Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
I
Teplotní závislost polovodičových diod popsaná úlohách existuje
úměrně bipolárních tranzistorů. Jedním tranzistorem nelze těchto
vlastností dosáhnout, protože strmost vstupní vodivost Glk jsou
vázány vztahem
s /?Glk
8.Výhodou Darlingtonova zapojení, proti dvěma jednotlivým stupňům, je
velmi malá vstupní vodivost (velký vstupní odpor) způsobená malým
proudem báze prvního tranzistoru velká strmost daná velkým kolekto
rovým proudem druhého tranzistoru.
I -^ceo So) )
Teplotní součinitel tranzistorů stejnou velikost jako diod. Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu
báze
Je dáno zapojení germaniovým tranzistorem typu podle obr.2)
(+ platí pro tranzistory typu pro tranzistory typu NPN). proudu mezi kolektorem
a emitorem /CE0 při bázi naprázdno. 75. pro zapojení společným emitorem
plati
A{7S t/BE ¡/B=konst T(& i90) (22.
U germaniových křemíkových tranzistorů předpokládáme, =
= 0,1 1.
Ú LOHA 22. platí rovněž nej-
větším zbytkovém proudu (viz úlohu 17), tj.
Číselná hodnota teplotního průniku udává pro germanium pro
křemík mV/°C.
Posunutí charakteristiky diody přímém směru směrem nižšímu
napětí odpovídá tranzistoru posunutí vstupní charakteristiky menšímu
napětí mezi bází emitorem.11). Všechny zbytkové proudy tranzistoru
se zvětšují exponenciálně teplotou podle (6. apř. odpory 2
tak, aby při napětí baterie U20 —10 nastavil pracovní bod sou
řadnicích UCEP Icp mA.
a) Vypočítejte pomocí sítě charakteristik obr.
91
