Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

.......... 103 9.......... Konstrukce st........................... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ................................. Konstrukce st.................................. Vlastnosti při stejnosměrném ............... 110 Úloha 26....110 Úloha 25......... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač.......... Vlastnosti při střídavém ........ 138 Úloha 34............ Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21...................... 103 9.................. 91 Úloha 22..................................... 129 11.................................................. Vlastnosti při stejnosměrném ........ 86 8....... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ................................................1..................................................... 122 Úloha 29............................1......................................................104 9..................................4........ Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23...... 138 Úloha 33............................................ Teplotní lastn sti.......... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ............120 10...... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24................................. Zapojeni zesilovačů.....................................................1................................................... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í...........................................2........2................................. Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ...................... 124 IV......114 Úloha 28....................... 107 9................... Dolní mezní itočet...... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém .................119 10... Zesilovač ...............................................123 Úloha 30..................... Unipolární tranzistory.............. Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10.......................... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru .............................................................................118 10.. Teplotní stn sti....................Úloha 20............................. Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9.............................................................129 Úloha 31....................................3..................................................... Výpočet mezních kmitočtů . Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ..................... 98 III................................116 10................. 129 11................................ Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ................. Vlastnosti při střídavém ...............................................................................2................................ Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek...............................................3.................................... ........143 6 ........................... Horní mezní itočet................................................................................................ Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ........................... 137 11.......................................... 129 Úloha 32.................................................................4............................................................................................. ....... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu.......................................................................................................112 Úloha 27.......

---

---