Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

........ Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač.. 129 Úloha 32...................... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24......................112 Úloha 27......................... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21... Vlastnosti při střídavém ...................... 129 11..............110 Úloha 25.............2........................ Vlastnosti při střídavém ................. 103 9............ Dolní mezní itočet.................................... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ...........123 Úloha 30........... 91 Úloha 22...116 10......................... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ............................................... 110 Úloha 26.......................................... 138 Úloha 33.................. Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet .... Zapojeni zesilovačů.... ................. Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10............118 10.................129 Úloha 31............... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9......................................................... Konstrukce st.....................................................4......... Výpočet mezních kmitočtů ...........................1...............2.................................................................................................................... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu.........................................................................................................................................................3............................2........119 10........... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu .... Zesilovač ......................................... 124 IV.......................... 138 Úloha 34.......................................................................................................... 86 8.....................................................114 Úloha 28.......4................................................... .....................................Úloha 20....................... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23................................. Konstrukce st.......... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ................. 137 11.................................................................. Teplotní lastn sti............. Teplotní stn sti.......... 122 Úloha 29.................... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ................................ Vlastnosti při stejnosměrném ......... Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ...................................................... Vlastnosti při stejnosměrném ....................... 98 III..................................................1......... Horní mezní itočet.................................................................. 103 9...........................................................................................143 6 .......................... 129 11...................................................... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik .........................................................................................3................................... 107 9............120 10......... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek............ Unipolární tranzistory.... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í...........104 9................................................. Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru .........................1.........

---

---