Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Je-li dioda emitor —báze polována přímém směru
a jde-li tranzistor PNP, budou díry oblasti kde jsou jako většinové
nosiče náboje, injektovány oblasti kde představují menšinové nosiče,
podobně jako diody. 50. Oba přídavné proudy představují těsnou
61
. Oblast, která společná
oběma přechodům PN, báze, zbývající emitor kolektor. VLASTNOSTI PŘI U
Základní fyzikální zapojení tranzistoru zapojení společnou bází
podle obr. Tím dána řídicí činnost tranzistoru,
neboť kolektorový proud bezprostředně sleduje změny napětí mezi
bází emitorem. znamená, rekom-
binace děr elektrony (většinové nosiče oblasti bázi malá.
6.
V náhradním zapojení můžeme tranzistor znázornit dvěma vzájemně
vázanými diodami podle obr.
Takový tranzistor označuje jako PNP. Tím vzniká výkonové zesílení, protože součin napětí
báze —emitor proudu bází malý proti součinu napětí báze —kolektor
a kolektorového proudu. 49, kde báze společnou elektrodou pro vstupní výstupní
svorky aktivního čtyřpólu. BIPOLÁRNÍ Y
Bipolární tranzistor vytvořen dvěma přechody PN, které jsou uspořá
dány tak, mezi dvěma oblastmi umístěna společná oblast N. Tento typ tranzistoru nazývá bipolární,
protože jeho chování určeno kladnými zápornými nosiči náboje
s okamžitým menšinovým nebo většinovým charakterem. Mají-li všechny tři oblasti
opačné dotování, hovoříme tranzistoru NPN.II. Způsobu
činnosti tranzistoru porozumíme, budeme-li sledovat průchod proudu
tenkou oblastí báze. Díry
se odsají vlivem elektrického pole kolektorového přechodu, který je
polován zpětném směru, oblasti kolektoru. Protože báze velmi tenká, dosáhnou téměř
všechny nosiče náboje přechodu kolektor —báze. Odtud nejsou injekto
vány žádné nosiče náboje báze, proto veškerý proud tvořen dírami
odsátými vlivem elektrického pole
