Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
Vstupní charakteristika f(t/BE) znázorněna III. této charakteristiky můžeme zjistit statický vstupní odpor ähe. Parametrem je
napětí Oce- Pro aplikace důležitý stejnosměrný proudový zesilovací činitel /¡2ie, jelikož
zásadním způsobem ovlivňuje účinnost celého zařízení obvodové řešení. vzrůstající velikostí odporu napětí Ucer klesá.: Ucb Napětí í/oe meze nasycení téměř konstantní. Pro křemíkové tranzistory
lze hranici této oblasti považovat případ, kdy Oba přechody jsou polovány ve
zpětném směru. Oblast bez
pečné činnosti vymezena čtyřmi limitními parametry pro stejnosměrný proud:
*) Anglicky: Safe Operating Area (SOAR)
2 10
. 107). Hranicí této oblasti mez
nasycení, tj.
Oblast aktivní (II) tranzistor chová jako aktivní obvod zesílením.
Oblast bezpečné činnosti tranzistoru*) důležitý parametr udávaný katalozích výko
nových tranzistorů soustavou křivek (obvykle logaritmických souřadnicích). Aktivní oblast
je vymezena takto: Ucb této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě
pracující zesilovač. proud báze /b. kvadrantu.
b) Statické vlastnosti
Statické vlastnosti jsou reprezentovány statickými stejnosměrnými charakteristikami,
které lze výhodou zakreslit společných (obr. saturační napětí £7Ce sat).
Výstupní charakteristika, znázorněná kvadrantu f(í/c parametr vstupní
proud, tj. Parametrem
je napětí t/cE. Tranzistor typu NPN kratší spínací
časy. značně závislý na
emitorovém proudu (typická hodnota běžného tranzistoru maximálně 0,9). vlastně úby
tek napětí zapnutém stavu (tzn.
Převodní charakteristika (Ib) znázorněna II.
Oblast nasycená (III) tranzistor vodivém stavu.proudový zesilovací činitel zapojení společnou bází.
V teorii obvodů označován foiB-
V tabulce jsou uvedeny tři možné způsoby zapojení tranzistoru obvodu (tran
zistor NPN) odpovídající obvodové parametry. Emitorový přechod polován přímém,' kolektorový přechod ve
zpětném směru. Činitel híie značně
závisí kolektorovém proudu při jeho určité velikosti dosahuje maximální hodnoty.
Závěrné napětí kolektor emitor í/cek závislé velikosti odporu zapojeném mezi
bází emitor 2?be. kvadrantu. Výstupní charakteristika tyto pracovní oblasti:
Oblast závěrná (I) tranzistor nachází nevodivém stavu
