Retrodirektivní anténní pole

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

V první části této práce je shrnuta základní teorie retrodirektivních anténních polí a jejich jednotlivých částí – antén a směšovačů. Dále je uveden krátký přehled možností využití retrodirektivních anténních polí k přenosu informace. Druhá část práce se zabývá návrhem konkrétního retrodirektivního pole. Návrh začíná sestavením modelu anténního pole v programu MATLAB. Poté je zvolena vhodná struktura pro další návrh. Dále jsou navrženy a v programu Ansoft Designer analyzovány jednotlivé části retrodirektivního anténního pole – flíčková anténa, směšovač, dolní propust a pásmová zádrž, slučovač signálů a Wilkinsonův dělič výkonu. Pro analýzu antény je použit také program CST Microwave Studio. Další část práce se zabývá realizací jednotlivých bloků retro direktivního anténního pole a měřením jejich parametrů.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Šindler

Strana 11 z 118

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!
Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
......... 40 Obr... 5.................. 5...........................................40: Vzhled slučovače signálů....... 38 Obr...... 5..........................28: Závislost rozptylových parametrů směšovače kmitočtu ....................................44: Rozptylové parametry pásmové zádrže ..................... 55 Obr....................39: Rozptylové parametry dolní propusti sedmého řádu ......... 46 Obr...................... 5................................................. 5.38: Layout navrženého směšovače ..............37: Fáze výstupního napětí směšovače pro hodnoty fáze vstupního signálu ................30: Závislost parametru s11 napětí VGS pro GHz ..31: Závislost parametru s11 napětí VGS pro 6,25 GHz .......... 5.................................................18: Raytheon Statz model [26].... 5................ 51 Obr...26: Schéma vstupního napájecího obvodu..................................................................... 5.................... 50 Obr. 54 Obr... 57 Obr.............................25: Kmitočtové závislostí rozptylových parametrů výstupního napájecího obvodu........................................................................ 5............... 52 Obr................................................................................................. 39 Obr....... 48 Obr...........................27: Kmitočtové závislostí rozptylových parametrů vstupního napájecího obvodu. 45 Obr.............. 46 Obr.............. 57 Obr........................... 53 Obr.................. 37 Obr.............................................33: Závislost konverzního zisku směšovače výkonu signálu oscilátoru ...24: Schéma výstupního napájecího obvodu.................................xi Obr........... 5..20: Zapojení pro testování vysokofrekvenčních vlastností nelineárního modelu ............................. 5............ 5............. 51 Obr. 50 Obr.....................23: Kmitočtové závislostí rozptylových parametrů obou modelů Smithův diagram.42: Rozptylové parametry slučovače signálů přenosy...... 5............................... 5..............29: Závislost rozptylových parametrů druhé verze směšovače kmitočtu .. 44 Obr.35: Závislost výkonu výstupního signálu výkonu signálu................... 60 ... 5..............34: Závislost konverzního zisku směšovače výkonu signálu.......... 5............... 56 Obr...........................................................22: Porovnání kmitočtových závislostí činitelů stability obou modelů .................... 5. 42 Obr... 5..... 5...............43: Vzhled pásmové zádrže ............................ 49 Obr.. 42 Obr... 58 Obr......21: Porovnání kmitočtových závislostí rozptylových parametrů obou modelů....45: Zlepšení impedančního přizpůsobení pásmové zádrže pomocí paralelního pahýlu.......................................................... 5..............................17: Raytheon Statz model vnitřního tranzistoru [25].............................................. 5.......19: Závislost (VGS) zjištěná analýzou nelineárního modelu tranzistoru........ 5...................... 5.. ............................................ 54 Obr... 5............41: Rozptylové parametry slučovače signálů impedanční přizpůsobení vstupů ..... 5.... 5............................. 43 Obr............................ 5.................36: Výstupní spektrum směšovače................................................................ 5.................. 59 Obr........................... 5......... 59 Obr.32: Závislost parametru s22 napětí VGS pro 5,75 GHz ...