Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

............... 137 11........................................... Vlastnosti při střídavém ...........1........................................................129 Úloha 31............................ Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í................ Konstrukce st............................................................................. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ............... 138 Úloha 34.120 10.......................................1..................... ................................................. Horní mezní itočet.........................................................................................................114 Úloha 28................. Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ....... 103 9.. 129 Úloha 32....................................... 98 III...............................123 Úloha 30................ Zapojeni zesilovačů............ Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10...... Unipolární tranzistory................................................................................................................116 10.........................112 Úloha 27........................ Teplotní lastn sti....................................................................110 Úloha 25.....................2.............................................................. Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ................... Dolní mezní itočet............................................................................................... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek.............................................................................................. Vlastnosti při stejnosměrném ....... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ........ Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ................................................... 86 8...................... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ............ 129 11. Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu............... Konstrukce st..... 129 11.....................4.............................................3.... Výpočet mezních kmitočtů ............................................................. Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9......1.......................................................2.............................104 9.........118 10...................... Vlastnosti při stejnosměrném ................................................................. Vlastnosti při střídavém ..... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23..... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21................................ 122 Úloha 29...........................119 10.............................................. Zesilovač . ..............Úloha 20.. 124 IV........... 91 Úloha 22........3.................................... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ................ 107 9....................................... 138 Úloha 33.......................................................................4.........143 6 .......................... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ....................2................................................... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač................... 103 9... Teplotní stn sti........ Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24............ Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ................. 110 Úloha 26...................................................................

---

---