Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 26 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Úbytok elektrónov báze, ktorý vznikol rekombináciou dierami vyrovná bázovým prúdom Tento prúd tvoria elektróny privádzajúce záporného pólu zdroja .y Činnosť bipolárneho tranzistora PNP Polovodičové obvodové súčiastky. p P é1 t — B íta. Ie Ib . Iŕbk IpA)' 2“ 30 -20 -1 j------------ 1_----------- *x? n cb„ uCBl } i PNP , te Spätný prúd diódy kolektor-báza (zbytkový prúd tranzistora). Veľkosť emitorového prúdu možno ovládať napätím e Z celkového počtu dier, ktoré prechádzajú emitora bázy oblasti bázy, rekombinuje len veľmi málo, obyčajne menej ako 1%. Činnosť schematická značka PNP