Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
Vstupní charakteristika f(t/BE) znázorněna III.
Převodní charakteristika (Ib) znázorněna II.
Výstupní charakteristika, znázorněná kvadrantu f(í/c parametr vstupní
proud, tj. Tranzistor typu NPN kratší spínací
časy. Výstupní charakteristika tyto pracovní oblasti:
Oblast závěrná (I) tranzistor nachází nevodivém stavu. této charakteristiky můžeme zjistit statický vstupní odpor ähe.
Oblast aktivní (II) tranzistor chová jako aktivní obvod zesílením.proudový zesilovací činitel zapojení společnou bází. kvadrantu.
V teorii obvodů označován foiB-
V tabulce jsou uvedeny tři možné způsoby zapojení tranzistoru obvodu (tran
zistor NPN) odpovídající obvodové parametry. proud báze /b. vzrůstající velikostí odporu napětí Ucer klesá.
Závěrné napětí kolektor emitor í/cek závislé velikosti odporu zapojeném mezi
bází emitor 2?be. Parametrem
je napětí t/cE. značně závislý na
emitorovém proudu (typická hodnota běžného tranzistoru maximálně 0,9). Oblast bez
pečné činnosti vymezena čtyřmi limitními parametry pro stejnosměrný proud:
*) Anglicky: Safe Operating Area (SOAR)
2 10
. Aktivní oblast
je vymezena takto: Ucb této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě
pracující zesilovač.
Oblast nasycená (III) tranzistor vodivém stavu. Parametrem je
napětí Oce- Pro aplikace důležitý stejnosměrný proudový zesilovací činitel /¡2ie, jelikož
zásadním způsobem ovlivňuje účinnost celého zařízení obvodové řešení.
Oblast bezpečné činnosti tranzistoru*) důležitý parametr udávaný katalozích výko
nových tranzistorů soustavou křivek (obvykle logaritmických souřadnicích).
b) Statické vlastnosti
Statické vlastnosti jsou reprezentovány statickými stejnosměrnými charakteristikami,
které lze výhodou zakreslit společných (obr. Emitorový přechod polován přímém,' kolektorový přechod ve
zpětném směru. saturační napětí £7Ce sat). 107). Pro křemíkové tranzistory
lze hranici této oblasti považovat případ, kdy Oba přechody jsou polovány ve
zpětném směru. Hranicí této oblasti mez
nasycení, tj. Činitel híie značně
závisí kolektorovém proudu při jeho určité velikosti dosahuje maximální hodnoty. kvadrantu.: Ucb Napětí í/oe meze nasycení téměř konstantní. vlastně úby
tek napětí zapnutém stavu (tzn
