Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
Se zvyšující teplotou elektrody (např.
3,66. 204. Hustota iontového proudu, vznikajícího tímto procesem,
vyjádřená rovnicí podle Sahy Langmuira . teplota kolektoru, jsou adsorbovány něko-
likaatomové vrstvy, jež mění původní výstupní potenciál kovového povrchu hodnotu,
která prakticky rovná výstupnímu potenciálu kapalného cesia leží oboru 1,5 eV. Tyto hodnoty jsou pro některé kovy
uvedeny tab. 104
_ epcs{2TzmcBk& ca)~1/2 _________________ ]/@cs_______ (16-25)
1 exp
e(Ui e)
k E
e, -s—
1+2„ p[11<09ín ]
650 600 500 400 350
871
. na
emiteru TEM měniče, tzv. 894)
až hodnoty čistého kovového povrchu elektrody. 204. Výstupní potenciály čistých kovových povrchů některých vysoko-
tavitelných kovů, vhodných pro elektrody TEM měničů
Kov Struktura [V| [K]
W
polykrystalická 4,6
2 600
monokrystal 5,0
Mo polykrystalická 4,5 300
Ta monokrystal 4,3 400
Re
polykrystalická 4,8
2 500
monokrystal 5,4
Jiný důležitý proces probíhající povrchu elektrod vysokou teplotou, např. Při nižších teplotách, jako např. povrchová ionizace atomu cesia, které při svých nahodilých
pohybech dopadají elektrodu.
Tah.ÁeícmJ Nalézá-li prostředí cesiové páry kovová elektroda, absorbují jejím povrchu
cesiové atomy. emitoru) zmenšuje hustota adsorbovaných atomů
cesia, povrch atomy cesia neúplně pokrytý jeho výstupní potenciál zvětšuje (obr
