Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 2 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!
Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
■ Činnosť bipolárneho tranzistora, . ■ Diódy ich všeobecné vlastnosti, ■ Náhradný obvod diódy, ■ Dynamické parametre diódy čas zotavenia, ■ Vplyv teploty vlastnosti diód stratový výkon diódy. Pásmový model látky. ■ Druhy polovodičových diód, ■ Tranzistory, ■ Bipolárne tranzistory. Nevlastná vodivosť polovodiča. Priechod PN. Polovodičové obvodové súčiastky.Obsah Stavba hmoty nosiče náboja. Vlastná vodivosť polovodiča