Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

..........................................114 Úloha 28................... Výpočet mezních kmitočtů ........................................................................................ Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21...................................2..........................................................................................................116 10.......................... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ..... Horní mezní itočet.......... 129 11.........................143 6 ............................................4............................................119 10.....................................................112 Úloha 27................................. Vlastnosti při stejnosměrném ...... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek....... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu.. 137 11........................ 124 IV.................... Dolní mezní itočet.........Úloha 20.............. Zesilovač ... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ...................110 Úloha 25....... Vlastnosti při střídavém . Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23.................1.................... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ........... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í........................................................... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10.... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač........................................................ Vlastnosti při střídavém ................................. Zapojeni zesilovačů....................................................................... 110 Úloha 26................................ Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ...........................120 10....................................................................................1....1.................................................................................................................. 107 9................ Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru .............................................. Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ....... 129 11............................................4...................................... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9................................................ 122 Úloha 29...............................................123 Úloha 30........ Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ....................................................................................... 91 Úloha 22......................... Vlastnosti při stejnosměrném ........ 103 9..................................... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24..3............................................... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik .................................. ......................2........... Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ......... 138 Úloha 34........................ 98 III............ 103 9............129 Úloha 31......................3........................................... Teplotní stn sti.....118 10.......................... Teplotní lastn sti............. 138 Úloha 33.................................................. Konstrukce st.104 9....................................... 129 Úloha 32..................... ....... Konstrukce st.................................................2................................................................ 86 8......... Unipolární tranzistory..

---

---