Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

................................................... Zesilovač .... 107 9................... 122 Úloha 29.............................................................................118 10.............................1.....4......................................... Teplotní lastn sti...114 Úloha 28................................................................................ 110 Úloha 26................... 91 Úloha 22..............1...2.......3......................... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21......................................................................... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ............................................................ ...................1.................................................. Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu. Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek....................................... Teplotní stn sti.................... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9........... Unipolární tranzistory........................104 9....................................123 Úloha 30................................. 103 9................................... 129 11.......... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10.............. Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ........112 Úloha 27................................119 10....................... Vlastnosti při střídavém ...................... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23..................................... Konstrukce st..............129 Úloha 31........................................ Vlastnosti při střídavém ....... Dolní mezní itočet................... 103 9.................. 138 Úloha 34.......................... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24..........................4............................... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ....................................................................................... Horní mezní itočet.............. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ...................................Úloha 20............143 6 ................................... Vlastnosti při stejnosměrném . Konstrukce st........................................................................ 124 IV......................2.................................................................116 10..................................................... 98 III.................................... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém .............................................................................................................................110 Úloha 25.................................................... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í........................................... 129 Úloha 32. ........................ 129 11........ Výpočet mezních kmitočtů ....................................... 138 Úloha 33................ Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač........ 86 8........... 137 11.. Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu .............................................................. Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ....................................................... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu .................................2.......................................... Vlastnosti při stejnosměrném .3....................... Zapojeni zesilovačů........... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik .....120 10...........

---

---