Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

.................................................112 Úloha 27.............................. 103 9..............129 Úloha 31................................. Zesilovač malého signálu tranzistorem typu .. 122 Úloha 29...... Konstrukce st............... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu .......... Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10.................2............... Konstrukce st......................................... 138 Úloha 33.... 103 9.................................................... 91 Úloha 22...................................... Vlastnosti při střídavém ........ Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ............................123 Úloha 30..................................................1... Horní mezní itočet......................................................................114 Úloha 28..................... Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ...... 129 11................................................................. Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu........................................................................ Zesilovač ..................................... Teplotní stn sti..........110 Úloha 25..143 6 ........................................ 110 Úloha 26......2...............................104 9.............4..................................................................................... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21.......... Zapojeni zesilovačů... 86 8................. Vlastnosti při stejnosměrném .................................................................................4............... 107 9.......... Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ............................................................ 129 11............................................ 129 Úloha 32.. Dolní mezní itočet...........................3..............................116 10...............................................................................................1.........................................Úloha 20.................................120 10....... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9...................................................................................... Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24.......................... Unipolární tranzistory.. Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í........ Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ........................ Výpočet mezních kmitočtů ......118 10.................... Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém . Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23.. 138 Úloha 34......................... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ................................................1............................. 137 11... ......... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou ..........2................... ....................... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek.................................................. Vlastnosti při stejnosměrném ............................ Vlastnosti při střídavém ...................... 98 III..........................................................3.......................... 124 IV............................................... Teplotní lastn sti...........................119 10................................... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač...............................................................................................................................

---

---