Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

....... 86 8......................123 Úloha 30.2..............129 Úloha 31................................................................. Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21..........1....................................................................... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik .............. Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10.... Dolní mezní itočet.............................119 10................................... Teplotní lastn sti......... 98 III...................... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ........... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í........................Úloha 20.4................ Vlastnosti při stejnosměrném ...............1................. 91 Úloha 22... Zesilovač ................ Výpočet mezních kmitočtů ......................... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ................................110 Úloha 25... 129 Úloha 32..... .................. Unipolární tranzistory..................2......................................................... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek.........................................................................................118 10.......................................................... 124 IV..............................................116 10....................................... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém .............................................................. Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ......... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač......................................................................................................... 137 11............................................................. Konstrukce st................................................ 103 9....................................................................................................................... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu............... Teplotní stn sti............... 122 Úloha 29..........................114 Úloha 28......................2............1. Vlastnosti při stejnosměrném .. Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ........ ................. Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24........................................... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23..............104 9.................... 107 9......... 129 11................................................................4....................................................... Horní mezní itočet........................ 110 Úloha 26................................................................................................... Vlastnosti při střídavém . Konstrukce st................... 138 Úloha 34...............................................143 6 ... Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu .................. 138 Úloha 33.......................................................................112 Úloha 27.......................... Zapojeni zesilovačů..............................3........... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9.................................. 103 9....................................................................... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ...................... Vlastnosti při střídavém ......120 10.........3................ Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru .............. 129 11.................................................................

---

---