Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 77 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
2 Jednoú elové integrované budicí obvody vestav ným opto lenem
Na trhu existuje ada dostupných jednoú elových itegrovaných obvod ených pro buzení
výkonových tranzistor MOSFET nebo IGBT. Ideov odpovídají vždy malými
modifikacemi zjedenodušeními principiálnímu Obr.1.
Obr.3. edur uje toto ešení
pouze pro nejnáro jší aplikace ích velkého výkonu (stovky kW).
7. nou odporu zakresleného rezistoru 100Ω lze nastavit vybavovací
hodnotu satura ního nap tí. Kladným nap tím tranzistor spíná záporným vypíná.ídicí leny elektrických pohonech 77
napájecí nap velmi malou parazitní kapacitou galvanického odd lení.3 Signálová trasa optický vysíla optické vlákno optický ijíma
Budicí obvod galvanicky odd leným ídicím signálem pomocí optického vlákna vykazuje
vnejlepší odolnost rušení du/dt. 7. 7.
7. Budi integrovánu
satura ochranu. nutno
získat primárního napájecího nap pomocí DC/DC transformátorkem.6 jako íklad uvedeno katalogové zapojení obvodu Hewlet Packard HCPL316J.6 Budi jednoú elovým obvodem HCPL 316J
Podrobn jší rozbor tohoto nastavení lze nalézt katalogovém listu výrobce. Nevýhodou tohoto ešení jsou zna cena rozm ry. Primární sekundární ást budi jsou totiž prostorov
dostate vzdáleny jsou jen propojeny optickým vláknem, které elektricky zcela
nevodivé.
.3.
Na Obr. sekundární stran vyžaduje napájecí nap kladné VCC2 a
záporné VE. nou kapacity CBLANK ovliv ije doba necitlivosti ochrany
následující povelu sepnutí tranzistoru. 7.
Obvod vyžaduje primární napájecí nap VCC1 (na vstupu krom LED diody opto lenu
také tvarovací hradlo)
