Příručka silnoproudé elektrotechniky

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 845 z 993

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
904. MATERIÁLY PRO FOTOELEKTRICKÝ MÉNIČ ENERGIE Schematické uspořádání fotovoltaického článku, který základním elementem foto­ elektrického měniče energie, obr. 903ab. Těmto tloušťkám současně měly odpovídat difúzni délky minoritních nosičů příslušných materiálů. ohledem činitele pohlcení záření činí tato tloušťka křemíku asi 100 ¡xm, zatímco slitin InP, GaAs, CdS jen asi iim. 902.2.0 1,8 2,6 E teVJ Obr. Vliv velikosti sériového odporu voltampérovou charakteristiku 1 4Í1 využití energie dopadajícího záření napěťový činitel »?n rovnající poměru napětí ř/0 k šířce zakázaného pásma, vyjádřené voltech.6. Pro uvedený příklad r\o %. Vrstva musí mít vhodnou tloušťku, aby záření dostalo do oblasti přechodu. Výsledná účinnost slunečního měniče rovná V rjorjurisríK Její maximální hodnota závisí také vlastnostech použitého polovodičového materiálu, na jeho teplotě, podmínkách ozařování, jak patrné obr. Závislost účinnosti fotoelektrického měniče šířce zakázaného pásma Eg polovodiče: vliv teploty přechodu, vliv ozáření: povrchu Země, prostoru nad atmosférou 16. Sériový odpor fotoelektrického měniče (obr. 1.lentní teplota f)[ 1000 celkový počet fotonů příslušný této teplotě odpovídá počtu fotonů, které při teplotě mají energii Eg. Záření vstupuje straně vrstvy typu která je opatřena úzkými kontakty. 903. křivkovým fak­ torem (činitelem zaplnění) Další spektrální činitel rjs, kterým uvažuje pouze částečné Obr. 880 . 902) projevuje tzv