Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

........Úloha 20.... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9.........................................................................................110 Úloha 25.......... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou .......................................................................................................... Konstrukce st. 138 Úloha 34..... 110 Úloha 26............ Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ................... Vlastnosti při stejnosměrném ............................2...........................................4.......................... Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ...3............ Teplotní stn sti................................................ Dolní mezní itočet.......................129 Úloha 31........................ 138 Úloha 33....................................................................................................................................... Teplotní lastn sti.... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek.......................... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21...................................1.......................112 Úloha 27......... 129 11........................................................................................................... Vlastnosti při střídavém ................................ Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač.... 98 III................................116 10.............................2........... Vlastnosti při střídavém . Horní mezní itočet.1...........................................................................114 Úloha 28........................................... Unipolární tranzistory................. Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í................................ 91 Úloha 22......... 103 9..................1..... 107 9.......................................................................................2.............................................. 103 9......................................... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23....................................................................... 137 11.................. 86 8............................... Vlastnosti při stejnosměrném ... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém .....................3............143 6 .....104 9............................. Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24..................................................................... ......................... Zesilovač ......... 129 11..................... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ........... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu............................... Konstrukce st.........................119 10.. Zapojeni zesilovačů.... 129 Úloha 32........................................................................................................................ Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ..4................................................ Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ............... ................................ Zapojení děliče napětí tranzistorem typu .........................................................................123 Úloha 30....................... 124 IV................120 10.......................................................... 122 Úloha 29........... Výpočet mezních kmitočtů .................. Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10....................118 10

---

---