Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

.................................4................................................................................... Vlastnosti při stejnosměrném .. 129 11...... Dolní mezní itočet..................... ................................118 10................................... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu .... 122 Úloha 29..1........................................................... Vlastnosti při stejnosměrném ...........................Úloha 20....... 138 Úloha 34................................................................129 Úloha 31.....2................................................... Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu .. 124 IV..................... 86 8................... 98 III.......................... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23............. Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ........................................... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9.............................................................143 6 ............................................. Teplotní stn sti................. Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24........... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í.........................120 10...................119 10............................................. 103 9............ Konstrukce st..................................... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21...... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10..................................................................................3......................... Horní mezní itočet...................................114 Úloha 28............................................................. 129 11...................... Zapojeni zesilovačů..........110 Úloha 25.... 129 Úloha 32.......................................... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek........ Vlastnosti při střídavém ........................................................................116 10..............................................................................1................................................................... Konstrukce st........ Zapojení děliče napětí tranzistorem typu .......... Unipolární tranzistory......................123 Úloha 30.. Teplotní lastn sti..................... 107 9.............................................................. Výpočet mezních kmitočtů ...... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu .2.................. Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik .................. Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ........................................... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ...... 110 Úloha 26............................................... 103 9.... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém .....................................................112 Úloha 27.......................................................... Zesilovač ....................................................................................3.................. Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu........................................................................................ 138 Úloha 33.........................104 9...................... Vlastnosti při střídavém ..............................................2.................. 137 11.................................................4. 91 Úloha 22................. .......1. Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač...............

---

---