Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
11). I
Teplotní závislost polovodičových diod popsaná úlohách existuje
úměrně bipolárních tranzistorů. 75. apř. Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu
báze
Je dáno zapojení germaniovým tranzistorem typu podle obr.
Ú LOHA 22.
Číselná hodnota teplotního průniku udává pro germanium pro
křemík mV/°C.Výhodou Darlingtonova zapojení, proti dvěma jednotlivým stupňům, je
velmi malá vstupní vodivost (velký vstupní odpor) způsobená malým
proudem báze prvního tranzistoru velká strmost daná velkým kolekto
rovým proudem druhého tranzistoru.
Posunutí charakteristiky diody přímém směru směrem nižšímu
napětí odpovídá tranzistoru posunutí vstupní charakteristiky menšímu
napětí mezi bází emitorem. proudu mezi kolektorem
a emitorem /CE0 při bázi naprázdno. Jedním tranzistorem nelze těchto
vlastností dosáhnout, protože strmost vstupní vodivost Glk jsou
vázány vztahem
s /?Glk
8. odpory 2
tak, aby při napětí baterie U20 —10 nastavil pracovní bod sou
řadnicích UCEP Icp mA.2)
(+ platí pro tranzistory typu pro tranzistory typu NPN). Všechny zbytkové proudy tranzistoru
se zvětšují exponenciálně teplotou podle (6.
I -^ceo So) )
Teplotní součinitel tranzistorů stejnou velikost jako diod.
a) Vypočítejte pomocí sítě charakteristik obr.
91
.
U germaniových křemíkových tranzistorů předpokládáme, =
= 0,1 1. pro zapojení společným emitorem
plati
A{7S t/BE ¡/B=konst T(& i90) (22. platí rovněž nej-
větším zbytkovém proudu (viz úlohu 17), tj
