Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 52 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Kapacitní diody jsou podstatě vyrobeny stejným způsobem jako sli­ tinové nebo difundované polovodičové diody. Skládá kapacitní diody, cívky kon- denzátoru odporu zdroje napětí U0. Odpor velikosti 100 k. 54 . Při použití speciální difúzní techniky několika sobě jdoucími di- fúzními operacemi dosáhnout 1,3.A U kapacitních diod využívá napěťové závislosti kapacity přechodu diody přivedeném napětí zpětném směru. Při napětí byla změřena kapa­ cita diody pF. Ladění rezonančních obvodů kapacitními diodami Je dáno zapojení podle obr. Tyto tzv.Qje dostatečně velký, takže zatěžuje rezonanční obvod tvořený cívkou diodou jen nepatrně. širokorozsáhové diody mají zvláště strmý přechod umožňuji vlivem strmé charakte­ ristiky f(U přeladění celého nebo VHF pásma pro příjem televizních programů nebo jednotlivých vlnových rozsahů rozhlasových přijímačů bez přepínání. ÚLOHA 13. Jiný název pro tuto součástku též varikap nebo varaktor. Kapacita odděluje stejno­ směrný potenciál musí být zvolena tak velká, aby pro všechny použité kmitočty představovala zkrat. Závislost kapacity přivedeném napětí dána vztahem c ) pro napětí V. Zdroj napětí slouží tedy ladění rezonančního obvodu před­ stavuje pro střídavý signál zkrat. 43. Používají elektronickému přelaďování rezonančních obvodů, automatickému dolaďování, modu­ lačních obvodech, směšovacích, násobičích kmitočtu, při řízení šířky pásma kapacitně vázaných pásmových propustí parametrických zesi­ lovačích. Napěťová závislost kapa­ city dána vztahem c > kde součinitel třeba dosadit: u difundovaných diod lineárním přechodem 3, u slitinových diod strmým přechodem (viz úlohu 5)