Speciální reflektory pro širokopásmové dipólové antény

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Práce pojednává o speciálních vlnitých reflektorech pro širokopásmové antény. Vlnité reflektory jsou rozděleny na typ H a typ E. Z těchto typů je následně vytvořena jejich kombinace. Všechny tři typy reflektorů byly simulovány a následně analyzovány. Dále se práce zabývá různými druhy širokopásmových dipólů, které jsou postupně umísťovány nad zkoumané reflektory. Takto vytvořené reflektorové antény jsou pak porovnávány. U antén s nejlepšími parametry pak simulujeme přenos mezi dvěma anténami. Všechny simulace byly provedeny v programu CST Microwave Studio. Vybrané antény byly realizovány a změny. Následnými simulacemi jsme zjišovali příčiny rozdílů mezi simulovanými a meřenými výsledky.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Velička

Strana 60 z 79

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
ideálním pĜípadČ mČl být pĜenos mezi konektory roven tedy dB.47 5. Výsledky simulace jsou na obrázku 5-10. 5. Výsledky jsou zde zobrazeny decibelové míĜe.4 Simulace antény konektorem Jelikož pĜi experimentálním ovČĜení vlastnosti vyrobených antén došlo velkým odlišnostem porovnání simulacemi, byly provedeny další simulace navržených antén konektorem. Obr. rostoucí frekvencí pĜenos mírnČ klesá hodnotu 0,91 kmitoþtu 10 GHz. Koeficientu pĜenos roven nižších kmitoþtech. 5-9: Ukázka simulace testování konektoru. U obvodu obrázku 5-9, byla provedena simulace urþení þinitele odrazu konektoru vzájemného pĜenosu mezi konektory. Tento pokles zpĤsobují ztráty zahrnuté simulaci. našem pĜípadČ pĜenos pro simulovaný kmitoþet 1 GHz GHz rozmezí 0. .4. Aby pĜedešlo chybám simulaci, byly provedeny simulace namodelovaného konektoru, které urþí správnost jeho správnost. simulací zĜejmé, že konektor namodelován správnČ pĜípadný vliv, který simulovanou anténu bude mít, bude souladu reálnými konektory.1 Modelování konektoru Pro posouzení zda byl konektor správnČ namodelován zda simulacích nezpĤsobuje nČjaké nepĜíznivé vlivy, byla provedena simulace.91. Tato simulace skládá dvou namodelovaných konektorĤ krátkého úseku mikropáskového vedení impedancí 50 Ukázka složení testovacího obvodu pro simulaci obrázku 5-9