Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

............120 10........ 137 11............. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ............................................................. Konstrukce st.... 86 8.......... 103 9..3...2.............................. 91 Úloha 22........................ Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu .......... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu .............................................................................. 107 9...........................................................................Úloha 20...................... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10................................................................................................................ Horní mezní itočet. 129 11............................... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24... 98 III............................................ Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ............... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač.... Unipolární tranzistory...........112 Úloha 27....... 129 Úloha 32.......................................................2......................................................................3............................. Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu......................................................................119 10................... Konstrukce st......... 138 Úloha 34...........................................................................................................................................118 10............... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek.......................... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu .......................116 10............................... ............... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik .. Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23........ 122 Úloha 29...........................1.........................1.................... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í..................110 Úloha 25........ Vlastnosti při střídavém ................................................................................ Teplotní stn sti........104 9............................................................................. 103 9...... Vlastnosti při stejnosměrném ........ Vlastnosti při stejnosměrném ...2.................................................... 129 11............. Výpočet mezních kmitočtů ...... ................ Zesilovač ........1.......................................129 Úloha 31............................................................................. 110 Úloha 26.............................................................................. 138 Úloha 33.......143 6 ........... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21..................................... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ...123 Úloha 30..........................................................................................................114 Úloha 28........................ Zapojeni zesilovačů.............4.................. Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ...........................................4.................... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ........... Dolní mezní itočet............... Vlastnosti při střídavém ...................................................................................................... 124 IV...... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9...... Teplotní lastn sti...........................

---

---