Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 26 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Ie Ib . Úbytok elektrónov báze, ktorý vznikol rekombináciou dierami vyrovná bázovým prúdom Tento prúd tvoria elektróny privádzajúce záporného pólu zdroja . p P é1 t — B íta. Veľkosť emitorového prúdu možno ovládať napätím e Z celkového počtu dier, ktoré prechádzajú emitora bázy oblasti bázy, rekombinuje len veľmi málo, obyčajne menej ako 1%.y Činnosť bipolárneho tranzistora PNP Polovodičové obvodové súčiastky. Činnosť schematická značka PNP. Iŕbk IpA)' 2“ 30 -20 -1 j------------ 1_----------- *x? n cb„ uCBl } i PNP , te Spätný prúd diódy kolektor-báza (zbytkový prúd tranzistora)