Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
a) Vypočítejte pomocí sítě charakteristik obr.
91
. Jedním tranzistorem nelze těchto
vlastností dosáhnout, protože strmost vstupní vodivost Glk jsou
vázány vztahem
s /?Glk
8. 75. platí rovněž nej-
větším zbytkovém proudu (viz úlohu 17), tj.2)
(+ platí pro tranzistory typu pro tranzistory typu NPN).
U germaniových křemíkových tranzistorů předpokládáme, =
= 0,1 1.
Ú LOHA 22. I
Teplotní závislost polovodičových diod popsaná úlohách existuje
úměrně bipolárních tranzistorů.
Číselná hodnota teplotního průniku udává pro germanium pro
křemík mV/°C. Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu
báze
Je dáno zapojení germaniovým tranzistorem typu podle obr.
Posunutí charakteristiky diody přímém směru směrem nižšímu
napětí odpovídá tranzistoru posunutí vstupní charakteristiky menšímu
napětí mezi bází emitorem. odpory 2
tak, aby při napětí baterie U20 —10 nastavil pracovní bod sou
řadnicích UCEP Icp mA.11). Všechny zbytkové proudy tranzistoru
se zvětšují exponenciálně teplotou podle (6. apř. pro zapojení společným emitorem
plati
A{7S t/BE ¡/B=konst T(& i90) (22.
I -^ceo So) )
Teplotní součinitel tranzistorů stejnou velikost jako diod.Výhodou Darlingtonova zapojení, proti dvěma jednotlivým stupňům, je
velmi malá vstupní vodivost (velký vstupní odpor) způsobená malým
proudem báze prvního tranzistoru velká strmost daná velkým kolekto
rovým proudem druhého tranzistoru. proudu mezi kolektorem
a emitorem /CE0 při bázi naprázdno
