Příručka silnoproudé elektrotechniky

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 836 z 993

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
ÁeícmJ Nalézá-li prostředí cesiové páry kovová elektroda, absorbují jejím povrchu cesiové atomy. Hustota iontového proudu, vznikajícího tímto procesem, vyjádřená rovnicí podle Sahy Langmuira . Výstupní potenciály čistých kovových povrchů některých vysoko- tavitelných kovů, vhodných pro elektrody TEM měničů Kov Struktura [V| [K] W polykrystalická 4,6 2 600 monokrystal 5,0 Mo polykrystalická 4,5 300 Ta monokrystal 4,3 400 Re polykrystalická 4,8 2 500 monokrystal 5,4 Jiný důležitý proces probíhající povrchu elektrod vysokou teplotou, např. Tah. 204. Se zvyšující teplotou elektrody (např. 894) až hodnoty čistého kovového povrchu elektrody. Tyto hodnoty jsou pro některé kovy uvedeny tab. na emiteru TEM měniče, tzv. Při nižších teplotách, jako např. 3,66. 204. povrchová ionizace atomu cesia, které při svých nahodilých pohybech dopadají elektrodu. 104 _ epcs{2TzmcBk& ca)~1/2 _________________ ]/@cs_______ (16-25) 1 exp e(Ui e) k E e, -s— 1+2„ p[11<09ín ] 650 600 500 400 350 871 . emitoru) zmenšuje hustota adsorbovaných atomů cesia, povrch atomy cesia neúplně pokrytý jeho výstupní potenciál zvětšuje (obr. teplota kolektoru, jsou adsorbovány něko- likaatomové vrstvy, jež mění původní výstupní potenciál kovového povrchu hodnotu, která prakticky rovná výstupnímu potenciálu kapalného cesia leží oboru 1,5 eV