Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

...................... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10.................................... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ...................................................................................................... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ....................116 10....... 103 9............112 Úloha 27.. Zapojeni zesilovačů... Výpočet mezních kmitočtů ...............................119 10................................. Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9. Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ....4................2..............2..110 Úloha 25.................... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21............................................1................................................................ Horní mezní itočet. Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou .. Teplotní stn sti.............................................. Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24.........120 10....................................................... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek.............................................................................. Vlastnosti při stejnosměrném .......................................................................... 137 11................................ Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ........ 129 11.................................................................................. Vlastnosti při stejnosměrném ..... 129 11.......... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu............. 86 8....... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ........... 138 Úloha 33................................129 Úloha 31.......................143 6 ...................... 124 IV..4.................................... ................... Konstrukce st.................................123 Úloha 30............................... 91 Úloha 22...................................................................... Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ....3..... 138 Úloha 34....................................118 10.................................. Vlastnosti při střídavém ........................................................... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23......... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ........2................................ Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í................. Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač............................1........................... 110 Úloha 26................. 107 9........ Teplotní lastn sti...... Dolní mezní itočet............................................................. Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ...............................1....................................................104 9.................. 122 Úloha 29........ ......................................................................................... 98 III.............................................................................................................................................. Zesilovač ........................................................................................ 129 Úloha 32.......................... Vlastnosti při střídavém ...............3......... Unipolární tranzistory................................... 103 9.................................... Konstrukce st....................Úloha 20..............................................114 Úloha 28.........

---

---