Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
Tranzistor typu NPN kratší spínací
časy.: Ucb Napětí í/oe meze nasycení téměř konstantní. Oblast bez
pečné činnosti vymezena čtyřmi limitními parametry pro stejnosměrný proud:
*) Anglicky: Safe Operating Area (SOAR)
2 10
.
Vstupní charakteristika f(t/BE) znázorněna III.
V teorii obvodů označován foiB-
V tabulce jsou uvedeny tři možné způsoby zapojení tranzistoru obvodu (tran
zistor NPN) odpovídající obvodové parametry. vlastně úby
tek napětí zapnutém stavu (tzn. Parametrem je
napětí Oce- Pro aplikace důležitý stejnosměrný proudový zesilovací činitel /¡2ie, jelikož
zásadním způsobem ovlivňuje účinnost celého zařízení obvodové řešení. Parametrem
je napětí t/cE. saturační napětí £7Ce sat). této charakteristiky můžeme zjistit statický vstupní odpor ähe.
Oblast bezpečné činnosti tranzistoru*) důležitý parametr udávaný katalozích výko
nových tranzistorů soustavou křivek (obvykle logaritmických souřadnicích). značně závislý na
emitorovém proudu (typická hodnota běžného tranzistoru maximálně 0,9). Pro křemíkové tranzistory
lze hranici této oblasti považovat případ, kdy Oba přechody jsou polovány ve
zpětném směru. Činitel híie značně
závisí kolektorovém proudu při jeho určité velikosti dosahuje maximální hodnoty. Emitorový přechod polován přímém,' kolektorový přechod ve
zpětném směru. kvadrantu.
Oblast aktivní (II) tranzistor chová jako aktivní obvod zesílením.
b) Statické vlastnosti
Statické vlastnosti jsou reprezentovány statickými stejnosměrnými charakteristikami,
které lze výhodou zakreslit společných (obr. proud báze /b. Aktivní oblast
je vymezena takto: Ucb této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě
pracující zesilovač. Výstupní charakteristika tyto pracovní oblasti:
Oblast závěrná (I) tranzistor nachází nevodivém stavu.
Převodní charakteristika (Ib) znázorněna II. vzrůstající velikostí odporu napětí Ucer klesá. 107).
Závěrné napětí kolektor emitor í/cek závislé velikosti odporu zapojeném mezi
bází emitor 2?be.
Oblast nasycená (III) tranzistor vodivém stavu. Hranicí této oblasti mez
nasycení, tj.proudový zesilovací činitel zapojení společnou bází. kvadrantu.
Výstupní charakteristika, znázorněná kvadrantu f(í/c parametr vstupní
proud, tj
