Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 52 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Při napětí byla změřena kapa­ cita diody pF. Zdroj napětí slouží tedy ladění rezonančního obvodu před­ stavuje pro střídavý signál zkrat. ÚLOHA 13. 43. širokorozsáhové diody mají zvláště strmý přechod umožňuji vlivem strmé charakte­ ristiky f(U přeladění celého nebo VHF pásma pro příjem televizních programů nebo jednotlivých vlnových rozsahů rozhlasových přijímačů bez přepínání. Tyto tzv. 54 . Kapacitní diody jsou podstatě vyrobeny stejným způsobem jako sli­ tinové nebo difundované polovodičové diody. Používají elektronickému přelaďování rezonančních obvodů, automatickému dolaďování, modu­ lačních obvodech, směšovacích, násobičích kmitočtu, při řízení šířky pásma kapacitně vázaných pásmových propustí parametrických zesi­ lovačích. Jiný název pro tuto součástku též varikap nebo varaktor. Kapacita odděluje stejno­ směrný potenciál musí být zvolena tak velká, aby pro všechny použité kmitočty představovala zkrat.A U kapacitních diod využívá napěťové závislosti kapacity přechodu diody přivedeném napětí zpětném směru. Napěťová závislost kapa­ city dána vztahem c > kde součinitel třeba dosadit: u difundovaných diod lineárním přechodem 3, u slitinových diod strmým přechodem (viz úlohu 5). Ladění rezonančních obvodů kapacitními diodami Je dáno zapojení podle obr. Odpor velikosti 100 k. Při použití speciální difúzní techniky několika sobě jdoucími di- fúzními operacemi dosáhnout 1,3. Skládá kapacitní diody, cívky kon- denzátoru odporu zdroje napětí U0.Qje dostatečně velký, takže zatěžuje rezonanční obvod tvořený cívkou diodou jen nepatrně. Závislost kapacity přivedeném napětí dána vztahem c ) pro napětí V