Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
........................... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9.......................1.................. 129 11.............129 Úloha 31. Zesilovač .... Teplotní lastn sti.....104 9.... 86 8...................... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ....... Vlastnosti při střídavém ............................................ 124 IV........................................ 103 9................ Unipolární tranzistory............. Dolní mezní itočet.............. 91 Úloha 22........... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru .......................110 Úloha 25................119 10...............3.................................................................. Teplotní stn sti......... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač............120 10....... Výpočet mezních kmitočtů .........................................1... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21......... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu .................................................................................... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24....................... 122 Úloha 29...........................143 6 ................................................. 138 Úloha 33......................................................................... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik .......................................................................................................... Vlastnosti při stejnosměrném ..... 98 III.. Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10........................................... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í.....123 Úloha 30.......................3..................... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu .................................. 129 Úloha 32....... Konstrukce st......... Horní mezní itočet......................................................................................................................... Konstrukce st..............Úloha 20.......................................................................................1.................112 Úloha 27...........................116 10..................... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ......... 138 Úloha 34... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ............................................................... Vlastnosti při stejnosměrném ..................................................................... 107 9.. 110 Úloha 26.......................................................4........................................2............ Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23...................................... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek...................... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ........ 129 11.................................................. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ......4..... 137 11..........118 10..................... .............................................................................. Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu............................................ 103 9.........................................................................2................................2......................................................................................... ..................................................................................... Vlastnosti při střídavém .......114 Úloha 28. Zapojeni zesilovačů..........................