Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 10 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
nevlastnou vodivosťou typu N okrem veľkého množstva voľných elektrónov určitý počet pohyblivých kladných nábojov (dier) opačne. Voľne nosiče náboja, ktorých počet prevláda materiály, nazývajú väčšinové (majoritné) nosiče opačného znamienka sú menšinové (minoritné).Nevlastná vodivosť polovodiča. Preto mat. V materiáloch, ktoré obsahujú prímesi pôsobí vždy súčasne vlastná nevlastná vodivosť, (vlastná vodivosť uvoľňovanie nosičov náboja pri rozbití väzby základného čistého polovodiča).