Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
všechny teplotní
vlivy velmi redukují, pokud zajistíme, aby oba tranzistory měly stejnou
teplotu. obr. Velikost
tohoto činitele ukazatelem jakosti zapojení, protože udává, jak jsou
součtové signály proti rozdílovým potlačeny.16)
Z výsledku vyplývá, tento činitel zvláště zvětšuje tehdy, jestliže
při daných veličinách Glk zvětšujeme emitorový odpor RE.úpravě výrazu závorce dostaneme
A„„ sRj
1
1 e{s Glk)
(39.
To platí pro všechny ostatní změny, které působí stejně obě poloviny
zesilovače, jakož pro rušení síťovým kmitočtem nebo šumem indukovaným
do vstupních přívodů. Např.
Velikost odporu Eje omezena zvýšením napájecího napětí hodnotu
UE 2IeRe Velkého dynamického odporu při relativně malém úbytku
napětí dosáhneme, použijeme-li místo společného emitorového odporu Re
tranzistoru, který představuje zdroj konstantního proudu. 141 je
znázorněna tato možnost.
c) Činitel potlačení součtového signálu určíme výsledků bodu b)
A„
H 2RE(s Glk (39.E. Potom jsou totiž teplotní změny obou tranzistorů stejné, takže
představují součtový signál, který dříve uvedeném poměru potlačen. Náhrada společného emitorového odporu zdrojem konstantního
proudu
165
. 141.
Obr.15)
Výsledek odpovídá zesílení tranzistoru zapojení společným emito-
rem, něhož vzniká záporná zpětná vazba emitorovém odporu veli
kosti 2R
