Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 108 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

“i i <?«=*= Ul J2K Obr. a) Odvoďte vztah pro podíl napětí UCE/U jako funkci napětí UGB. Jde tranzistor obohacovacího typu kanálem který normálních podmínek ne- 1. Výstupní vodivost představuje změnu proudu oblasti saturace v závislosti změně napětí UCE při konstantním napětí hradla UGE.9. b) Nakreslete funkci UCE/U jestliže při UGE odpor mezi emitorem kolektorem il Řešení a) rozsahu UCE UGE platí pro tranzistor typu SFET Ic geu ce Charakteristiky této oblasti jsou znázorněny obr. u Nejjednodušší náhradní zapojení tranzistoru typu SFET pracujícího v oblasti saturace uvedeno obr. Zapojení děliče napětí tranzistorem typu MOSFET Je dáno zapojení podle obr. 91. 91. Kolektorový proud úměrný při střídavém signálu druhé mocnině napětí mezi hradlem emitorem, což výstupním obvodu znázorněno řiditelným zdrojem. ÚLOHA 25. dokázat, kapacita CGE (25.7) kde kapacita mezi hradlem kanálem při nulovém proudu. 92. 85. Náhradní zapojení tranzistoru typu OSFET pro střídavý signál Tuto kapacitu můžeme vypočítat rozm ěrů tranzistoru. Reálná vodivost zanedbatelná, protože hradlo od emitoru odděleno izolační vrstvou kysličníku. Použitý tranzistor řízený elektrickým polem kanálem normálním stavu nevodivým prahovým napětím Ut Napětí UCBje vždy menší než UGE. vstupu mezi hradlem emitorem je kapacita COE.4

---

---