Přednášky a cvičení z předmětu Elektrotechnika I a II ve třetím a čtvrtém semestru I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 61 z 128

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Tato rekombinace bude zřejmě tím větší, čím déle bude elektron jako minoritní nosič oblasti báze, čili čím bude báze delší.3-5 máme charakteristiky tranzistoru v 63 . 2.1 ) ±E i bo nazýváme proudový zesilovací činitel pro společný emitor. V oblasti báze dochází totiž rekombinaci minoritních nosičů.3. To vysvětluje náš počáteční požadavek blízkého umístění otevřeného přechodu vedle uzavřeného. Ic n l 2.3-4 Běžně 100 Ib@Ic/100 Z převážně ztrátou kolektorového obvodu. 2. běžných tranzistorů bývá báze kratší než / Výkonové poměry bipolárního tranzistoru jeho omezení. Uvažujeme-li společnou svorku emitor, budou poměry podle obrázku : Obr. Bude-li 0,99 , bude @100 / Koeficient charakterizuje tedy základní zesilovací činnost tranzistoru tranzistor = transfer rezistor určen tím, jakou část proudu emitoru dokážeme dovést kolektoru.Výsledkem budou tyto závislosti Poměr proudu kolektoru proudu emitoru nazýváme proudový zesilovací činitel vždy menší než jedna když může jednotce velice přibližovat. Obr