Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

................................................................................................... 137 11. Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek............................................................................................. Vlastnosti při střídavém .......................................2.........................................................................................................................110 Úloha 25..129 Úloha 31.....2......................... .................................1......114 Úloha 28.... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ... 86 8.......................................................................... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9....................... 107 9........... Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu......143 6 ........................... Horní mezní itočet. Vlastnosti při stejnosměrném .............................................................. 129 11............................. Dolní mezní itočet................................................ 129 Úloha 32.....4.. Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21......................3............................................... 124 IV............................... Výpočet mezních kmitočtů ............................. 122 Úloha 29................................................................................. ..........................................................................................................Úloha 20...... Konstrukce st.3.2. Zesilovač malého signálu tranzistorem typu .......... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru .................................... 129 11.............. Zapojeni zesilovačů....................... 110 Úloha 26......... Vlastnosti při stejnosměrném ...........................................................................................104 9.... Zesilovač .......................................... Teplotní stn sti................... 98 III................................. Unipolární tranzistory.................. Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač........................ Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23..............................................1............... 138 Úloha 33...... Teplotní lastn sti........... 91 Úloha 22.................................................................119 10..........................................................................112 Úloha 27................... 103 9............1..... Konstrukce st........................................................ 103 9... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ................................ Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu .......118 10................................................................................... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ...................... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém ...................................... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet .............. Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í....................120 10............. Vlastnosti při střídavém ................. Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24.......... 138 Úloha 34................................................4....................... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10...................................................................... Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu .........................123 Úloha 30..116 10......

---

---