Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 5 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

.... Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakte­ ristik ........................................4............. Teplotní závislost pracovního bodu při vstupu řízeném napětím 95 Úloha 24.................................... Vlastnosti při střídavém .........110 Úloha 25................ Tranzistor řízený elektrickým polem přechodovým hradlem (JFET) 118 10. Náhradní zapojení tranzistoru pro malý signál při vysokém kmitočtu.......... Určení pracovního bodu tranzistoru typu JFET pracujícího jako zesilovač... Tranzistor řízený elektrickým polem izolovaným hradlem (MOSFET) 103 9............... Teplotní závislost pracovního bodu při konstantním proudu báze Úloha 23... 103 9............ Teplotní lastn sti. Zapojení děliče napětí tranzistorem typu ........ 91 Úloha 22.....................129 Úloha 31........................... 107 9...........................................................3............. Konstrukce st........... Výpočet mezních kmitočtů ..114 Úloha 28.............2.... Unipolární tranzistory............................................................. Vlastnosti při stejnosměrném ......................... Zapojeni zesilovačů............................................................ 122 Úloha 29......112 Úloha 27...... Vlastnosti při střídavém ................................................1..................... .......................... Konstrukce st...........1..................................... 124 IV.................................................. 98 III..................2............... Vstupní vodivost strmost při malém signálu Darlingtonova zap jen í................Úloha 20......................... Horní mezní itočet...........................119 10...............................................................................4.................................................. 137 11.... 129 11.............................................................................................. 138 Úloha 33.............................................................. Stabilizace pracovního bodu zápornou zpětnou vazbou emito- rovém .1........................123 Úloha 30.................................... Teplotní stn sti.............. 138 Úloha 34......118 10..................................... 110 Úloha 26...................... ............. Zesilovač malého signálu tranzistorem typu ... Různé druhy tranzistorů řízených elektrickým polem typu .................... Dolní mezní itočet................................................................................................................... Vlastnosti při stejnosměrném ........... Výpočet tranzistorového zesilovače pomocí parametrů 84 Úloha 21..................................................................................................................... Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmi­ točet ............. 129 11...................................................................... Výpočet vazební kapacity mezi dvěma stupni dvoustupňového zesilovače vazbou .................................................................104 9............................3........................143 6 ..............................................................2......... 103 9....... 86 8..............................................120 10. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu ......................................................................... Zesilovač .................116 10................................................................................................................... Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET vodivým kanálem normálních podm ínek............................................................... Horní mezní kmitočet zesilovače závislosti odporu generá­ toru ........... 129 Úloha 32........................

---

---