Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
proudový zesilovací činitel zapojení společnou bází.
Oblast bezpečné činnosti tranzistoru*) důležitý parametr udávaný katalozích výko
nových tranzistorů soustavou křivek (obvykle logaritmických souřadnicích). saturační napětí £7Ce sat).: Ucb Napětí í/oe meze nasycení téměř konstantní.
b) Statické vlastnosti
Statické vlastnosti jsou reprezentovány statickými stejnosměrnými charakteristikami,
které lze výhodou zakreslit společných (obr. Oblast bez
pečné činnosti vymezena čtyřmi limitními parametry pro stejnosměrný proud:
*) Anglicky: Safe Operating Area (SOAR)
2 10
. Parametrem
je napětí t/cE. Činitel híie značně
závisí kolektorovém proudu při jeho určité velikosti dosahuje maximální hodnoty. proud báze /b.
Vstupní charakteristika f(t/BE) znázorněna III. značně závislý na
emitorovém proudu (typická hodnota běžného tranzistoru maximálně 0,9). této charakteristiky můžeme zjistit statický vstupní odpor ähe.
Závěrné napětí kolektor emitor í/cek závislé velikosti odporu zapojeném mezi
bází emitor 2?be. Aktivní oblast
je vymezena takto: Ucb této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě
pracující zesilovač. Tranzistor typu NPN kratší spínací
časy. kvadrantu. Hranicí této oblasti mez
nasycení, tj.
Převodní charakteristika (Ib) znázorněna II. vzrůstající velikostí odporu napětí Ucer klesá. vlastně úby
tek napětí zapnutém stavu (tzn. 107). Parametrem je
napětí Oce- Pro aplikace důležitý stejnosměrný proudový zesilovací činitel /¡2ie, jelikož
zásadním způsobem ovlivňuje účinnost celého zařízení obvodové řešení. Pro křemíkové tranzistory
lze hranici této oblasti považovat případ, kdy Oba přechody jsou polovány ve
zpětném směru.
Výstupní charakteristika, znázorněná kvadrantu f(í/c parametr vstupní
proud, tj.
Oblast aktivní (II) tranzistor chová jako aktivní obvod zesílením.
Oblast nasycená (III) tranzistor vodivém stavu. Emitorový přechod polován přímém,' kolektorový přechod ve
zpětném směru.
V teorii obvodů označován foiB-
V tabulce jsou uvedeny tři možné způsoby zapojení tranzistoru obvodu (tran
zistor NPN) odpovídající obvodové parametry. kvadrantu. Výstupní charakteristika tyto pracovní oblasti:
Oblast závěrná (I) tranzistor nachází nevodivém stavu
