Přednášky a cvičení z předmětu Elektrotechnika I a II ve třetím a čtvrtém semestru I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 62 z 128

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
inverzním režimu bude mít tranzistor nižší též podstatně nižší průrazné napětí. případě druhém režimu spínání též samozřejmě rozpínání budou počáteční podmínky takové, tranzistor nevede napětí VBE je nula nebo záporné kolektorem protéká pouze nepatrný proud 10-6 Ico . P přechod báze emitor běžně průrazné napětí hodnotu proto musíme zabezpečit, aby nikdy toto napětí nebylo překročeno režimu uzavřeného tranzistoru. Protože máme strukturu případně naskýtá otázka, čemu dojde, zaměníme-li emitor kolektorem kolektor emitorem. Skutečné tranzistory však symetrické nejsou emitor vyšší dopování než kolektor, menší geometrické rozměry, atd.Sepnutí dosáhneme tím, „skokem“ napětí změníme hodnotu +0,7 Tranzistor se otevře poteče jím velký proud, při čemž napětí bude nízké. Tranzistor tedy funguje jako zcela ideální spínač. tj.Obr. 2. klidové proudy napětí nějakého vhodného bodu přivedením relativně malého signálu vstup tranzistoru dojde změnám napětí proudů. dispozici proto pouze takto vymezená oblast. Pokud oblasti kolektoru i emitoru měly shodné fyzikální geometrické vlastnosti velikost dotace, rozměry, atd. Protože tomto režimu podstatné sledování dynamického působení, ponecháme tento spínací režim pozdější dobu budeme dříve zabývat režimem zesilovacím. prvním případě zesilovacím režimu nastavíme pracovní podmínky tj.3-5, kde máme vynesenu hyperbolu maximální výkonové přípustné ztráty, vidíme dále, pro vysoká napětí dochází průrazu obdoba lavinového průrazu n přechodu proto nemůžeme užít vyšší napětí než VcEmax technických důvodů je omezen maximální proud kolektorem. Uvažujme následující zapojení: 64 . Bipolární tranzistor běžně užívá dvou režimech režimu zesilování režimu spínání. tranzistor byl zcela symetrický, nestalo vůbec nic výsledný tranzistor měl tytéž charakteristiky. proto tomto tzv