Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

......... 124 IV................................. Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač....................................................... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ................ Výpočet mezních kmitočtů .................................................................................... 138 Úloha 33....................................................................... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ..................... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10...116 10... Vlastnosti při stejnosměrném ........2.... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23..... Unipolární tranzistory.......... 98 III..................................................110 Úloha 25.............................. Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ..... 129 Úloha 32...................... Vlastnosti při střídavém ........................ Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21....................................................................... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9......2.................... 103 9.................................................................................Úloha 20..... Vlastnosti při střídavém ....................... 103 9........123 Úloha 30........................................120 10............................118 10.............................. Teplotní stn sti.............................................. Zapojeni zesilovačů................143 6 ............................................................................................. 110 Úloha 26.....2...........................129 Úloha 31.................. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ........... 129 11................ Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ......................................3.........................................................114 Úloha 28............................. Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru .................................................................... 91 Úloha 22....... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í...................1............................ Dolní mezní itočet........................................................... ............. Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ...................................................................................... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ...... Teplotní lastn sti.........119 10...............4. Horní mezní itočet...................................... .........................4.................................................. Konstrukce st.................................................................. 86 8....................................................................................... 138 Úloha 34...................104 9................ Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu...................3.................... 129 11..112 Úloha 27.........1.................................................. 122 Úloha 29.......................... 107 9............. 137 11.................................................. Vlastnosti při stejnosměrném ................. Konstrukce st. Zesilovač .................................................................................. Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek............................................... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24.... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou .1...................................

---

---