Příručka silnoproudé elektrotechniky

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 210 z 993

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Výstupní charakteristika, znázorněná kvadrantu f(í/c parametr vstupní proud, tj. Oblast nasycená (III) tranzistor vodivém stavu. 107). Parametrem je napětí Oce- Pro aplikace důležitý stejnosměrný proudový zesilovací činitel /¡2ie, jelikož zásadním způsobem ovlivňuje účinnost celého zařízení obvodové řešení. Hranicí této oblasti mez nasycení, tj. kvadrantu. značně závislý na emitorovém proudu (typická hodnota běžného tranzistoru maximálně 0,9). saturační napětí £7Ce sat). b) Statické vlastnosti Statické vlastnosti jsou reprezentovány statickými stejnosměrnými charakteristikami, které lze výhodou zakreslit společných (obr. kvadrantu. Vstupní charakteristika f(t/BE) znázorněna III. Závěrné napětí kolektor emitor í/cek závislé velikosti odporu zapojeném mezi bází emitor 2?be.proudový zesilovací činitel zapojení společnou bází. vzrůstající velikostí odporu napětí Ucer klesá. proud báze /b.: Ucb Napětí í/oe meze nasycení téměř konstantní. Činitel híie značně závisí kolektorovém proudu při jeho určité velikosti dosahuje maximální hodnoty. Parametrem je napětí t/cE. vlastně úby­ tek napětí zapnutém stavu (tzn. Oblast bezpečné činnosti tranzistoru*) důležitý parametr udávaný katalozích výko­ nových tranzistorů soustavou křivek (obvykle logaritmických souřadnicích). Tranzistor typu NPN kratší spínací časy. této charakteristiky můžeme zjistit statický vstupní odpor ähe. Oblast bez­ pečné činnosti vymezena čtyřmi limitními parametry pro stejnosměrný proud: *) Anglicky: Safe Operating Area (SOAR) 2 10 . Pro křemíkové tranzistory lze hranici této oblasti považovat případ, kdy Oba přechody jsou polovány ve zpětném směru. Výstupní charakteristika tyto pracovní oblasti: Oblast závěrná (I) tranzistor nachází nevodivém stavu. Aktivní oblast je vymezena takto: Ucb této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující zesilovač. Emitorový přechod polován přímém,' kolektorový přechod ve zpětném směru. V teorii obvodů označován foiB- V tabulce jsou uvedeny tři možné způsoby zapojení tranzistoru obvodu (tran­ zistor NPN) odpovídající obvodové parametry. Převodní charakteristika (Ib) znázorněna II. Oblast aktivní (II) tranzistor chová jako aktivní obvod zesílením