Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
123 úplné náhradní zapojení. úloze bylo uvedeno, náhradním zapo
jení diody přímém směru zapojena paralelně difúzní vodivosti Gd
difúzní kapacita Cd. Dioda kolektor —báze normálním režimu polo
vána zpětném směru, takže podle úlohy musíme zavést náhradního
zapojení mezi kolektor bázi kapacitu přechodu Cj.
Tento jev náhradním zapojení vyjádřen sériovým odporem Rs.2)
U° jco(Cd Cj)
(33.Jaká závislost platí mezi fp, mezním kmitočtem proudového
zesílení nakrátko zapojení společnou bází
a) tranzistoru vzapojení společným emitoremje dioda báze —emitor
polována přímém směru. Náhradní zapojení tranzistoru zapojení společným emitorem
pro vysoké kmitočty
(33.4)
139
. 123.1)
V případě zkratu výstupních svorkách platí
¡2 suo jcaCjU0 (33.3)
Výstupní proud pak dán vztahem
'2 jco(Cd )
s jcoCj
(33. Kromě toho je
u tranzistorů mezi přívodem báze vlastním přechodem báze —emitor
relativně velký odpor, němž dochází vlivem proudu báze úbytku
napětí.
Na obr.
b) Proudové zesílení nakrátko j?je definováno
Potom kapacita zapojena paralelně kapacitě pro napětí u0,
které budí výstupní proud, platí
Řešení
Obr
