Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

....................................................................................................................................................... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ................... Dolní mezní itočet........................ Teplotní stn sti.......................................................................... ................................................................................................... Unipolární tranzistory..........................................2...................129 Úloha 31..................................................... 110 Úloha 26..............119 10........................................ Konstrukce st..................... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24.................. 103 9................... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23.120 10..............................Úloha 20.2.........104 9..................................... 122 Úloha 29.............. Teplotní lastn sti..110 Úloha 25.........................................................143 6 .......................................... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í. 137 11........1........................................ Vlastnosti při střídavém .............. 129 Úloha 32..... 138 Úloha 33. Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9......................................................................................... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik .......................................... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21............................................ 98 III.................2..........123 Úloha 30.................................... 107 9......................... 138 Úloha 34............................. 124 IV....................... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ............. Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač...............................112 Úloha 27.... Vlastnosti při střídavém ......... Zesilovač .............. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ...........................................3............... Vlastnosti při stejnosměrném ..116 10.................................................................................. Konstrukce st............... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru .............. Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ................4............................................ Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ....... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu......................... Vlastnosti při stejnosměrném ............................... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek........................................ Výpočet mezních kmitočtů ................................................ Horní mezní itočet........... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ..4.......3......................... 91 Úloha 22..........................................................118 10................................................1......................................................................................... 103 9.............................. ................................1......................................... 86 8............................................ 129 11............................................. Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10......... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ......114 Úloha 28. 129 11..................... Zapojeni zesilovačů.................

---

---