Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 110 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

c) Nakreslete náhradní zapojení pro malý signál nízký kmitočet. Vidíme zde kvadratickou závislost kolektorového proudu napětí hradla. 93. 94. Dělicí poměr zapojení obr. 94. získáme bodovou konstrukcí převodní charakteristiku GE) param etrem UCB která na­ kreslena obr. Tato vlastnost pro některé aplikace žádoucí, 112 . Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem P Řešení a) sítě charakteristik obr. — uce M Obr. a) Sestrojte převodní charakteristiku f{U GE) při UCE —10 V. jako funkce napětí UGE ÚLOHA 26. Prahové napětí V. b) Stanovte strmost nakrátko výstupní vodivost G2k při UCE —10 V a UGE V.12 — Obr. 95. Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakteristik Je dána síť výstupních charakteristik tranzistoru typu OSFET ka­ nálem podle obr

---

---