3-4
Běžně 100 Ib@Ic/100
Z
převážně ztrátou kolektorového obvodu. běžných tranzistorů bývá báze kratší než /
Výkonové poměry bipolárního tranzistoru jeho omezení.3-5 máme charakteristiky tranzistoru
v
63
. 2. Tato rekombinace bude zřejmě
tím větší, čím déle bude elektron jako minoritní nosič oblasti báze, čili čím bude báze delší.3.
Ic n
l 2.
V oblasti báze dochází totiž rekombinaci minoritních nosičů. 2. Obr.Výsledkem budou tyto závislosti
Poměr proudu kolektoru proudu emitoru nazýváme proudový zesilovací činitel vždy
menší než jedna když může jednotce velice přibližovat.
To vysvětluje náš počáteční požadavek blízkého umístění otevřeného přechodu vedle
uzavřeného.
Uvažujeme-li společnou svorku emitor, budou poměry podle obrázku :
Obr.1 )
±E i
bo nazýváme proudový zesilovací činitel pro společný emitor. Bude-li 0,99 ,
bude @100 /
Koeficient charakterizuje tedy základní zesilovací činnost tranzistoru tranzistor =
transfer rezistor určen tím, jakou část proudu emitoru dokážeme dovést kolektoru
