Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

..................... Zesilovač .................. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu .................... 98 III................ Vlastnosti při střídavém ............................... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou .................................4............................................ Unipolární tranzistory.................................... Konstrukce st.......... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10..............................114 Úloha 28.................... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ............................................. 86 8.......... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu .......................................112 Úloha 27.....................................2. 103 9..................................118 10............. 129 11............................. 138 Úloha 33......... ......2............................................................................... Zapojeni zesilovačů........................................................................................................................... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í.................... 129 Úloha 32............................Úloha 20...........................................143 6 . Teplotní stn sti................ Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ................110 Úloha 25.......... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9......................1......3...................... Dolní mezní itočet......................................................................................................................... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ............123 Úloha 30............. 124 IV........... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24......... 107 9................................... Teplotní lastn sti...............104 9.........4..............3............................ 122 Úloha 29.......................................................129 Úloha 31...... 138 Úloha 34..................................................................... Vlastnosti při střídavém ................... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ........................ Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21........... 91 Úloha 22................ Výpočet mezních kmitočtů ........................ Konstrukce st................................................................................120 10............................................ Vlastnosti při stejnosměrném ............... Horní mezní itočet............. Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu .................2................................................................................................................................................. 129 11......................................1............. Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23.................................................................................................................. Vlastnosti při stejnosměrném . ... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu.. Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek.116 10................................ 137 11......... 103 9..................... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ..................................................1.....................................................119 10...... 110 Úloha 26......................................................................

---

---