Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 99 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Rezonan obvod musí být navržen
tak, aby dostate initel jakosti tedy dostate velká induk nost malá kapacita.
Výsledný signál idla zpracujeme komparátorem (proximity switch) anebo zesilova em
s velkým vstupním odporem pop pouze sledova em.1 Induk idlo vzdálenosti sériovým rezonan ním obvodem
Na Obr.
Další možností konstruovat oscilátor ímo snímací cívkou. Ten lze pak již snadno vyhodnotit íta em, nap digitáln ímo v
procesoru). Zesilova lze zkonstruovat také
s nelineární evodní charakteristikou tím kompenzovat nelinearitu idla.). Následnou dolní propustí žeme filtrovat analogový výstupní
signál idla.
. ivé proudy sobují eném objektu ztráty se
musí hradit zdroje napájejícího oscilátor. Rezonan kmito et
LC obvodu nastaven tak, aby byl mírn vyšší než kmito krystalového oscilátoru
(pracovní bod levém boku rezonan ivky, mírn vrcholem).ídicí leny elektrických pohonech 99
uvýst
VF
+
-
krystalový
oscilátor
L
C
R1C1
D
Obr. Nap pracovním kmito oscilátoru 2MHz není problém docílit ku
pásma 100kHz. Tím, obvod
skoro rezonanci, nakmitá cívce pom velké nap rezonanci Q-krát vyšší než
budicí, initel jakosti). Ovšem nesmí být íliš velká, protože definuje pásma
výstupního signálu. asová konstanta R1C1 musí být dostate pro odstran zvln ní
výsledného signálu idla.
Nevýhodou použití rezonan ního obvodu asová teplotní nestabilita.
Pro kmito cca 1MHz induk nost být aspo cca Naopak volb íliš
velké induk nosti vyjde velmi malá kapacita celý obvod konstruovaný takto velké
impedanci pak íliš náchylný rozlad vlivem parazitních kapacit (kryt, okolní
konstrukce atd. Tento sob vzhledem odstran nutnosti
p esného nalad rezonan ního obvodu velice výhodný. Tímto kmito tem lze spoušt monostabilní klopný obvod jeho
výstupu pak dostaneme rovn obdélníkový signál ela ovaným kmito tem ovšem již také
s prom nnou ídou. ibližování edm induk nost klesá obvod více
rozla uje klesá tedy nakmitané nap cívce. iblížení objektu tak
poroste jeho kmito et. 9.
Pokud využijeme snímací cívku ímo rezonan ním obvodu oscilátoru, žeme také místo
kmito oscilátoru (který teplotn asov nestálý) vyhodnocovat nap odb proudu
z napájecího zdroje oscilátoru. rezonan ním
obvodu eba používat kondenzátor stabilním teplotn nezávislým dielektrikem (u
malých kapacit keramický kondenzátor hmoty NPO). Lze také nap použít kmito tak obdržet obdélníkový signál nižším
p ela ovaném kmito tu. nap cívky usm rní špi kovým
detektorem DR1C1.1 ideové schéma zapojení idla stabilním krystalovým oscilátorem, který budí
sériový rezonan obvod tvo ený kondenzátorem snímací cívkou. 9
