Často pomocí pásových diagramů sledujeme rozložení nosičů monokrystalu polovodiče. Protože atomy takovýchto
6 budou našem pásovém
diagramu vytvářet jednu diskrétní úroveň těsně pod hranou vodivostního pásu. dodávají vodivostního
49
. Pokus bychom
však hustotu příměsí zvyšovali, došlo opět rozštěpení hladin vytvoření pásu
dovolených energií příměsí. Protože takovéto příměsi např.1-7
V
Představme situaci, velice malý počet atomů polovodiče nyní nahradíme atomy
prvků, které mají jeden elektron více nebo méně než náš polovodič.
Abychom situaci zjednodušili, budeme uvažovat pouze jeden směr (jeden prostorový rozměr )
např. označený Potom pásový diagram našeho monokrystalu polovodiče bude spolu
s rozložením částic elektronů děr vypadat dle Obr. 2. Budou tedy prvky
z malá energie tomu, aby se
nadbytečný elektron uvolnil stal vlastně elektronem vodivostním pásu polovodiče. 2.1-7
Obr.
Bohatě stačí teplota kolem 100 °K, aby tomuto jevu došlo
