Příručka silnoproudé elektrotechniky

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 210 z 993

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
této charakteristiky můžeme zjistit statický vstupní odpor ähe. Převodní charakteristika (Ib) znázorněna II. Oblast aktivní (II) tranzistor chová jako aktivní obvod zesílením. Činitel híie značně závisí kolektorovém proudu při jeho určité velikosti dosahuje maximální hodnoty. vlastně úby­ tek napětí zapnutém stavu (tzn. Tranzistor typu NPN kratší spínací časy. kvadrantu. Hranicí této oblasti mez nasycení, tj. Aktivní oblast je vymezena takto: Ucb této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující zesilovač. Parametrem je napětí t/cE. V teorii obvodů označován foiB- V tabulce jsou uvedeny tři možné způsoby zapojení tranzistoru obvodu (tran­ zistor NPN) odpovídající obvodové parametry. Parametrem je napětí Oce- Pro aplikace důležitý stejnosměrný proudový zesilovací činitel /¡2ie, jelikož zásadním způsobem ovlivňuje účinnost celého zařízení obvodové řešení. 107). Závěrné napětí kolektor emitor í/cek závislé velikosti odporu zapojeném mezi bází emitor 2?be. Vstupní charakteristika f(t/BE) znázorněna III. vzrůstající velikostí odporu napětí Ucer klesá. Emitorový přechod polován přímém,' kolektorový přechod ve zpětném směru. Výstupní charakteristika tyto pracovní oblasti: Oblast závěrná (I) tranzistor nachází nevodivém stavu. Výstupní charakteristika, znázorněná kvadrantu f(í/c parametr vstupní proud, tj. Oblast bez­ pečné činnosti vymezena čtyřmi limitními parametry pro stejnosměrný proud: *) Anglicky: Safe Operating Area (SOAR) 2 10 . Oblast nasycená (III) tranzistor vodivém stavu. Pro křemíkové tranzistory lze hranici této oblasti považovat případ, kdy Oba přechody jsou polovány ve zpětném směru. proud báze /b. kvadrantu. značně závislý na emitorovém proudu (typická hodnota běžného tranzistoru maximálně 0,9).proudový zesilovací činitel zapojení společnou bází. saturační napětí £7Ce sat).: Ucb Napětí í/oe meze nasycení téměř konstantní. Oblast bezpečné činnosti tranzistoru*) důležitý parametr udávaný katalozích výko­ nových tranzistorů soustavou křivek (obvykle logaritmických souřadnicích). b) Statické vlastnosti Statické vlastnosti jsou reprezentovány statickými stejnosměrnými charakteristikami, které lze výhodou zakreslit společných (obr