Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 127 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
116. Jelikož kmitočtová závislost zesílení takových zesilovačů určena jednak vazebními kapacitami mezi jednotlivými stupni jejich vstupními vý­ stupními odpory jednak odpory kapacitami aktivních součástek, hovoříme zesilovačích RC. Velikosti odporů: 1kQ, kfi, = = 200 nastaveném pracovním bodě tranzistor vodivostní parametry y 0,5 mS, 100 mS, nS 129 . Úlohy byly zaměřeny většinou jejich základní vlastnosti a uváděly jednoduché příklady jejich použití. následujících úlohách budeme blíže sledovat vlastnosti zesilovačů závislosti kmitočtu. V této kapitole seznámíme zapojeními, kterých budeme vedle chování aktivních součástek blíže sledovat rovněž vliv pasívních součástek na vlastnosti celého zapojení.1. 11. olní ezní itočet ÚLOHA 31. ZESILOVAČ RC V dosavadních úvahách jsme vždy předpokládali, kmitočet střídavých signálů volen tak, uvažované kapacity zapojení představují pro tento signál zkrat můžeme počítat jednoduchým náhradním zapojením tranzistoru bez ohledu kapacity.IV. Pro tranzistor použijeme náhradního zapojení podle obr. ZAPOJENÍ ZESILOVAČŮ V předchozích kapitolách jsme zabývali převážně polovodičovými součástkami. 11. 115. Vliv vazební kapacity kapacity emitoru dolní mezní kmitočet Je dáno zapojení podle obr