Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
............................................... Dolní mezní itočet........ 129 11.....................2..... 137 11.....112 Úloha 27........................................... Zesilovač ...... 138 Úloha 34.............................................................................................. 91 Úloha 22.............129 Úloha 31.........119 10.......... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém .........4..................... Vlastnosti při střídavém . Výpočet mezních kmitočtů ................................................. Unipolární tranzistory...................................................... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ............................................ Teplotní lastn sti............ Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ............................................... 138 Úloha 33............................................................................................................. Teplotní stn sti........................................................................ Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ........ 122 Úloha 29........................................3.......................................................................................... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač................... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9.... 107 9....... 103 9........................................ Horní mezní itočet... 98 III.............................................................. Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í........ Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu............................................................ Vlastnosti při stejnosměrném ... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek.... 129 11.....................................................................................................................110 Úloha 25..............................................114 Úloha 28...................... .......... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru .................................................. Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu ...................................2................................... 103 9................120 10....Úloha 20. Konstrukce st.... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23.............1..3...........2.......................... Konstrukce st......104 9........................................ Zapojeni zesilovačů............................. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ...............1...........................................123 Úloha 30.............................................................................................................118 10................................. Vlastnosti při stejnosměrném ........................... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24.....1.. ............................................................................................... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10................ Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21................................................... 124 IV................. Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ............................. Vlastnosti při střídavém ........ 86 8................. 129 Úloha 32.........................................4................. 110 Úloha 26...............................................................143 6 ....116 10....................