|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...
Vydal: Neurčeno
Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania
Strana 11 z 50
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
.
Difúzne napätie rozdiel potenciálov medzi časťou N.Si
FUV GcAs
Priechod bez vonkajšieho napätia.
Difúzia snaha voľných nosičov náboja rovnomerne rozptýliť celom
objeme monokryštálu.o«
0 V.,.
Pre majoritné nosiče náboja vytvára difúzne napätie prekážku, ktorá nazýva
potenciálová priehrada (bariéra), pre ktorú nemôžu nosiče náboja prenikať z
jednej strany druhú.
Prechod bez pôsobenia vonkajšieho napätia.Prechod PN.
P N
0 —
N
<?© é©
Ô T
Difúzne napätie na
priechode PN
a2v
