Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ................................................ Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ..... 110 Úloha 26.......................................................2........ Unipolární tranzistory... ..... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í...................... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu .120 10........... 103 9................................. 137 11............ Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ......... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ......................................................... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21...................... Výpočet mezních kmitočtů ...........................................................3......... 129 Úloha 32.............118 10........................................... 129 11..........................................................................................Úloha 20................................................................... 98 III..............................................2................................. Zapojeni zesilovačů................123 Úloha 30...112 Úloha 27............... Vlastnosti při střídavém ........................................ Dolní mezní itočet......... 138 Úloha 34.. 103 9......................116 10.. Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ................................ Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ............................................. Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23.................................. Vlastnosti při stejnosměrném .......................................................4....... Zesilovač .................................................................................................... 107 9.......................... Teplotní stn sti...110 Úloha 25... Teplotní lastn sti.................................... 124 IV.........104 9.............................. Konstrukce st..........................................................................................143 6 .............................. Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek.......................................................................................................................................................................... 86 8.......................................... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10.................................................... 122 Úloha 29.............119 10......................................1............. Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24....................114 Úloha 28.... Vlastnosti při střídavém .......................129 Úloha 31.....4.................................. 91 Úloha 22................... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač.. Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ..............................................................................................1........ Horní mezní itočet............... Vlastnosti při stejnosměrném ....... Konstrukce st............................................... 129 11...............................................................................................1............ 138 Úloha 33......3.... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9........................ Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ..........................2........................................... .............................

---

---