Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
U, tranzistoru využívá jevu, jehož podstata spočívá tom, velikost proudu procházejí
cího závěrně pólovaným přechodem výrazně ovlivňována proudem, procházejícím
propustně pólovaným přechodem. Zde bude věnována pozornost pouze tran
zistoru plošnými přechody popsanými dříve. Zjednodušeně
pak lze psát
Ic oc/ /cbo
Jb /e
kde proud báze,
I proud emitoru,
Ic proud kolektoru,
(6-4)
(6-5)
208
. Vzájemné uspořádání vrstev, tj.
a) Stručný popis funkce
Tranzistor třívrstvá polovodičová trioda. PLOŠNÝ TRANZISTOR
Hrotový tranzistor, jehož objev stál prahu rozvoje polovodičové techniky, nemá
v oblasti silnoproudé elektrotechniky uplatnění.2. Každá vrstev je
vyvedena elektrodu označené takto: emitor, báze, kolektor. Každý těchto pře
chodů může být vnějšími obvody pólován buď přímém, nebo zpětném směru.katalozích výrobců polovodičových součástek jsou uváděny grafické formě závis
losti '(/ f(&) pro nejčastěji vyskytující průběhy proudů pro
cházející diodou. Stejnosměrné
charakteristiky tranzistoru
NPN zapojení společným
emitorem (schematické
znázornění)
Z uspořádání vyplývá, tranzistor dva přechody J2.
Střední ztrátový závěrný výkon (AV) vzhledem nepatrné velikosti závěrného
proudu, podmínek předpokládající dobré chlazení provozní teplotu 150 obvykle
zanedbatelný. 107. Příslušné přechody,
nacházející mezi elektrodami, nazývají emitorový kolektorový. 107) propustně
pólován emitorový přechod závěrně pólován kolektorový přechod. Určuje
se výpočtem [51], [52], [53],
6. přechodů
PN, může být dvojfa odtud dva typy tranzistoru:
tranzistor typu PNP tranzistorjypu NPN (tab. nutné jej respektovat případě, tyto podmínky nejsou splněny. Implicitně již'tedy tyto průběhy zahrnují vliv činitele tvaru k\. 57).2.
Obr. aktivní oblasti tranzistoru (obr
