Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
3).
b) Podm ínka UEB znamená, můžeme dosadit
, ^EB t/pB
(g Ut
Vstupní vodivost pro malý signál pak výrazu
d /c
G„ =
dU t
1 w
U U;
(14.15)
64
.Obr. 51. Náhradní zapojení
tranzistoru společnou bází
Kolektorový proud tudíž úměrný emítorovému proudu. Strm ost pro malý signál
je definována jako
s =
dle
d(7p
aIEO
Uc konst 7
u B
e Ut
U írT ',414>
Zde vidíme, strmost přímo úměrná kolektorovém proudu.
c) obr. tranzistor zapojení společným emitorem. Vstupní
vodivost přímo úměrná itorovém proudu. Náhradní
zapojení nelineárními prvky pro tento nejjednodušší případ uvedeno
na obr.13)
Tento výraz odpovídá výrazu pro diodu úloze rovnice (4. 51. Při
daném kolektorovém proudu Ic= je-li Ic
= mV, bude
Gd jj- mS
■/p —
s =
Ur
= mS
V zapojení společnou bází tedy absolutní hodnota vstupní vodivosti
a strmosti skoro stejná.
Z obrázku vyplývá, že
IB )
a
Um LrEB (14
