Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

................................Úloha 20............................112 Úloha 27..................................... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ............................2.................................... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10..................... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9..... Zesilovač ......... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ................................................ ................3...... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu.... 138 Úloha 33..................................................... 103 9...............................................3.............. Vlastnosti při stejnosměrném ...... 138 Úloha 34................. Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek.....................................................123 Úloha 30................ Dolní mezní itočet.............................. 129 11..............................................118 10........................ 122 Úloha 29................... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ...114 Úloha 28..... Vlastnosti při střídavém ............................................................... Konstrukce st. 129 11...................................................... Teplotní stn sti.4...........................1...................................................................... Horní mezní itočet.......129 Úloha 31....... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ...............1.....................116 10....................................................... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ....................................... 137 11.......119 10.......1.......................143 6 ................ 124 IV................ 129 Úloha 32.................................................................. Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ................................................................................ Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ................................................ Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač.................................................................................................... Výpočet mezních kmitočtů .................................. 98 III.... 86 8............2.................................... Vlastnosti při stejnosměrném ........................ Vlastnosti při střídavém .................120 10.............................. Konstrukce st...................................................................... 91 Úloha 22........ Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu .................................... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24....................104 9... Unipolární tranzistory............................. ............................................................................... Teplotní lastn sti........110 Úloha 25................2.... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í............... Zapojeni zesilovačů......................................................................................................... 110 Úloha 26...... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ................ 103 9......................... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23..................................................................................................................4..................... 107 9.................................... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21...............

---

---