Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 108 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

dokázat, kapacita CGE (25. vstupu mezi hradlem emitorem je kapacita COE. u Nejjednodušší náhradní zapojení tranzistoru typu SFET pracujícího v oblasti saturace uvedeno obr. Použitý tranzistor řízený elektrickým polem kanálem normálním stavu nevodivým prahovým napětím Ut Napětí UCBje vždy menší než UGE. 85. a) Odvoďte vztah pro podíl napětí UCE/U jako funkci napětí UGB. 91. Reálná vodivost zanedbatelná, protože hradlo od emitoru odděleno izolační vrstvou kysličníku. b) Nakreslete funkci UCE/U jestliže při UGE odpor mezi emitorem kolektorem il Řešení a) rozsahu UCE UGE platí pro tranzistor typu SFET Ic geu ce Charakteristiky této oblasti jsou znázorněny obr. Kolektorový proud úměrný při střídavém signálu druhé mocnině napětí mezi hradlem emitorem, což výstupním obvodu znázorněno řiditelným zdrojem. 91.9. Jde tranzistor obohacovacího typu kanálem který normálních podmínek ne- 1. 92. Náhradní zapojení tranzistoru typu OSFET pro střídavý signál Tuto kapacitu můžeme vypočítat rozm ěrů tranzistoru.4. Výstupní vodivost představuje změnu proudu oblasti saturace v závislosti změně napětí UCE při konstantním napětí hradla UGE.7) kde kapacita mezi hradlem kanálem při nulovém proudu. “i i <?«=*= Ul J2K Obr. ÚLOHA 25. Zapojení děliče napětí tranzistorem typu MOSFET Je dáno zapojení podle obr

---

---