Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 6 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
tepla) to, aby elektróny mohli uvoľňovať väzieb, pohybujú sa voľné elektróny kryštálovej mriežke neusporiadanými pohybmi, ktoré pripomínajú hemženie. Pritom však žiadny smerov pohybu neprevláda a preto napriek veľkej rýchlosti pohybu elektrónov nenastáva prenos náboja v žiadnom smere. Látka dynamickej rovnováhe. Neusporiadaný pohyb elektrónov látke.Pásmový model látky. . Ak látku nepôsobí elektrické pole, ale zabezpečený dostatočný prívod energie (napr