Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 110 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

Tato vlastnost pro některé aplikace žádoucí, 112 . — uce M Obr. Dělicí poměr zapojení obr. Prahové napětí V. jako funkce napětí UGE ÚLOHA 26. b) Stanovte strmost nakrátko výstupní vodivost G2k při UCE —10 V a UGE V. 94.12 — Obr. Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem P Řešení a) sítě charakteristik obr. a) Sestrojte převodní charakteristiku f{U GE) při UCE —10 V. Vidíme zde kvadratickou závislost kolektorového proudu napětí hradla. c) Nakreslete náhradní zapojení pro malý signál nízký kmitočet. získáme bodovou konstrukcí převodní charakteristiku GE) param etrem UCB která na­ kreslena obr. 94. 95. Stanovení náhradního zapojení pro malý signál sítě charakteristik Je dána síť výstupních charakteristik tranzistoru typu OSFET ka­ nálem podle obr. 93

---

---