Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
...................................................... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ....... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek.........2....................................................... Konstrukce st................................... 138 Úloha 33.. 137 11........ 91 Úloha 22............ 124 IV.......................... Vlastnosti při střídavém .....................2........... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21............................................3.......................... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač........................................... 103 9.......................... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9...........................................143 6 . Horní mezní itočet........................................................................................................110 Úloha 25...................... 129 Úloha 32........ Vlastnosti při střídavém ........................... 107 9................................................................................................................................................................................................................. 103 9....119 10................................................. .................... Vlastnosti při stejnosměrném ........120 10............4................ Teplotní stn sti. Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24............ Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ...........104 9.....................................1.... 129 11......... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu .................. Zapojeni zesilovačů..........................1.4...........................2........................129 Úloha 31.......... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ....................................................... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ...................... Zesilovač ......112 Úloha 27..........................123 Úloha 30...............................................114 Úloha 28....................................................3......... 98 III............................. Vlastnosti při stejnosměrném ........... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í.. Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém .........118 10..................................................................................................................... 122 Úloha 29................................................................... Dolní mezní itočet............................................................................................. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu .. Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu................ Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ........ 110 Úloha 26......... ............... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23.. 129 11.................................................................................................... 138 Úloha 34....... Unipolární tranzistory................... 86 8.. Teplotní lastn sti............ Výpočet mezních kmitočtů ............... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10.................... Konstrukce st...............................................1...116 10.....................................................................................................................................................................................................Úloha 20.....