Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 89 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
11).2) (+ platí pro tranzistory typu pro tranzistory typu NPN). Všechny zbytkové proudy tranzistoru se zvětšují exponenciálně teplotou podle (6. pro zapojení společným emitorem plati A{7S t/BE ¡/B=konst T(& i90) (22. Ú LOHA 22. I -^ceo So) ) Teplotní součinitel tranzistorů stejnou velikost jako diod. a) Vypočítejte pomocí sítě charakteristik obr. U germaniových křemíkových tranzistorů předpokládáme, = = 0,1 1.Výhodou Darlingtonova zapojení, proti dvěma jednotlivým stupňům, je velmi malá vstupní vodivost (velký vstupní odpor) způsobená malým proudem báze prvního tranzistoru velká strmost daná velkým kolekto­ rovým proudem druhého tranzistoru. 75. platí rovněž nej- větším zbytkovém proudu (viz úlohu 17), tj. Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Je dáno zapojení germaniovým tranzistorem typu podle obr. Číselná hodnota teplotního průniku udává pro germanium pro křemík mV/°C. Jedním tranzistorem nelze těchto vlastností dosáhnout, protože strmost vstupní vodivost Glk jsou vázány vztahem s /?Glk 8. 91 . Posunutí charakteristiky diody přímém směru směrem nižšímu napětí odpovídá tranzistoru posunutí vstupní charakteristiky menšímu napětí mezi bází emitorem. apř. proudu mezi kolektorem a emitorem /CE0 při bázi naprázdno. I Teplotní závislost polovodičových diod popsaná úlohách existuje úměrně bipolárních tranzistorů. odpory 2 tak, aby při napětí baterie U20 —10 nastavil pracovní bod sou­ řadnicích UCEP Icp mA