Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

.......................................... 122 Úloha 29..123 Úloha 30................... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač............................................................... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek..................1.... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9..................................................1................. 103 9................ 137 11... Konstrukce st........... Teplotní stn sti......... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik .... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru .......................... Zesilovač ............................................... Zapojeni zesilovačů..........................................................................................................................114 Úloha 28.......................................................................... Konstrukce st.............. ............................................................. 110 Úloha 26............................................. Unipolární tranzistory........................ Vlastnosti při střídavém ......... 124 IV.................................. 138 Úloha 34.............104 9..129 Úloha 31................. 129 11...............116 10.....................................................................................................................................118 10....................... ....... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ............112 Úloha 27............................120 10................................................. Teplotní lastn sti.......................................... Vlastnosti při stejnosměrném ... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23... 138 Úloha 33....3...................... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í.................................. Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu.....119 10. 98 III...............2...................... Výpočet mezních kmitočtů ................................. Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10.............. Horní mezní itočet..................................................Úloha 20................................... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ......4........................................ 129 11................4. 103 9..2......... Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ..... 107 9..........3................... 129 Úloha 32................................................... Dolní mezní itočet........... 91 Úloha 22......................................................................................................................................................................... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ..............................143 6 ................................................................ Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24.................. Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ..... Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ..........................110 Úloha 25... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21..... Vlastnosti při stejnosměrném .......... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ....2............................................................................................................. Vlastnosti při střídavém ........................................................................................................................... 86 8...........1..................................................................

---

---