Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 52 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Qje dostatečně velký, takže zatěžuje rezonanční obvod tvořený cívkou diodou jen nepatrně. Závislost kapacity přivedeném napětí dána vztahem c ) pro napětí V. Kapacita odděluje stejno­ směrný potenciál musí být zvolena tak velká, aby pro všechny použité kmitočty představovala zkrat. Ladění rezonančních obvodů kapacitními diodami Je dáno zapojení podle obr. Napěťová závislost kapa­ city dána vztahem c > kde součinitel třeba dosadit: u difundovaných diod lineárním přechodem 3, u slitinových diod strmým přechodem (viz úlohu 5). Jiný název pro tuto součástku též varikap nebo varaktor. 43. ÚLOHA 13. Tyto tzv. Zdroj napětí slouží tedy ladění rezonančního obvodu před­ stavuje pro střídavý signál zkrat. širokorozsáhové diody mají zvláště strmý přechod umožňuji vlivem strmé charakte­ ristiky f(U přeladění celého nebo VHF pásma pro příjem televizních programů nebo jednotlivých vlnových rozsahů rozhlasových přijímačů bez přepínání. 54 . Při napětí byla změřena kapa­ cita diody pF.A U kapacitních diod využívá napěťové závislosti kapacity přechodu diody přivedeném napětí zpětném směru. Používají elektronickému přelaďování rezonančních obvodů, automatickému dolaďování, modu­ lačních obvodech, směšovacích, násobičích kmitočtu, při řízení šířky pásma kapacitně vázaných pásmových propustí parametrických zesi­ lovačích. Při použití speciální difúzní techniky několika sobě jdoucími di- fúzními operacemi dosáhnout 1,3. Kapacitní diody jsou podstatě vyrobeny stejným způsobem jako sli­ tinové nebo difundované polovodičové diody. Odpor velikosti 100 k. Skládá kapacitní diody, cívky kon- denzátoru odporu zdroje napětí U0