Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
.................... 103 9.......... 129 11...........................143 6 ............4.....................112 Úloha 27...4..2............. 129 Úloha 32.. Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ................................................1........... 129 11...... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í............................... 107 9.................................... 91 Úloha 22.......... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ..................................................... Horní mezní itočet.............................. Dolní mezní itočet..........................................119 10..............................114 Úloha 28............................... Zesilovač ...... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ......................................104 9........3................................................................................................................. 124 IV.......110 Úloha 25.................................................123 Úloha 30........................................................ Vlastnosti při střídavém .... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu... 110 Úloha 26........129 Úloha 31.................. Zapojeni zesilovačů................................................. 103 9............................................. Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21.......................................................................................... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9.............................................................................. Vlastnosti při stejnosměrném ...........1....................3...............116 10.......... ..................................................................... 138 Úloha 34................................................... Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ... 122 Úloha 29... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23.................................................................................................................... 86 8............... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač.................................................................................. Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ...................................................................... Teplotní lastn sti......................... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik .... 138 Úloha 33.........................................................2.............. Konstrukce st........... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24........ Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek.......................... Unipolární tranzistory............ 137 11........... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ...................................1.......... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ........................................................... Teplotní stn sti..........118 10.................. Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10....................................................................120 10....................................2........... 98 III.................................. Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ...... Konstrukce st.......................................................... ....................... Vlastnosti při střídavém ................................. Vlastnosti při stejnosměrném .....................................Úloha 20............. Výpočet mezních kmitočtů ...............