Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 7 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

H i 1 _________ ^ 1-------------------------------+ ------------------------- i A prierez, l dĺžka, vd rýchlosť elektrónu, I prúd.Pásmový model látky. Ak medzi dve miesta látke pripojíme zdroj napätia, vznikne vnútri kryštálovej mriežky elektrické pole, ktoré dáva voľným elektrónom zložku rýchlosti v smere kladnému pólu zdroja.