proto tomto tzv. 2.
tranzistor byl zcela symetrický, nestalo vůbec nic výsledný tranzistor měl tytéž
charakteristiky. prvním případě zesilovacím režimu nastavíme pracovní podmínky tj.Obr. Skutečné tranzistory však symetrické nejsou emitor vyšší dopování než
kolektor, menší geometrické rozměry, atd.
Protože máme strukturu případně naskýtá otázka, čemu
dojde, zaměníme-li emitor kolektorem kolektor emitorem. klidové
proudy napětí nějakého vhodného bodu přivedením relativně malého signálu vstup
tranzistoru dojde změnám napětí proudů. Uvažujme následující zapojení:
64
.Sepnutí
dosáhneme tím, „skokem“ napětí změníme hodnotu +0,7 Tranzistor se
otevře poteče jím velký proud, při čemž napětí bude nízké. Protože tomto režimu podstatné sledování dynamického
působení, ponecháme tento spínací režim pozdější dobu budeme dříve zabývat režimem
zesilovacím. případě druhém režimu spínání též
samozřejmě rozpínání budou počáteční podmínky takové, tranzistor nevede napětí VBE
je nula nebo záporné kolektorem protéká pouze nepatrný proud 10-6 Ico . dispozici proto pouze takto vymezená oblast.
P přechod báze emitor běžně průrazné napětí hodnotu proto
musíme zabezpečit, aby nikdy toto napětí nebylo překročeno režimu uzavřeného tranzistoru.3-5, kde máme vynesenu hyperbolu maximální výkonové přípustné ztráty, vidíme
dále, pro vysoká napětí dochází průrazu obdoba lavinového průrazu n
přechodu proto nemůžeme užít vyšší napětí než VcEmax technických důvodů je
omezen maximální proud kolektorem.
Bipolární tranzistor běžně užívá dvou režimech režimu zesilování režimu
spínání. tj. Pokud oblasti kolektoru i
emitoru měly shodné fyzikální geometrické vlastnosti velikost dotace, rozměry, atd. inverzním režimu bude
mít tranzistor nižší též podstatně nižší průrazné napětí. Tranzistor tedy funguje
jako zcela ideální spínač
