Příručka silnoproudé elektrotechniky

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 836 z 993

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
povrchová ionizace atomu cesia, které při svých nahodilých pohybech dopadají elektrodu. Tah. 3,66. emitoru) zmenšuje hustota adsorbovaných atomů cesia, povrch atomy cesia neúplně pokrytý jeho výstupní potenciál zvětšuje (obr. 894) až hodnoty čistého kovového povrchu elektrody. Se zvyšující teplotou elektrody (např. Při nižších teplotách, jako např. Tyto hodnoty jsou pro některé kovy uvedeny tab. 204. teplota kolektoru, jsou adsorbovány něko- likaatomové vrstvy, jež mění původní výstupní potenciál kovového povrchu hodnotu, která prakticky rovná výstupnímu potenciálu kapalného cesia leží oboru 1,5 eV. Hustota iontového proudu, vznikajícího tímto procesem, vyjádřená rovnicí podle Sahy Langmuira . na emiteru TEM měniče, tzv.ÁeícmJ Nalézá-li prostředí cesiové páry kovová elektroda, absorbují jejím povrchu cesiové atomy. Výstupní potenciály čistých kovových povrchů některých vysoko- tavitelných kovů, vhodných pro elektrody TEM měničů Kov Struktura [V| [K] W polykrystalická 4,6 2 600 monokrystal 5,0 Mo polykrystalická 4,5 300 Ta monokrystal 4,3 400 Re polykrystalická 4,8 2 500 monokrystal 5,4 Jiný důležitý proces probíhající povrchu elektrod vysokou teplotou, např. 104 _ epcs{2TzmcBk& ca)~1/2 _________________ ]/@cs_______ (16-25) 1 exp e(Ui e) k E e, -s— 1+2„ p[11<09ín ] 650 600 500 400 350 871 . 204