Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 89 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
proud (budi bez zát že) ICC 90mA 45mA
Po buzených kanál (tranzistor 2
Rozm 124x66mm 57x72mm
.1. 7.ídicí leny elektrických pohonech 89
Budi
horní
=15V
CH
CD
Budi
dolní
Tvn
DH
integrovaný
obvod
TH
TD
ízení
Ud
+
-
TH
TDízeníTH
VÝSTUP
Obr. Samoz ejmostí kvalitní galvanicky odd lený zdroj
napájecího nap pro horní dolní tranzistory.
Tab.6 Profesionální budi Semikron Concept
Pro edních velkých výkon vždy vhodné používat komfortní budi všemi
ochranami zmi ovanými kap.17 ídicí signál napájecí zdroj budi bez galvanického odd lení
7. vodem zejména velká cena destruktivní inky
havárie výkonového tranzistoru. 4000V ef. Nejd ležit jší technické parametry vybraných budi Semikron Concept
Parametr SKHI10 Semikron 2SD315A Concept
Výstupní nap tové úrovn
(zapnuto/vypnuto)
+15V/-8V +15V/-15V
Špi kový výstupní proud +8A/-8A +15A/-15A
Trvalá výstupní výkonová zatížitelnost 1)
1,5W 3W
Zpožd signálu zapnutí tpd(on) 1400ns 300ns
Zpožd signálu vypnutí tpd(off) 1400ns 350ns
Minimální garantovaná odolnost du/dt 75kV/µs 100kV/µs
Dovolené pracovní nap silového obvodu 1200V 1200V
Elektrická pevnost mezi vstupem a
výstupem (harmonické testovací nap tí,
50Hz/1min)
4000V ef.
Kapacita mezi vstupem výstupem budi 12pF 19pF
Primární napájecí nap UCC 15V 15V
Primární nap. 7
