|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...
Vydal: Neurčeno
Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania
Strana 11 z 50
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
P N
0 —
N
<?© é©
Ô T
Difúzne napätie na
priechode PN
a2v.Si
FUV GcAs
Priechod bez vonkajšieho napätia.
Difúzia snaha voľných nosičov náboja rovnomerne rozptýliť celom
objeme monokryštálu.
Prechod bez pôsobenia vonkajšieho napätia.Prechod PN.,.
Difúzne napätie rozdiel potenciálov medzi časťou N.
.
Pre majoritné nosiče náboja vytvára difúzne napätie prekážku, ktorá nazýva
potenciálová priehrada (bariéra), pre ktorú nemôžu nosiče náboja prenikať z
jednej strany druhú.o«
0 V
