Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

.........118 10............................................................................... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ............................................ 129 11................................4........ 98 III......................................................................................... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ........................ 129 Úloha 32.104 9...........................................................................3............................................112 Úloha 27................ Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24........................................................1....... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik .... Unipolární tranzistory... Výpočet mezních kmitočtů ......1..... ......................................... Zesilovač ........................4............................ 138 Úloha 34.................. 86 8.....................................Úloha 20............................ Dolní mezní itočet. 107 9.........................................................120 10....................................................................... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21....................................... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek........ 124 IV........................................ Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10........... 110 Úloha 26........................... Vlastnosti při stejnosměrném .....................................................2............................. Zapojeni zesilovačů.................. Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23............................................................................................................ 103 9........... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ......................................................................... Vlastnosti při stejnosměrném ...........................116 10.........................................................1........................ Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í................129 Úloha 31. Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9......................................................2.... 138 Úloha 33......................................................................114 Úloha 28. Teplotní lastn sti...................... Konstrukce st........................... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ............................................... Horní mezní itočet........................2.......... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač.........119 10......................................... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ..................... Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ................. 103 9.................... Konstrukce st... 122 Úloha 29............................ 129 11........... 137 11.....3............. Vlastnosti při střídavém .............................................110 Úloha 25.................................. Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ........................123 Úloha 30........ Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu..143 6 ...................... 91 Úloha 22...... ...................................................................... Teplotní stn sti........ Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ...................................................... Vlastnosti při střídavém ............................................................

---

---