Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 25 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
.j.j. tranzistor, ktorý využíva nosiče náboja obidvoch polarít. Bipolárne tranzistory a) b) Principiálne usporiadanie schematická značka tranzistorov.Polovodičové obvodové súčiastky. Skutočnosť, kolektorový prúd vytvárajú majoritné minoritné nosiče náboja v kolektore (t. diery prichádzajúce bázy, ktoré kolektore majoritnými nosičmi, a elektróny, ktoré minoritnými nosičmi), dôvodom, prečo tranzistor nazýva bipolárny, t