Příručka silnoproudé elektrotechniky

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 210 z 993

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Emitorový přechod polován přímém,' kolektorový přechod ve zpětném směru. Hranicí této oblasti mez nasycení, tj. kvadrantu. Oblast bezpečné činnosti tranzistoru*) důležitý parametr udávaný katalozích výko­ nových tranzistorů soustavou křivek (obvykle logaritmických souřadnicích). Parametrem je napětí Oce- Pro aplikace důležitý stejnosměrný proudový zesilovací činitel /¡2ie, jelikož zásadním způsobem ovlivňuje účinnost celého zařízení obvodové řešení. Pro křemíkové tranzistory lze hranici této oblasti považovat případ, kdy Oba přechody jsou polovány ve zpětném směru. Výstupní charakteristika, znázorněná kvadrantu f(í/c parametr vstupní proud, tj. kvadrantu. vzrůstající velikostí odporu napětí Ucer klesá. Oblast nasycená (III) tranzistor vodivém stavu. Parametrem je napětí t/cE. vlastně úby­ tek napětí zapnutém stavu (tzn. Převodní charakteristika (Ib) znázorněna II. Tranzistor typu NPN kratší spínací časy. V teorii obvodů označován foiB- V tabulce jsou uvedeny tři možné způsoby zapojení tranzistoru obvodu (tran­ zistor NPN) odpovídající obvodové parametry. Aktivní oblast je vymezena takto: Ucb této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující zesilovač. 107). Činitel híie značně závisí kolektorovém proudu při jeho určité velikosti dosahuje maximální hodnoty. b) Statické vlastnosti Statické vlastnosti jsou reprezentovány statickými stejnosměrnými charakteristikami, které lze výhodou zakreslit společných (obr.: Ucb Napětí í/oe meze nasycení téměř konstantní. Výstupní charakteristika tyto pracovní oblasti: Oblast závěrná (I) tranzistor nachází nevodivém stavu. Vstupní charakteristika f(t/BE) znázorněna III. proud báze /b.proudový zesilovací činitel zapojení společnou bází. saturační napětí £7Ce sat). značně závislý na emitorovém proudu (typická hodnota běžného tranzistoru maximálně 0,9). této charakteristiky můžeme zjistit statický vstupní odpor ähe. Oblast bez­ pečné činnosti vymezena čtyřmi limitními parametry pro stejnosměrný proud: *) Anglicky: Safe Operating Area (SOAR) 2 10 . Závěrné napětí kolektor emitor í/cek závislé velikosti odporu zapojeném mezi bází emitor 2?be. Oblast aktivní (II) tranzistor chová jako aktivní obvod zesílením