Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
........................................... Teplotní lastn sti.143 6 ...................... Vlastnosti při stejnosměrném ............................................................................ Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ........................................................................... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ................. Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou .........1.. Horní mezní itočet.......... Zapojeni zesilovačů................................................. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu .........................129 Úloha 31........................1......... 86 8. Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ............................... Teplotní stn sti....... 98 III..........................................3.............................116 10............. Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ............... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10..............119 10............................................... 129 Úloha 32............ Dolní mezní itočet.....Úloha 20............................... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í........... Konstrukce st.......................................................... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ...... 107 9................. Unipolární tranzistory....................................................................... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek......................................................................... Vlastnosti při stejnosměrném ............................ Vlastnosti při střídavém ....................... Vlastnosti při střídavém .........................................................1.................................... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23..................... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu...... 124 IV................. Zesilovač .....2.................................. 122 Úloha 29... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ..................... Konstrukce st.................................... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21............ Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ..........118 10............................................................... 137 11..............................................................................3................................ 110 Úloha 26....................2.....................104 9........ 138 Úloha 34.................................................................. . 138 Úloha 33................... 91 Úloha 22.................114 Úloha 28. Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24.................... .......110 Úloha 25.....................4..... 103 9............................................... 129 11...............4...........120 10......................................................... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač..... 103 9............................ Výpočet mezních kmitočtů ...........................................112 Úloha 27....2........................................... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9................ 129 11............................................................................................123 Úloha 30.......................................................................................................................................................................................................................