|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...
Vydal: Neurčeno
Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania
Strana 3 z 50
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
Obsah
Základné zapojenia, charakteristiky parametre
bipolárnych tranzistorov,
Dovolená pracovná oblasť tranzistora,
Tranzistory ovládané elektrickým poľom,
Tranzistor ovládaný elektrickým poľom priechodovým
hradlom JFET,
Tranzistor ovládaný elektrickým poľom priechodovým
hradlom MOSFET,
Tranzistor ovládaný elektrickým poľom indukovaným
hradlom,
Náhradná schéma výkonových MOSFET,
Bipolárne tranzistory izolovaným hradlom IGBT,
Porovnanie vlastností tranzistorov,
Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov
