Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
Hranicí této oblasti mez
nasycení, tj.: Ucb Napětí í/oe meze nasycení téměř konstantní. Aktivní oblast
je vymezena takto: Ucb této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě
pracující zesilovač.
V teorii obvodů označován foiB-
V tabulce jsou uvedeny tři možné způsoby zapojení tranzistoru obvodu (tran
zistor NPN) odpovídající obvodové parametry. Pro křemíkové tranzistory
lze hranici této oblasti považovat případ, kdy Oba přechody jsou polovány ve
zpětném směru. proud báze /b.
b) Statické vlastnosti
Statické vlastnosti jsou reprezentovány statickými stejnosměrnými charakteristikami,
které lze výhodou zakreslit společných (obr. Výstupní charakteristika tyto pracovní oblasti:
Oblast závěrná (I) tranzistor nachází nevodivém stavu. 107). této charakteristiky můžeme zjistit statický vstupní odpor ähe.
Výstupní charakteristika, znázorněná kvadrantu f(í/c parametr vstupní
proud, tj. Oblast bez
pečné činnosti vymezena čtyřmi limitními parametry pro stejnosměrný proud:
*) Anglicky: Safe Operating Area (SOAR)
2 10
. vzrůstající velikostí odporu napětí Ucer klesá. Tranzistor typu NPN kratší spínací
časy.
Závěrné napětí kolektor emitor í/cek závislé velikosti odporu zapojeném mezi
bází emitor 2?be.
Oblast nasycená (III) tranzistor vodivém stavu. kvadrantu. Parametrem
je napětí t/cE. značně závislý na
emitorovém proudu (typická hodnota běžného tranzistoru maximálně 0,9). saturační napětí £7Ce sat).
Oblast bezpečné činnosti tranzistoru*) důležitý parametr udávaný katalozích výko
nových tranzistorů soustavou křivek (obvykle logaritmických souřadnicích).
Vstupní charakteristika f(t/BE) znázorněna III. kvadrantu. vlastně úby
tek napětí zapnutém stavu (tzn. Činitel híie značně
závisí kolektorovém proudu při jeho určité velikosti dosahuje maximální hodnoty. Emitorový přechod polován přímém,' kolektorový přechod ve
zpětném směru. Parametrem je
napětí Oce- Pro aplikace důležitý stejnosměrný proudový zesilovací činitel /¡2ie, jelikož
zásadním způsobem ovlivňuje účinnost celého zařízení obvodové řešení.
Oblast aktivní (II) tranzistor chová jako aktivní obvod zesílením.proudový zesilovací činitel zapojení společnou bází.
Převodní charakteristika (Ib) znázorněna II
