Retrodirektivní anténní pole

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

V první části této práce je shrnuta základní teorie retrodirektivních anténních polí a jejich jednotlivých částí – antén a směšovačů. Dále je uveden krátký přehled možností využití retrodirektivních anténních polí k přenosu informace. Druhá část práce se zabývá návrhem konkrétního retrodirektivního pole. Návrh začíná sestavením modelu anténního pole v programu MATLAB. Poté je zvolena vhodná struktura pro další návrh. Dále jsou navrženy a v programu Ansoft Designer analyzovány jednotlivé části retrodirektivního anténního pole – flíčková anténa, směšovač, dolní propust a pásmová zádrž, slučovač signálů a Wilkinsonův dělič výkonu. Pro analýzu antény je použit také program CST Microwave Studio. Další část práce se zabývá realizací jednotlivých bloků retro direktivního anténního pole a měřením jejich parametrů.

Strana 11 z 118

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

..29: Závislost rozptylových parametrů druhé verze směšovače kmitočtu ................ 49 Obr.... 42 Obr.................. 50 Obr...... 5...........34: Závislost konverzního zisku směšovače výkonu signálu..................... 57 Obr..... 46 Obr.................................................................... 38 Obr.................43: Vzhled pásmové zádrže .................................... 58 Obr... 5......................35: Závislost výkonu výstupního signálu výkonu signálu............33: Závislost konverzního zisku směšovače výkonu signálu oscilátoru ........37: Fáze výstupního napětí směšovače pro hodnoty fáze vstupního signálu . 5......................................... 5......30: Závislost parametru s11 napětí VGS pro GHz ........................................................................................ 54 Obr..27: Kmitočtové závislostí rozptylových parametrů vstupního napájecího obvodu................... 5. 5....................44: Rozptylové parametry pásmové zádrže ................ 5. 56 Obr.....................................45: Zlepšení impedančního přizpůsobení pásmové zádrže pomocí paralelního pahýlu.... 5................ 40 Obr............... 43 Obr.........................................................xi Obr........................................ 5........................ 45 Obr.. 5.... 48 Obr...... 37 Obr.............................................................. 44 Obr...............41: Rozptylové parametry slučovače signálů impedanční přizpůsobení vstupů . 5..................... 5.............22: Porovnání kmitočtových závislostí činitelů stability obou modelů ... 60 ............................. 42 Obr.....................................23: Kmitočtové závislostí rozptylových parametrů obou modelů Smithův diagram... 5..... 5...........18: Raytheon Statz model [26]...... 5................ 5..........32: Závislost parametru s22 napětí VGS pro 5,75 GHz ................................ 5..40: Vzhled slučovače signálů...... ............... 5..........21: Porovnání kmitočtových závislostí rozptylových parametrů obou modelů.............. 54 Obr................ 50 Obr................................. 5...28: Závislost rozptylových parametrů směšovače kmitočtu .............................. 5........... 5.......................39: Rozptylové parametry dolní propusti sedmého řádu ............ 53 Obr................ 5....................................................................38: Layout navrženého směšovače ......... 51 Obr... 59 Obr.........................................26: Schéma vstupního napájecího obvodu............................................. 59 Obr................................. 51 Obr......... 5........ 39 Obr.............20: Zapojení pro testování vysokofrekvenčních vlastností nelineárního modelu ............................ 52 Obr......31: Závislost parametru s11 napětí VGS pro 6,25 GHz .........................................24: Schéma výstupního napájecího obvodu.........17: Raytheon Statz model vnitřního tranzistoru [25]...... 5........................... 5................................. 55 Obr.............25: Kmitočtové závislostí rozptylových parametrů výstupního napájecího obvodu......................................36: Výstupní spektrum směšovače.19: Závislost (VGS) zjištěná analýzou nelineárního modelu tranzistoru.............. 5......... 46 Obr......42: Rozptylové parametry slučovače signálů přenosy.................... 5............... 5........................... 5... 57 Obr......................................

---

---