Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 67 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
7. Je-li tato kapacita namáhána
nap ovou strmostí du/dt, protéká impulsní parazitní kapacitní proud velikosti
. Jedná vynikající ešení, bohužel cenových objemových vod
nepoužitelné malých výkon
vzorkovací
obvod
hradlovací
obvod
Unap
C
vzorkovací signál
zesilova a
tvarova koncový
stupe
zpož ovací
len
+Unap
-Unap
RG
ídicí signál
logickýlenOR
BKO
E
G
+Unap
-Unap
Cpar
ídicí
signál
havarijní
STOP signál
napájení
havarijní STOP signál
J1
J2
RS
DS
R1
R2
KS
KP
Kθ
K+U
K-U
p tí
UPref
Uθ ref
U+ref
U-ref
teplota
+Unap
-Unap
US
izola bariéra 2kV~
obvodová zem
ízení
obvodová zem
budi )
C
E
Obr. 7. Vlastní budicí obvod je
tvo zcem horní ásti obrázku: opto len zesilova tvarova hradlovací obvod -
koncový stupe (vše ostatní jsou elektronické ochrany).ídicí leny elektrických pohonech 67
D ležitou sou ástí budi jsou rychlé elektronické ochrany, jejichž úkolem zajistit
„nezni itelnost“ ízeného tranzistoru. Informaci nestandardním stavu kterékoli ochrany je
nutno hlásit ídicího systému, galvanicky odd leným sobem.1 Principiální blokové schéma galvanicky odd leného budi e
Principiální schéma galvanicky odd leného budi Obr.1.
Možnosti galvanického odd lení ídicího signálu jsou následující:
• Sou asný enos informace budicí energie magnetickou cestou (výkonové spínací
pulsy)
• enos informace magnetickou cestou zné možnosti koncepce nap použití
sd lovacích modula ních technik)
• Opto len: vždy stínicí ížkou, optickým ijíma musí být fotodioda nikoli
fototranzistor (viz odolnost proti du/dt navíc požadavek rychlost enosu)
• Optické vlákno: velkých výkon (stovky více) vysokonap ových
aplikací. Každý opto len parazitní kapacitu
minimáln 1pF mezi optickým vysíla ijíma em
