ale zajišťující relativně nízký činitel jakosti (50 100). Přechod pokrývá celou šířku pásma SIW výkonově je výhodnější srovnání ostatními mikropáskovými přechody SIW přechodu z koplanárního vlnovodu SIW. Finální podoba přechodu koaxiální vedení SIW jeho model branami [10] 2.2 Přechod mikropáskového vedení SIW Mikropáskové přechody SIW jsou založeny zužujícím mikropáskovém vedení, za předpokladu, oba typy vedení jsou integrovány jednom substrátu.19) permitivita dielekrického substrátu tloušťkou 3 2 1 SIW S 3 21 a) b) SIW Mikropásek wtap ltap w0 l0 wSIW p d wtap hεr εe we aRWGεrεewe Elektrické stěny Magnetické stěny a) b) c) d) w0 Zužující se mikropáskový přechod ltap wtap e) .14 Obr

---

---