|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
V první části této práce je shrnuta základní teorie retrodirektivních anténních polí a jejich jednotlivých částí – antén a směšovačů. Dále je uveden krátký přehled možností využití retrodirektivních anténních polí k přenosu informace. Druhá část práce se zabývá návrhem konkrétního retrodirektivního pole. Návrh začíná sestavením modelu anténního pole v programu MATLAB. Poté je zvolena vhodná struktura pro další návrh. Dále jsou navrženy a v programu Ansoft Designer analyzovány jednotlivé části retrodirektivního anténního pole – flíčková anténa, směšovač, dolní propust a pásmová zádrž, slučovač signálů a Wilkinsonův dělič výkonu. Pro analýzu antény je použit také program CST Microwave Studio. Další část práce se zabývá realizací jednotlivých bloků retro direktivního anténního pole a měřením jejich parametrů.
Jeho
konečná verze (po několika úpravách, které jsou uvedeny 5.3.2 Návrh pracovního bodu
Aktivního směšovače obvykle pracují podobně jako zesilovače třídě buzené
signálem lokálního oscilátoru.
Další významná hodnota maximální možné napětí vstupu gate VMAX. Původní model obsahuje indukčnosti vývodů gate, source a
drain.
Raytheon-Statz model však obou programech nepatrně liší, proto bylo potřeba
udělat některé úpravy.3. pinch off voltage, tedy minimální napětí VGS, při kterém se
proud dostává saturace blíží nule. Podle katalogového listu [24] typická
hodnota -0,35 V.18: Raytheon Statz model [26]
Tento model byl dále doplněn parazitní vlastnosti pouzdra SOT 363. 5.38
Obr. Proto byly indukčnosti připočítány parazitním indukčnostem pouzdra. Nelineární model Ansoft Designeru však neumožňuje tyto indukčnosti
modelovat. Význam
jednotlivých parametrů podrobněji popsán nápovědě programu Ansoft Designer. Hodnota VMAX není katalogovém
.
Napětí VMAX dáno hodnotou, při které začíná docházet velkému nárustu šumu a
může docházet poškození, zničení tranzistoru.
Hodnoty klidového napájecího napětí vstupu gate tranzistoru přibližně daná
hodnotou napětí Vp.3) příloze D.
VP představuje tzv.
5.
Model pouzdra parametry Raytheon Statz modelu vychází modelu
zveřejněného výrobcem tranzistoru určeného pro program Advanced Design System.
Parametry, které tabulce chybí, byly ponechány výchozí hodnotě.
Parametry použitého Raytheon Statz modelu jsou uvedeny příloze C
