Retrodirektivní anténní pole

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

V první části této práce je shrnuta základní teorie retrodirektivních anténních polí a jejich jednotlivých částí – antén a směšovačů. Dále je uveden krátký přehled možností využití retrodirektivních anténních polí k přenosu informace. Druhá část práce se zabývá návrhem konkrétního retrodirektivního pole. Návrh začíná sestavením modelu anténního pole v programu MATLAB. Poté je zvolena vhodná struktura pro další návrh. Dále jsou navrženy a v programu Ansoft Designer analyzovány jednotlivé části retrodirektivního anténního pole – flíčková anténa, směšovač, dolní propust a pásmová zádrž, slučovač signálů a Wilkinsonův dělič výkonu. Pro analýzu antény je použit také program CST Microwave Studio. Další část práce se zabývá realizací jednotlivých bloků retro direktivního anténního pole a měřením jejich parametrů.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Šindler

Strana 53 z 118

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
jsou zde pouze kvůli tomu, aby zde nevznikala smyčka s nulovým odporem, která znemožňovala analýzu. Ten nejblíže uvažovanému pracovnímu bodu funkci směšovače. 5.20: Zapojení pro testování vysokofrekvenčních vlastností nelineárního modelu Stejná struktura ideálního kapacitou induktoru byla připojena vstup. Pro oddělení stejnosměrného napájecího zdroje vysokofrekvenčního signálu byla použita jednoduchá struktura ideálního kapacitoru induktoru (obr. 5.3. Tyto odpory byly později přidány modelu pouzdra tranzistoru. Simulacemi bylo ověřeno, tato struktura nemá pro kmitočty nad GHz výrazný vliv kmitočtové charakteristiky. Pro ověření vysokofrekvenčních vlastností byl vybrán linearizovaný model zveřejněný výrobcem pro pracovní bod VDS mA.3 Ověření vysokofrekvenčních vlastností nelineárního modelu Aby bylo možné nelineární model tranzistoru použít pro návrh analýzu navrhovaného směšovače jet potřeba také ověřit jestli dostatečně přesný hlediska vysokofrekvenčních vlastností. tomu slouží porovnání kmitočtových průběhů rozptylových parametrů nelineárního modelu parametry konkrétního tranzistoru zjištěnými měřením, nebo parametry linearizovaného modelu zveřejněného výrobcem tohoto tranzistoru (ty jsou také získány měřením). 5. Obvod obr. Obr.40 5. U nelineárního modelu byly připojeny zdroje stejnosměrného napětí, tak aby byl nastaven stejný pracovní bod jako linearizovaného tranzistoru.20 mezi vývody source zemí připojeny rezistory s velmi malým odporem.20)