Kniha obsahuje návody na stavbu elektroakustických zařízení, nízkofrekvenčních zesilovačů, elektronických měřicích přístrojů, generátorů a dalších elektronických přístrojů a zařízení. Kniha je určena především zkušeným radioamatérům.
Kapacita paměti dat RAM nemusí být pouze KB.
Mikroprocesor umožňuje řídicími signály realizovat nutné rozlišení. Tyto velkokapacitní paměti
EPROM ovšem používají jako nosiče rozsáhlých monitorů, vyšších
programovacích jazyků (např. (Obdobně signál MEMR získatelný součinem negovaných výcho
116
. Zapojení pro
realizaci těchto součinů obr. jazyku BASIC) apod.programové paměti EPROM jen čte, nemusí být vybavena řídicím
vstupem tedy aktivuje jen signálem CS.
Logickým součinem negovaných signálů IORQ obdržíme řídicí
signál IOWR, součinem signálů IORQ pak IORD. Totéž týká pamětí EPROM, jež
se vyskytují trhu již kapacitami (2732), (2764), KB
(27128) nebo dokonce (27256). Naproti tomu při použití modernějších
typů počet kusů klesá např. nimi setkáme
spíše osobních počítačů než jednoduchých školních mikropočítačů.11. typ 4118 organizací 024 bitů
představuje téměř ideální paměťový obvod RAM kapacitě KB, rovněž
tak typy 6116 kapacitou nejnovější typy 6264 kapacitou KB
nebo typy 62256 kapacitou KB.
Tam totiž spolehlivě vystačíme kapacitou paměti ROM/EPROM do
2 KB., generovanými odebíra
nými příslušné logiky řízení. Tam, kde nesta
čila, lze připojit další obvody, které budou uvolňovány příslušnými řídicí
mi signály, aktivními nule, tj. praxi rovněž setkáváme odchylnými
typy paměťových obvodů; zapojeních starších mikropočítačů jsou to
obvykle typy 2102 organizací 024 bit.
V případě použití Z80-CPU jsou tyto čtyři signály:
MREQ aktivní nule, indikující, adresové sběrnici nachází
platná adresa pro čtení zápis paměti,
IORQ aktivní nule, indikující, obsahuje platnou adresu
vstupní/výstupní brány pro čtení nebo zápis,
RD aktivní nule, indikující, CPU čte data paměti nebo brány,
WR aktivní nule, indikující, datové sběrnici jsou platná data, jež
mají být uložena adresované paměti nebo brány. MS2, MS3 atd. Logickým součinem negovaných
signálů MREQ získáme signál MEMW, jenž postačí pro řízení
pamětí. „dolní“ polovina adresové sběrni
ce) může svým obsahem adresovat paměť vstupní nebo výstupní obvod. Pro kapacitu jich musí
být pochopitelně použito kusů.
D ekodéry pamětí vstupních/výstupních obvodů
Osm adresových vedení 0až (tj. 4
